本发明公开一种避免飞片的石墨盘结构，包括石墨盘的Pocket底座，所述Pocket底座为下凹的曲面底面形状，曲面的圆心角为0~10度。同时结合Pocket侧壁向腔体内倾斜，可以较好的固定外延片以及对Pocket底座的曲面底面的下凹深度以...

一种改善GaN基外延片内波长集中度的外延结构及生长方法，该外延结构从下向上的顺序依次为：衬底、低温GaN缓冲层、GaN非掺杂层、ALxGa1-xN插入层、N型GaN层、多量子阱结构MQW、多量子阱有源层、低温P型GaN层、P型AlGaN...

一种改善4?inch?GaN基外延片内均匀性和波长集中度的方法，所述GaN基外延片中缓冲层的生长方法如下：（1）将4inch衬底在氢气气氛下，高温清洁衬底表面后，进行氮化处理；（2）氮化处理结束后，进行固定AL组分的ALxGa1-xN缓...

一种ITO玻璃片清洗治具，包括：侧板、底板、中板，所述底板分为上下两块，侧板与底板组成清洗治具池，清洗治具池中部设有中板，中板为两块薄板合板，清洗治具池内部设有固定玻璃片卡槽，固定玻璃片卡槽分为四个台阶，用于固定不同尺寸的玻璃片。本发明...

一种提高发光效率的氮化镓基LED外延生长方法，该外延结构从下向上的顺序依次为：衬底、低温GaN缓冲层、GaN非掺杂层、N型GaN层、多量子阱结构MQW、多量子阱有源层、低温P型GaN层、P型AlGaN层、高温P型GaN层和P型接触层，所...

本发明公开一种安全高效回收高危化学药液的装置，包括一手动开关，用于检测液体信号的检测部分，接收检测部分检测出的液体信号并进行分析和判断的电气控制部分，执行电气控制部分发出的指令的动力执行部分，所述检测部分、电气控制部分以及动力执行部分由...

本发明公开一种方便快捷式耐酸碱抗腐蚀的高效冷凝器，包括冷却盘管、固定支架、进、出冷却介质开关，其中，冷却盘管安装在固定支架上，进、出冷却介质开关位于冷却盘管的两端口，用于控制冷却介质在冷却盘管内的流动；冷却盘管以及固定支架位于待冷却溶液...

本实用新型公开了一种半导体LED芯片生产吸嘴自动清洁装置，包括支架，所述支架上部设有调节喷洗装置，下部设有承液容器，清洁平台可移动设置在调节喷洗装置与承液容器之间，所述调节喷洗装置包括用于存放清洗液的桶状容器，该桶状容器底部安装有与其相...

本发明公开一种提高GaN基LED抗静电能力的外延结构及其生长方法，该外延结构从下向上的顺序依次为：衬底、低温GaN缓冲层、GaN非掺杂层、第一个N型GaN层、多量子阱结构MQW、多量子阱有源层、低温P型GaN层、P型AlGaN层、高温P...

本发明公开一种LED晶片的擦片专用制具，包括两块相同规格的耐酸碱PTFE板，每块PTFE板的正面加工若干个2英寸晶片沟槽，反面加工若干个4英寸晶片沟槽，每个晶片沟槽中央均设计有“+”型排液沟槽，所述排液沟槽一字型相互贯通，且排液沟槽槽壁...

本发明公开一种提高GaN基LED发光效率的量子阱垒层生长方法，该LED外延片结构中的发光层多量子阱从下往上依次包括低温浅量子阱、低温多量子阱发光层结构；其中低温多量子阱垒层采用高生长速率生长且垒阱温差保持在130℃左右，量子阱全部采用高...

本发明公开一种半导体元件镀膜制程方法，包括步骤如下：1）在背镀反射层前先对晶元进行减薄；2）对晶元进行雷射隐形切割；3）将雷射隐形切割后的晶元粘附、键合于一坚固基板上；4）背镀氧化层或金属层；5）背镀完成后将粘附、键合的基板进行剥离；6...

本发明公开一种提高大功率GaN基LED发光效率的外延结构及生长方法，该外延结构从下向上的顺序依次为：衬底、低温GaN缓冲层、GaN非掺杂层、N型GaN层、多量子阱层、发光量子阱层、低温P型GaN层、PAlGaN/PInGaN电流阻挡层、...

本发明公开一种垂直进气和水平进气在基片表面正交的气体输运反应腔体，包括反应腔体上盖、位于反应腔体下部的托盘、加热器以及进气口和出气口，所述出气口位于反应腔体上盖和托盘之间；所述反应腔体上盖的上腔壁设置为斜角；所述托盘上放置基片；所述反应...

本发明公开一种GaN基发光二极管外延结构的生长方法，该外延结构从下向上的顺序依次为：衬底、低温GaN缓冲层、GaN非掺杂层、N型GaN层、浅量子阱层、发光量子阱层、低温P型GaN层、PAlGaN电流阻挡层、高温P型GaN层和P型接触层，...

本实用新型公开了一种用于装取激光打码机中外延片的吸笔装置，包括笔体，所述笔体前端设有一与激光打码机嵌入孔相匹配的楔形挑块，所述笔体顶部设有真空吸附凹槽，该真空吸附凹槽与楔形挑块的顶端斜面相连通，所述真空吸附凹槽中设有真空孔，该真空孔与笔...

本实用新型公开了一种清腔用电动花瓣状刷头，包括刷头基座，所述刷头基座中部设有旋转式刷体，外部设有沿刷头基座边缘设置、用于阻隔残留物外移的阻挡式刷体。本实用新型结构简单，操作方便，能够有效并及时的清理MOCVD设备的反应室腔壁及喷头表面的...

本发明公开了一种改善应力释放和载流子存储的发光二极管浅阱生长方法，在Si掺N型GaN层上生长由5～12个周期的InxGa1-XN(0.04

本发明提供了一种氮化镓基LED外延片及其生产方法，该外延片的结构自下而上依次为衬底、低温氮化镓缓冲层、非掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、多量子有源层、低温P型氮化镓层、P型铝镓氮层、高温P型氮化镓层和P型接触层，本发明还涉及前述...

本实用新型公开了一种石墨盘吸取装置，包括吸盘体，所述吸盘体包括盘形吸附腔及围绕在盘形吸附腔吸附面周围的石英吸紧条，所述盘形吸附腔的另一侧与抽真空管体相连通。本实用新型结构简单，制造方便，在操作时稳定性能较好，不易脱离石墨盘，能够有效避免...