本申请公开了功率半导体器件。所述功率半导体器件包括：位于半导体衬底的第一表面上的外延层，半导体衬底的第一表面附近具有第一掺杂浓度且第二表面附近具有第三掺杂浓度，第二表面与第一表面彼此相对，外延层具有第二掺杂浓度；位于半导体衬底和外延层之...

本申请公开了功率半导体器件及其制造方法。该方法包括：在半导体衬底中形成多个沟槽，所述多个沟槽包括第一尺寸的第一沟槽和第二尺寸的第二沟槽，所述第一尺寸大于所述第二尺寸；在所述第一沟槽中形成分裂栅结构；在所述第二沟槽中形成栅极布线，所述栅极...

本申请公开了功率半导体器件及其制造方法。该方法包括：在半导体衬底中形成多个沟槽；在第一沟槽和第二沟槽中形成分裂栅结构；在第三沟槽中形成屏蔽布线；在所述半导体衬底中体区；在所述体区中形成源区；以及形成分别与所述源区、源极导体和屏蔽布线电连...

本申请公开了功率半导体器件及其制造方法。该方法包括：在多个沟槽的侧壁和底部上形成绝缘叠层，所述绝缘叠层包括第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层围绕所述第二绝缘层；形成填充所述沟槽底部的隔离层；在所述隔离层上方形成填充所述多个沟槽的屏蔽...

本申请公开了功率半导体器件及其制造方法。该方法包括：在半导体衬底中形成多个沟槽，所述多个沟槽包括分别位于所述半导体衬底的第一区域至第三区域的第一至第三沟槽；在所述第一沟槽和所述第二沟槽中形成分裂栅结构；在所述第三沟槽中形成屏蔽布线；在所...

本申请公开了功率半导体器件及其制造方法。该方法包括：在多个沟槽的侧壁和底部上形成绝缘叠层，所述绝缘叠层包括第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层围绕所述第二绝缘层；在所述多个沟槽中填充屏蔽导体；在所述多个沟槽的上部形成位于所述屏蔽导体两...

公开了半导体器件及其制造方法。所述半导体器件的制造方法包括：在半导体衬底的第一表面形成阱区，半导体衬底和阱区分别为彼此相反的第一掺杂类型和第二掺杂类型；在阱区上形成栅介质层；在栅介质层上形成栅导体层；在阱区中形成第二掺杂类型的基区；在基...

本实用新型揭示了一种半导体结构。本实用新型提供的半导体结构，包括：前端结构，所述前端结构具有前端标记；位于所述前端结构上的介质层；位于所述介质层中的通孔，所述通孔暴露出所述前端标记。由此对厚介质层露出前端标记，实现正常光刻对位，消除厚介...

本申请公开了功率半导体器件及其制造方法。所述方法包括：在半导体衬底的第一表面上形成外延层，半导体衬底和外延层均为第一掺杂类型且分别具有第一掺杂浓度和第二掺杂浓度；在外延层上形成栅叠层，栅叠层包括栅介质层和栅极导体，栅介质层夹在栅极导体和...

本实用新型提供一种单向低电容TVS器件，通过半导体集成工艺形成单向低电容TVS器件由此可以提高单向低电容TVS器件的可靠性，降低单向低电容TVS器件的体积。进一步的，在单向低电容TVS器件中形成了第一普通二极管、第二普通二极管、第三普通...

本发明揭示了一种阶梯结构的制造方法。本发明提供的一种阶梯结构的制造方法，包括提供一前端结构；刻蚀所述前端结构形成两个台阶；在所述两个台阶上形成遮蔽层；在所述遮蔽层上形成光刻胶层，并在光刻胶层中形成位于一个台阶上方的开口；自所述开口刻蚀所...

本实用新型揭示了一种晶圆保护装置，包括一壳体，所述壳体内形成一晶圆放置腔，所述壳体具有一开口，所述开口用于向所述晶圆放置腔内取放晶圆，所述壳体上还设置有至少一气体通道，所述气体通道用于向所述晶圆放置腔内通入保护气体。在本实用新型中，当对...

本实用新型提供了一种双极PNP晶体管，包括：衬底；形成于所述衬底上的外延层；形成于所述外延层中的深磷区、基区、集电区和发射区；形成于所述外延层上的第一层间介质层和电压调变介质层；形成于所述第一层间介质层和电压调变介质层上的第一互连线；形...

本实用新型提供的外延温度测试监控结构，包括:一半导体衬底；监控窗口，由所述半导体衬底的表面形成，所述监控窗口具有特征尺寸大小分别相等的第二开口和用于间隔所述第二开口的第二间距区，所述第二间距区与所述第二开口的表面具有台阶差；测试结构，采...

本实用新型揭示了一种肖特基二极管，包括：半导体衬底；外延层，位于所述半导体衬底的一侧；保护环，位于背离所述半导体衬底一侧的所述外延层中；凹槽，位于所述外延层背离所述半导体衬底一侧的表面，所述保护环包围所述凹槽，并与所述凹槽通过所述外延层...

本实用新型提供了一种双极NPN晶体管，包括：衬底；形成于衬底上的外延层；形成于外延层中的集电区、淡基区、浓基区和发射区；形成于外延层上的第一层间介质层和电压调变介质层；形成于第一层间介质层和电压调变介质层上的第一互连线；形成于第一层间介...

本实用新型提供一种单向低电容TVS器件，通过第一支路与第二支路并联，所述第一支路一端接第一电源、另一端接地，所述第一支路包括至少两个第一普通二极管及一个稳压二极管串联而成，所述第二支路一端接第一电源、另一端接地，所述第二支路包括至少一个...

本申请公开了快恢复二极管。所述快恢复二极管包括：阴极，所述阴极包括场截止层和与所述场截止层接触的第一接触区；阴极；位于所述阴极上的漂移区；位于所述漂移区上的缓冲层；位于所述缓冲层中的阳极；从所述阳极经由所述缓冲层延伸至所述漂移区的至少一...

公开了功率半导体器件。所述功率半导体器件包括位于沟槽中的分离栅结构。所述分离栅结构包括彼此隔开的第一栅极导体、第二栅极导体和第三栅极导体，所述第一栅极导体的第一部分位于所述沟槽的上部并且夹在所述第二栅极导体和所述第三栅极导体之间，所述第...

公开了一种匀胶显影设备异常监控系统，该监控系统包括：依次连接的传感器、主控装置以及提示装置，所述传感器用于将工作条件的异常转化为输入信号，所述主控装置包括：传感信号传递模块；微处理器，通过所述传感信号传递模块与所述传感器连接，所述输入信...