一种用于分发数据以供3D光场投影的系统和方法。该系统包括可连接到显示器的像素元件(110)的输入端子(102)和输出端子(103)。适合于传输接收到的输入数据(101)流的数据路径在输入端子(102)与输出端子(103)之间被建立，并经...

根据本发明构思的一个方面，提供一种形成垂直场效应晶体管器件的方法。该方法包括：在基材上形成垂直半导体结构，该垂直半导体结构在基材上方突出并且包括下源极/漏极部分、上源极/漏极部分以及设置在所述下源极/漏极部分和所述上源极/漏极部分之间的...

一种用于显示三维图像的装置，包括：光场生成单元(110)，该光场生成单元(110)被配置成用于接收入射光束(112)并生成三维光场；以及图像显影介质(120)，该图像显影介质(120)被布置成接收由该光场生成单元(110)生成的该三维光...

根据本发明构思的一个方面，提供了一种包括层堆栈的MTJ器件，包括：SOT层和第一自由层，第二自由层、参考层和布置在第二自由层和参考层之间的隧道势垒层，以及布置为在第一自由层和第二自由层之间的界面层的间隔层，其中SOT层被适配成通过SOT...

根据本发明概念的一个方面，提供一种用于形成包括垂直通道场效应晶体管(FET)器件的半导体器件的方法，该方法包括：在基材上形成从基材的下源极/漏极半导体层垂直突出的多个半导体结构，将半导体结构设置在具有多个行和列的阵列中；至少在行的子集之...

公开了一种用于形成半导体器件的方法。该方法包括：在垂直沟道场效应晶体管FET器件区域(10)中形成包括第一半导体结构(110)的垂直沟道场效应晶体管FET器件(11)，该第一半导体结构(110)包括较低源极/漏极部分(12)、较高源极/...

根据本发明概念的一个方面，提供一种用于形成半导体器件的方法，该方法包括：提供一种半导体基材，所述半导体基材包括：在垂直通道场效应晶体管(FET)器件区域中的第一层结构，所述第一层结构包括：下半导体层、在下半导体层上的中间半导体层和在中间...

公开了在半导体鳍结构(100)上形成掩模层(190)的方法。所述方法包括：形成第一组间隔物和设置在第一组间隔物侧表面处的第二组间隔物(131、132、133、134)，在第二组间隔物之间提供第一填料材料(140)，蚀刻第一填料材料的顶部...

本发明涉及无抗蚀剂图案化掩模以及一种在待图案化层(100)上形成图案化掩模的方法，所述方法包括以下步骤：(a)在待图案化层(100)上提供碳基层(200)；(b)用含卤素基团(400)使碳基层(200)的顶表面(300)官能化；(c)通...

一种用于形成三维光场分布的光学器件(100)，包括：单位晶格(104)的阵列(102)，单位晶格(104)可单独寻址以用于在第一状况和第二状况之间切换单位晶格(104)的光学特性；其中单位晶格(104)被配置为选择性地活跃或不活跃，并且...

一种用于形成三维光场分布的光学器件，包括：可单独寻址的单位晶格的阵列；该单位晶格的阵列中的每一个单位晶格包括堆叠，该堆叠包括：至少一个电极；以及共振限定层，包括至少相变材料(PCM)层，其中该共振限定层被图案化以限定几何结构，该几何结构...

提供一种将钝化电触件形成到晶体半导体基材的方法，所述方法包括：在晶体硅基材的表面上沉积含本征非晶硅初始层；在含本征非晶硅初始层上沉积第一金属层；在70℃至200℃范围内的温度下进行退火工艺，从而在至少一部分第一金属层和一部分含本征非晶硅...

一种用于检测、分选、提纯和/或表征液体样本中的感兴趣对象的方法(1)。该方法包括在微流体路由系统(100)的准备模块(120)中准备(3)液体样本以供处理，其中所述准备包括将所述液体样运送通过微流体通道，以及将所准备的样本从所述准备模块...

一种用于路由微流体流中的感兴趣对象(2)的微流体路由设备(1)，该设备包括衬底(3)；在所述衬底(3)上提供的第一层(4)，其中第一层(4)形成微流体通道(6)的底壁，其中穿过第一层(4)的至少两个孔分别形成微流体通道(6)的入口(11...

一种用于照亮粒子的设备(110)，包括：被布置在衬底(114)上的光波导(112；412a、412b；512a、512b)；被配置成输出形成片状形状的光束(150；450a、450b；550a、550b)的输出耦合器(118)，该片状形...

描述了用于区分细胞的细胞区分系统。一种区分系统包括用于接收处于悬浮状态的微观颗粒的全息图像数据的输入装置，用于通过执行该全息图像数据的傅立叶变换来将该全息图像数据转换到频域的全息图像数据处理装置，以及用于在频域中确定该微观颗粒的该全息图...

提供了一种在晶体硅双面太阳能电池的后侧(112)处产生掺杂层的方法，所述方法包括：至少使太阳能电池的硅基材(110)的后侧(114)纹理化以产生棱锥图案(120)，从而产生后侧的棱锥形拓扑结构；通过使用外延生长在棱锥上生长至少一个掺杂的...

公开了一种半导体器件，包括：半导体衬底，其包括在源极区与漏极区之间的沟道区；布置成与该沟道区相互作用的栅极结构；以及布置在该沟道区与该栅极结构之间的介电结构。介电结构包括高k介电层或高k铁电层以及与该高k介电层或该高k铁电层直接接触的至...

本发明涉及一种EUVL扫描仪(10)。该EUVL扫描仪包括：EUV光源(110)；掩膜版(120)；安装在掩膜版(120)的前面并包括EUV透射膜(132)的薄膜(130)，在使用中，该透射膜将透射光散射成具有主轴(114)的椭圆散射图...

在第一方面中，本发明涉及形成场效应晶体管的栅极堆叠体的方法，所述方法包括以下步骤：(a)将Si封盖层(200)沉积在Ge通道材料(100)上；以及(b)通过等离子体增强沉积技术在200℃或更低的温度以及100W或更低、优选90W或更低的...