一种半导体光敏器件，包括：半导体层；光敏区场氧化层，暴露出至少部分的光敏区；减反射层，覆盖光敏区、场氧化层的表面和侧壁；刻蚀停止层，位于减反射层上，暴露出减反射层位于光敏区上方的至少部分，刻蚀停止层包括第一部分和围绕第一部分的第二部分，...

本申请公开了一种半导体光敏器件，包括：半导体层；光敏区，暴露于所述半导体层的第一表面；场氧化层，位于所述半导体层的第一表面，且暴露出至少部分的所述光敏区；减反射层，位于所述半导体层的第一表面，覆盖所述光敏区、所述场氧化层的表面和侧壁；刻...

公开了一种半导体晶圆以及管芯，半导体晶圆包括多个管芯，每个管芯包括：第一腔体；功能单元，位于第一腔体内；电极结构，位于第一腔体外并且通过布线与功能单元连接；开口，暴露出电极结构；以及键合结构；其中，键合结构包括：第一部分，第一部分为环状...

本实用新型提供了一种二极管，包括：基底，所述基底中形成有多个沟槽；多晶硅层，填充于所述沟槽中；离子掺杂区，位于所述多晶硅层和所述基底中，且所述基底中的离子掺杂区随形包围所述多晶硅层，各个所述沟槽的顶部之间的离子掺杂区相互连接；所述离子掺...

公开了一种半导体晶圆，包括多个管芯，每个管芯包括：密封腔体；功能单元，位于密封腔体内；电极结构，位于密封腔体外并且通过布线与功能单元连接；以及开口，暴露出电极结构；在第一方向以及与第一方向垂直的第二方向上，多个管芯均呈直线阵列排布，在第...

公开了一种快恢复二极管，包括：衬底，衬底具有第一掺杂类型；位于衬底上的外延层，外延层具有第一掺杂类型；位于外延层中的彼此隔离的第一阱区、第二阱区以及第三阱区，第一阱区、第二阱区以及第三阱区从外延层的表面向衬底的方向延伸，第一阱区和第二阱...

公开了一种半导体结构及集成电路，半导体结构包括衬底，衬底具有第一掺杂类型；位于衬底上的外延层，外延层具有第一掺杂类型；位于外延层中的基区以及发射区，发射区与基区接触，发射区具有第一掺杂类型，基区具有第二掺杂类型，第一掺杂类型和第二掺杂类...

公开了一种半导体器件，包括：衬底，具有相对的第一表面和第二表面；外延层，位于所述衬底上；金属结构，贯穿所述外延层并延伸至所述衬底内；其中，所述金属结构包括阵列排列的沟槽单元，每个所述沟槽单元的形状相同，所述沟槽单元之间的外延层的形状相同...

公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：碳化硅衬底，具有第一掺杂类型；位于碳化硅衬底上的外延层，具有第一掺杂类型；位于外延层中的掺杂柱区，具有第二掺杂类型，第一掺杂类型和第二掺杂类型相反；其中，掺杂柱区通过沿选定的晶向方向进...

公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：碳化硅衬底，所述碳化硅衬底具有第一掺杂类型；位于碳化硅衬底上的外延层，所述外延层具有第一掺杂类型；位于所述外延层中的掺杂柱区，所述掺杂柱区具有第二掺杂类型，所述第一掺杂类型和所述第二掺...

本申请公开了一种晶体管及其制作方法，所述晶体管包括：外延结构；具有衬底以及位于所述衬底表面上的外延层，所述外延层包括依次形成在所述衬底上的成核层、缓冲层、沟道层、插入层、势垒层、间隔层、非故意掺杂层以及P型层；在平行于所述外延层的方向上...

公开了一种碳化硅VDMOS器件及其制备方法，包括：衬底，具有第一掺杂类型；外延层，具有第一掺杂类型，位于所述衬底上；体区，具有第二掺杂类型，位于所述外延层中，所述第一掺杂类型和所述第二掺杂类型相反；源区，具有第一掺杂类型，位于所述体区内...

公开了一种瞬间电压抑制器件，包括：半导体衬底；第一埋层，位于半导体衬底上；第一外延层，位于第一埋层上；多个隔离结构，贯穿第一外延层并延伸至半导体衬底中，多个隔离结构将瞬间电压抑制器在横向方向上分为多个区域，多个区域包括稳压区域和至少一组...

公开了一种二极管，包括：衬底，所述衬底具有第一掺杂类型；位于衬底上的外延层，所述外延层具有第一掺杂类型；位于所述外延层表面的第一掺杂区，所述第一掺杂区具有第二掺杂类型，所述第一掺杂类型和所述第二掺杂类型的极性相反；位于外延层上的介质层；...

公开了一种半导体结构及其制造方法、集成电路及其制造方法，半导体结构包括：衬底，衬底具有第一掺杂类型；位于衬底上的外延层，外延层具有第二掺杂类型，第一掺杂类型和第二掺杂类型相反；位于外延层中的基区、发射区以及集电区，其中，基区和集电区彼此...

本发明提供了一种双向瞬态电压抑制保护器件及其制造方法，所述双向瞬态电压抑制保护器件包括：衬底，具有第一导电类型；外延层，位于所述衬底上，所述外延层具有第二导电类型；MOS晶体管，包含栅极结构、源极区和漏极区，所述栅极结构位于所述外延层上...

本实用新型提供了一种瞬态电压抑制保护器件，包括：衬底，具有第一导电类型；外延层，形成于衬底上，外延层具有第二导电类型，外延层与衬底构成二极管；第一重掺杂区，形成于衬底的底部，第一重掺杂区具有第二导电类型，使得第一重掺杂区、衬底与外延层构...

公开了一种瞬间电压抑制器件及其制造方法，包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的隔离层和外延层；多个隔离结构，贯穿外延层并延伸至隔离层中，将器件在横向方向上分为第一区域、第二区域和第三区域；多个第一沟槽结构，位于第一区域和第三区域中，贯穿外...

公开了一种惯性传感器及其制备方法，方法包括：在第一衬底上形成第一介质层以及第一导电层；在第一导电层中形成第一开口以暴露出部分第一介质层的表面；在第一导电层上形成保护层，保护层覆盖部分第一导电层、第一开口的侧壁及第一开口暴露的第一介质层的...

公开了一种VDMOS管芯的单脉冲雪崩击穿能量的测量电路，包括：从第一测试端到第二测试端依次连接的直流电源和储能元件；第一VDMOS管芯，第一VDMOS管芯连接于储能元件和第二测试端之间；第二VDMOS管芯，第二VDMOS管芯的源极和漏极...