一种集成可控硅晶闸管的双向光触发固态继电器制造技术

本发明专利技术公开了一种集成可控硅晶闸管的双向光触发固态继电器，属于电子技术领域。本发明专利技术的双向光触发固态继电器在N型衬底依次扩散出彼此相隔的第一n+阱、第一P型阱、第二P型阱、第三P型阱、第四P型阱区和第四n+阱，并在第一P型阱和第三P型阱上部扩散有第二n+阱和第三n+阱，再在N型衬底上方覆盖绝缘层且绝缘层上开有引线孔，之后再引线孔上方覆盖金属导电层即可。本发明专利技术的双向光触发固态继电器不再需要独立的可控硅，独立的可控硅集成进光触发电路中，将整个固态继电器的生产成本降低了30％以上，同时开关时间可达10微秒之内。

A bidirectional light triggered solid state relay integrated with thyristor

【技术实现步骤摘要】
一种集成可控硅晶闸管的双向光触发固态继电器
本专利技术涉及一种集成可控硅晶闸管的双向光触发固态继电器，属于电子

技术介绍
固态继电器(英文：SolidStateRelay，简称：SSR)是由半导体控制负载流经固态开关的无接点继电器，输入端利用发光二极管、晶体管、功率晶体管等半导体电路组成光耦合器，经内部控制电路触发输出端的硅控整流器(英文：SiliconControlledRectifier，简称：SCR)或三端双向可控硅开关元件(英文：TriodeforAlternatingCurrent，简称：TRIAC)进而导通负载电流，固态继电器可以在接受低压直流或交流信号输入之后，导通高压、高功率的输出电流，从而能够隔离输入输出以及控制高功率输出电流。图1是传统的包含可控硅的固态继电器，共包含三个芯片，LED发光二极管、光触发电路、可控硅器件，主要工作原理是：输入电压Vin给LED发光二极管提供电源，LED点亮后，发出近红外和可见光；所发出的光被光触发电路接收后，光触发电路将开启，输出触发电流。该电流流入可控硅的门极，使得可控硅开通本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光触发固态继电器，其特征在于，所述光触发固态继电器包括：/nN型衬底；/n在所述N型衬底上从一端到另一端扩散有第一n+阱、第一P型阱、第二P型阱、第三P型阱、第四P型阱区和第四n+阱；/n其中，所述第一n+阱、第一P型阱、第二P型阱、第三P型阱、第四P型阱和第四n+阱彼此间隔，所述第一P型阱和第二P型阱之间以及第三P型阱和第四P型阱区之间扩散有P型电阻；/n所述第一P型阱和第四P型阱上分别扩散有第二n+阱和第三n+阱；/n所述N型衬底上方淀积有绝缘层，绝缘层对应第一n+阱、第二n+阱、第二P型阱、第三P型阱、第三n+阱和第四n+阱的位置处开有引线孔；/n绝缘层表面淀积有金属导电层；/n...

【技术特征摘要】
1.一种光触发固态继电器，其特征在于，所述光触发固态继电器包括：
N型衬底；
在所述N型衬底上从一端到另一端扩散有第一n+阱、第一P型阱、第二P型阱、第三P型阱、第四P型阱区和第四n+阱；
其中，所述第一n+阱、第一P型阱、第二P型阱、第三P型阱、第四P型阱和第四n+阱彼此间隔，所述第一P型阱和第二P型阱之间以及第三P型阱和第四P型阱区之间扩散有P型电阻；
所述第一P型阱和第四P型阱上分别扩散有第二n+阱和第三n+阱；
所述N型衬底上方淀积有绝缘层，绝缘层对应第一n+阱、第二n+阱、第二P型阱、第三P型阱、第三n+阱和第四n+阱的位置处开有引线孔；
绝缘层表面淀积有金属导电层；
金属导电层上刻蚀有光敏区，所述光敏区位置为：第一P阱区和第四P阱区对应区内，除了其中第二n+阱和第三n+阱扩散所占据的区域外，剩余的区域均为光敏区。


2.根据权利要求1所述的一种光触发固态继电器，其特征在于，所述第一P型阱与第二P型阱之间、第三P型阱与第四P型阱之间的距离为10～50μm。


3.根据权利要求1所述的一种光触发固态继电器，其特征在于，所述第二P型阱与第三P型阱之间的距离为50～200μm。


4.根据权利要求3所述的一种光触发固态继电器，其特征在于，所述第二P型阱与第三P型阱之间的距离为70μm。


5.根据权利要求1所述的一种光触发固态继电器，其特征在于，所述光敏区长为1～20μm，宽度为1～20μm。


6.根据权利要求1所述的一种光触发固态继电器，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜岩峰，李茹，姜淋馨，
申请(专利权)人：江南大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32