本发明涉及一种蚀刻半导体结构上一个或多个实体的方法，各个实体由选自金属和金属氮化物的材料制成，所述方法包括如下步骤：(a)通过在至少0.1A的电流下电解使含有浓度为0.01mol/l至1.0mol/l氯阴离子的前体溶液氧化，由此形成蚀刻...

一种用于减少在数字地驱动的包括组织成行和列的多个显示像素的有源矩阵显示器上显示的运动图像序列中的运动伪像的方法被公开。该方法包括通过n比特数字图像代码表示将在场内被显示的图像的点。该场被划分为各子场，并且每个子场被进一步划分为第一和第二...

提供了一种有源矩阵薄膜发射器LED类型的显示器(100)，包括基板(110)、在该基板上彼此分开布置的薄膜发射器LED类型的多个像素(120)、被布置在诸像素之间的多个薄膜光电检测器(130)、覆盖诸像素和光电检测器的封装层(140)、...

一种保护光掩模(210)的方法(100)。该方法包括：提供(110)光掩模(210)，提供(120)边框(220)，在边框(220)上沉积(130)至少两个电触头(230)，将包含碳纳米管的膜(240)安装(140)在边框(220)上，...

本公开涉及用于检测各个体发光粒子的光谱传感器。传感器包括用于检测由所述各个体发光粒子发出的光的光敏检测器阵列和包括多个不同带阻滤光器的滤光器阵列。滤光器阵列被配置成将可检测波长区中的波长透射到光敏检测器阵列，并且其中每一带阻滤光器与一个...

本发明涉及发光二极管(LED)器件，尤其是微型LED(μLED)器件的技术领域。在该领域中，本发明具体提出了一种用于获得在载体基板上重构的一个或多个LED器件的方法。该方法包括：提供硅基半导体基板作为载体基板，为一个或多个LED器件的每...

本发明涉及光学器件的技术领域。本发明具体提出了一种用于制造光学器件的方法。光学器件可以是发光二极管(LED)器件，例如微型LED(μLED)器件或光电二极管(PD)器件，例如成像器。该方法包括在第一半导体晶片上处理包括多个化合物半导体L...

本发明提出了一种发光二极管(LED)器件，特别是微型LED(μLED)器件，其适用于μLED显示器。该LED器件包括带多个LED 12的LED阵列。该LED器件还包括被电连接到该LED阵列的至少一个顶部触点和底部触点。此外，该LED器件...

p通道金属氧化物半导体(pMOS)晶体管包括栅极堆叠体，所述栅极堆叠体包括：基材上的含有硅氧化物的介电中间层，其中，介电中间层的厚度小于1nm；介电常数高于介电中间层的高k介电层；在介电中间层和高k介电层之间并且与介电中间层直接接触的第...

本公开提供了一种薄膜光伏模块，其包括在电绝缘基板上的多个串联连接的薄膜光伏电池，并包括与薄膜光伏模块集成并位于薄膜光伏模块的侧向边缘处的至少一个电子设备。该至少一个电子设备的第一设备电极借助于第一导电线被电连接到第一薄膜光伏电池的透明前...

本发明的方法在基板上执行，上述基板在其表面上包括平行半导体翅片的阵列和至少一个伪栅极，该伪栅极横向于翅片取向，并在每侧上由间隔物和层间电介质区域侧接。对基板应用替换金属栅极处理，栅极电介质和金属栅极堆叠替换伪栅极。根据本发明，金属栅极堆...

本发明涉及一种用于测量诸如集成电路管芯的后道工艺部分的分层金属化结构中机械应力的传感器。该传感器用作包括栅电极(1)、栅极介电(5)、沟道(6)以及源极和漏极(7、8)的场效应晶体管，其中，栅电极是第一金属化层的导体(1)，而源极和漏极...

一种用于对象(110)的同轴全息成像的成像设备，包括：一组光源(102)，其中每个光源(102)被配置为以受限的照明锥形输出光；图像传感器(120)，其包括用于检测入射光的一组光检测元件(122)，其中该组光源(102)被配置为输出光以...

根据本发明构思的一方面，提供了一种用于形成半导体器件的栅极的方法，该方法包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括基板和在所述基板上方突出的沟道结构，在沟道结构上形成栅极介电层，在栅极介电层上形成栅极功函数金属层，沉积硅的牺牲材料以形成初...

提供一种方法，用于将至少部分阀金属层转变为包括多个间隔(纳米)通道的模板。所述方法包括：第一阳极化步骤，由此，形成包括多个(纳米)通道的阀金属氧化物多孔层；保护处理，由此将疏水性表面引入(纳米)通道壁和(纳米)通道底部；保护处理后的第二...

在导电基材上形成功能材料层。提供一种用于在导电基材上形成功能材料层的方法。该方法包括：在基材上沉积中间层，在中间层上沉积功能材料前体层，并且使功能材料前体层活化，从而在中间层上形成功能材料层。该方法可以涉及将至少部分阀金属层转变成包括多...

提供了包括形成有序网络的多根互连的线(101、102)的多孔固体材料。多孔固体材料(100)的预定体积表面积为2m

本发明涉及一种用于形成互连部的方法和溶液，具体涉及一种用于铂族金属无电沉积的无氧或贫氧溶液，其包含：a.具有第一氧化电势的钌(II)胺络合物，以及b.铂族金属化合物，其还原电势大于钌(II)胺络合物的氧化电势相反数。

根据本发明构思的一方面，提供一种形成III‑V半导体器件的方法，包括：形成III‑V半导体层堆叠，其在自底向上方向上包括：漏极接触层、漂移层、沟道层、体接触层和源极接触层，其中漏极接触层、漂移层和源极接触层具有第一导电类型，而沟道层和体...

描述了用于区分细胞的细胞区分系统。该系统包括：用于接收基于处于悬浮状态的细胞的全息图像的细胞经重构的图像的输入装置，以及用于从该细胞经重构的图像确定细胞表征特征用于该细胞的表征的细胞识别装置。该细胞识别装置于是被配置成用于将图像矩确定为...