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本申请公开了一种校准片及其制造方法，该校准片包括硅片和位于所述硅片上的颗粒状的凸起图案，凸起图案在硅片上的投影为圆形，凸起图案在硅片上的投影圆的直径为预设目标尺寸的2倍，凸起图案的高度为预设目标尺寸的1.3倍，凸起图案与硅片一体成型；或者，...该专利属于中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司授权不得商用。