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合肥彩虹蓝光科技有限公司专利技术
合肥彩虹蓝光科技有限公司共有183项专利
杀菌除味器制造技术
本实用新型提供一种杀菌除味器,所述杀菌除味器包括,主体外壳、后盖、风扇、挥发性有机化合物传感器、光触媒模块以及光触媒盖。利用本实用新型,可有效净化空气,提升空气质量。
一种发光二极管芯片的封装结构及封装方法技术
本发明提供一种发光二极管芯片的封装结构,涉及半导体器件封装技术领域。所述一种发光二极管灯珠封装的线弧包括:支架,包括固晶区和焊线区;发光二极管芯片,固定在所述固晶区内,与所述焊线区线弧连接,所述线弧的形状包含至少两个拐凸点;胶体结构,设...
一种深紫外线发光二极管及其制备方法技术
本发明提供一种深紫外线发光二极管及其制备方法,涉及半导体器件技术领域。所述深紫外线发光二极管包括:基板,设置在基板上的N型半导体层、发光层、P型半导体层;连接在N型半导体层上的第一电极垫;连接在P型半导体层上的第二电极垫;其中第一电极垫...
一种发光二极管结构制备方法及其用途技术
本发明提供一种发光二极管结构制备方法及其用途,该制备方法包括,提供一衬底;于所衬底上依序形成N型半导体层、量子阱层、P型半导体层及透明导电层;图形化N型半导体层、量子阱层、P型半导体层及透明导电层以形成一Mesa凹槽;形成第一电极和第二...
一种发光二极管结构制造技术
本发明提供一种发光二极管结构,包括,衬底及依序形成于衬底上的N型半导体层、量子阱层、P型半导体层及透明导电层;一Mesa凹槽;一第一电极Pad和一第二电极Pad,所述第一电极与透明导电层电连接,第二电极通过Mesa凹槽与N型半导体层接合...
一种深紫外发光二极管的封装结构及封装方法技术
本发明提供一种深紫外发光二极管的封装结构及封装方法,涉及芯片制造领域。所述半导体结构包括:芯片;支架,其上固定有所述芯片,所述支架与所述芯片电连接;硅氧化物保护层,其设置于所述芯片上,所述硅氧化物保护层包裹所述芯片及所述支架。本发明可解...
一种紫外发光二极管封装结构及其封装方法、和紫外灯技术
本发明提供一种紫外发光二极管封装结构及其封装方法和紫外灯。所述紫外发光二极管封装结构包括:柔性基板,所述柔性基板包括至少依次层叠的导热层、金属导电层和绝缘层,所述导热层至少包括选自有机材料、金属材料,以及无机非金属材料形成的多层结构;紫...
一种LED封装方法技术
本发明提供一种LED封装方法,应用有LED封装技术领域,所述方法至少包括:将待贴合产品放置于治具上;在压合板上均匀涂覆有离型膜与离型液;将荧光膜覆盖于所述待贴合产品上;对所述压合板进行加热,并开启真空腔体;待达到真空状态时,将所述压合板...
半导体异质结构及半导体器件制造技术
本发明提供半导体异质结构及半导体器件,所述半导体异质结构包括,衬底;成核层,设置于衬底上;缓冲层,缓冲层至少包括一第一缓冲层和一第二缓冲层,第一缓冲层设置于成核层上,第二缓冲层,设置于第一缓冲层上;一沟道层,设置于第一缓冲层上;以及一势...
一种发光二极管外延结构及发光二极管制造技术
本发明提供一种发光二极管外延结构,应用于发光二极管技术领域,所述外延结构从下向上的物质依次为:含铝氮化物衬底、第一半导体层、N型半导体层、第一多量子阱结构、第二多量子阱结构、第二P型半导体层、电子阻挡层、第三P型半导体层;其中,所述第二...
一种发光二极管外延结构生长方法技术
本发明提供一种发光二极管外延结构生长方法,所述方法包括步骤:在衬底上,生长第一半导体层;在所述第一半导体层上生长N型半导体层;在所述N型半导体层上生长第一多量子阱结构;在所述第一多量子阱结构生长第二多量子阱结构,其中,所述第二多量子阱结...
一种餐具盒制造技术
本发明涉及一种餐饮领域,特别是涉及一种餐具盒。本发明提供一种餐具盒,所述餐具盒包括,盒体,盒盖,容纳腔,制热装置及开关感测单元。利用本发明,可用于解决现有技术中消毒餐具设备过大,不方便携带的问题,从而有效对餐具进行消毒杀菌,提升生活品质。
一种LED封装结构制造技术
本发明公开了一种LED封装结构,包括:箱体,驱动机构,清洁装置,转轴,调色板和LED灯组件。本发明在每次调换调色板的同时,可以对箱体外壁以及箱体的玻璃罩进行清洁。
一种发光二极管灯具及其制备方法技术
本发明灯具技术领域具体涉及一种发光二极管灯具及其制备方法。本发明提供一种发光二极管灯具,其特征在于,其包括:基板;多个发光二极管芯片,设置于所述基板上;整流组件,设置于所述基板上,并电性连接于所述多个发光二极管芯片;导电端子,设置于所述...
一种发光二极管灯珠的封装方法技术
本发明提供一种发光二极管灯珠的封装方法,包括:对支架先进行除湿烘烤,并对烘烤完成后的支架进行等离子清洗;在所述支架的预设位置进行点胶处理,并在点胶处理的位置固入发光二极管晶片;对点胶后的所述支架和所述发光二极管晶片粘着后进行烘烤处理;对...
金属氮化镓复合衬底外延生长方法及发光二极管外延结构技术
本发明提供一种金属氮化镓复合衬底外延生长方法,所述生长方法包括,提供一金属氮化镓复合衬底,于所述金属氮化镓复合衬底上形成一低温应力层,于所述低温应力层上形成第一半导体层,于所述第一半导体层上形成有源区量子阱层,于所述有源区量子阱层上形成...
一种倒装器件封装方法及结构技术
本发明提供一种倒装器件封装方法,所述倒装器件封装方法至少包括:将基板放置于预设位置,其中,所述基板上开设有至少一个上下贯穿的孔洞;将所述倒装芯片置于所述基板之上,且所述倒装芯片上的焊球与所述基板上的焊盘对应相接;对所述基板上的焊盘和所述...
一种发光二极管结构及其制备方法技术
本发明公开一种发光二极管结构及其制备方法,涉及半导体器件技术领域。本发明的一种发光二极管结构,包括:衬底;第一电极,其设置在衬底上;第一半导体层,其设置在第一电极上;应力消除层,其设置在第一半导体层上;发光层,其设置在应力消除层上;第二...
一种车灯灯珠合成方法及一种灯珠合成LED支架技术
本发明提供一种汽车灯合成灯珠的封装方法,应用于车灯技术领域,所述合成灯珠的方法至少包括:LED支架先进行150℃除湿烘烤,烘烤时间为0.5‑1.5小时;在所述LED支架上的LED放置区域固入第一LED晶片后进行固晶胶固化烘烤,其中,所述...
发光二极管外延结构及其制备方法技术
本发明提供一种发光二极管外延结构及其制备方法,所述制备方法包括,提供一衬底,于所述衬底上形成第一半导体层,于所述第一半导体层上形成发光层,于所述发光层上形成第二半导体层,其中,其中,所述发光层包括多个量子阱单元组,所述多个量子阱单元组是...
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