一种清腔用电动花瓣状刷头制造技术

本实用新型专利技术公开了一种清腔用电动花瓣状刷头，包括刷头基座，所述刷头基座中部设有旋转式刷体，外部设有沿刷头基座边缘设置、用于阻隔残留物外移的阻挡式刷体。本实用新型专利技术结构简单，操作方便，能够有效并及时的清理MOCVD设备的反应室腔壁及喷头表面的残留物，确保外延片的生长质量不会因为残留物的未及时清理而受到影响。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种清洁工具，具体涉及一种用于清洁金属有机化合物气相外延沉积(MOCVD)设备中残留物的清腔刷头。
技术介绍
金属有机化合物气相外延沉积(Metal-OrganicChemical Vapor Deposition,简称M0CVD)，是20世纪60年代末期发展起来的利用金属有机化合物进行金属输运的一种化合物半导体单晶薄膜制造设备，该设备集精密机械、电子、半导体材料、计算机科学、光学、流体力学等诸多学科为一体，是一种自动化程度较高、技术集成度较高及价格较高的尖端电子专用设备，广泛应于半导体材料、高速电子器件等领域，目前其主要用于GaN系半导体材料的外延生长及蓝光、绿光、白光或紫外发光二极管芯片的制造，是光电子行业中最有发展前途的专用设备之一。该设备的生长系统一般包括原材料输运系统、反应室系统、尾气处理系统、控制系统及原位监测。反应室是MOCVD中比较复杂的系统，反应室的环境会直接影响到气流分布、温度分布及晶体生长的状态。连续多次外延生长后，反应室的腔壁及喷头等位置会有不同程度的反应残留物，而这些残留物如果不进行及时的清理或恰当的处理，最终会影响到外延片的生长质量，若采用普通的人工清理，不仅费时费力，而且存在无法彻底清除残留物、容易损坏反应室内部构件的缺陷。
技术实现思路
本技术的目的在于克服上述现有技术的不足，提供一种结构简单、操作方便、清洁效果好、用于清洁金属有机化合物气相外延沉积(MOCVD)设备中残留物的清腔用电动花瓣状刷头。一种清腔用电动花瓣状刷头，包括刷头基座，所述刷头基座中部设有旋转式刷体，外部设有沿刷头基座边缘设置、用于阻隔残留物外移的阻挡式刷体。所述旋转式刷体呈花朵形，花瓣处均设有硬质毛刷，花芯处设有带动硬质毛刷旋转的电动装置。所述阻挡式刷体采用软质毛刷所构成，其高度小于硬质毛刷0.l-10mm。所述阻挡式刷体后端连接有抽滤装置。所述旋转式刷体的花瓣处还开设有分布于硬质毛刷之间的气流孔。所述气流孔的直径为0.5_3mm。本技术结构简单，操作方便，能够有效并及时的清理MOCVD设备的反应室腔壁及喷头表面的残留物，确保外延片的生长质量不会因为残留物的未及时清理而受到影响。附图说明图1为本技术的结构示意图。具体实施方式以下结合具体实施例，对本专利技术做进一步说明。应理解，以下实施例仅用于说明本专利技术而非用于限制本专利技术的范围。实施例1参见图1，本技术提供的一种清腔用电动花瓣状刷头，包括刷头基座1，所述刷头基座I中部设有旋转式刷体2，外部设有沿刷头基座I边缘设置、用于阻隔残留物外移的阻挡式刷体3。在本实施例中，所述旋转式刷体2呈花朵形，花瓣处均设有硬质毛刷4，花芯处设有带动硬质毛刷4旋转的电动装置5 ;阻挡式刷体3采用软质毛刷所构成，其高度小于硬质毛刷0.1-lOmm，用于将硬质毛刷4下的残留物限制在刷头基座I内部，后端可以连接抽滤装置，将残留物及时抽走。实施例2本实施例与实施例1的不同之处在于:所述旋转式刷体2的花瓣处还开设有气流孔6，分布于硬质毛刷4之间，目的在于形成气体对流，可以更好的、及时的将刷毛刷掉的残痕物质抽滤走。气流孔6的直径在0.5-3mm之间时对流效果最佳。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种清腔用电动花瓣状刷头，其特征在于：包括刷头基座，所述刷头基座中部设有旋转式刷体，外部设有沿刷头基座边缘设置、用于阻隔残留物外移的阻挡式刷体。

【技术特征摘要】
1.一种清腔用电动花瓣状刷头，其特征在于:包括刷头基座，所述刷头基座中部设有旋转式刷体，外部设有沿刷头基座边缘设置、用于阻隔残留物外移的阻挡式刷体。2.根据权利要求1所述的一种清腔用电动花瓣状刷头，其特征在于:所述旋转式刷体呈花朵形，花瓣处均设有硬质毛刷，花芯处设有带动硬质毛刷旋转的电动装置。3.根据权利要求1或2所述的一种清腔用电动花瓣状刷头，其特征在于:所述阻挡式刷体采...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭丽彬，
申请(专利权)人：合肥彩虹蓝光科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：