本申请公开了MEMS结构及其制造方法。所述方法包括：在半导体衬底中形成空腔；在所述半导体衬底的第一表面形成封闭所述空腔的敏感膜片；在所述空腔的内壁形成停止层；在所述半导体衬底的第二表面形成到达所述停止层的通道，所述第二表面与所述第一表面...

本申请公开了MEMS结构及其制造方法。所述方法包括：在半导体衬底中形成空腔；在所述空腔上形成敏感膜片；以及在所述敏感膜片中形成多个敏感电阻；其中，所述敏感膜片包括岛状部以及围绕所述岛状部的连接部，所述岛状部的厚度大于所述连接部的厚度，并...

本申请公开了一种MEMS器件及其制造方法。该制造方法包括：形成CMOS电路；以及在CMOS电路上形成MEMS模块，CMOS电路与MEMS模块连接，用于驱动MEMS模块，其中，形成MEMS模块的步骤包括：形成保护层；在保护层中形成牺牲层；...

本申请公开了一种MEMS器件及其制造方法。该制造方法包括在第一衬底上形成牺牲层；在牺牲层上形成质量块；去除部分质量块形成第一凹槽；经由第一凹槽去除部分牺牲层形成到达第一衬底的表面的空腔；在质量块上形成第一键合区；形成保护膜，保护膜覆盖第...

本申请公开了一种计算半导体器件的温度值与时间值关系的方法和装置，该方法包括：获取半导体器件的参数；根据参数获得至少一组时间值；根据参数获得半导体器件的瞬态热阻抗的表达式；以及根据参数、瞬态热阻抗的表达式以及时间值获得相应的半导体器件的温...

本实用新型提供一种芯片抓取结构及芯片加工设备。该芯片抓取结构包括用于抓取所述芯片的本体以及向所述芯片的表面喷射流体的流体喷口，所述流体喷口设置有多个，多个所述流体喷口沿所述本体的周向分布。本实用新型提供的芯片抓取结构在本体的周围设置有流...

本申请公开了一种氮化镓晶体管。该氮化镓晶体管包括：衬底；氮化镓层，位于所述衬底上；势垒层，位于所述氮化镓层上；至少一个第二复合叠层，位于所述势垒层上；以及栅极电极、源极电极与漏极电极，位于所述势垒层上，并且所述栅极电极位于所述源极电极和...

本申请公开了一种地磁传感器件及其制造方法，该地磁传感器件包括：CMOS电路；以及传感器，位于在CMOS电路上，CMOS电路与传感器连接，用于驱动传感器和处理传感器产生的检测信号，其中，传感器包括：结构层；依次在结构层上形成的磁阻条、短路...

本实用新型提供一种吸盘安装结构及芯片抓取结构。吸盘安装结构用于将吸盘安装于基体上，安装结构包括调节件和安装部，吸盘通过安装部与基体相连，调节件与安装部连接，且调节件抵靠在基体上，或者，调节件与基体连接，且调节件抵靠在安装部上，调节件通过...

本申请公开了一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底；栅叠层，位于所述衬底上方；停止层，共形地覆盖所述栅叠层；位于所述半导体衬底中的轻掺杂漏区、源漏区，其中，所述轻掺杂漏区位于所述栅叠层和所述漏区之间，并且所述轻掺杂漏区的掺杂浓度小于所述...

公开了一种MEMS器件，其中，包括：衬底，衬底具有第一空腔；第一牺牲层，位于衬底上；第一振膜层，位于第一牺牲层上，第一振膜层的至少一部分由第一牺牲层支撑；第二牺牲层，位于第一振膜层上；背极板层，位于第二牺牲层上，所述背极板层的至少一部分...

公开了一种MEMS器件，其中，包括具有第一空腔的衬底；第一牺牲层，位于衬底上；第一背极板层，位于第一牺牲层上，第一背极板层的至少一部分由第一牺牲层支撑；第二牺牲层，位于第一背极板层上；振膜层，位于第二牺牲层上，振膜层的至少一部分由第二牺...

公开了一种单向低电容TVS器件，包括：第一导电类型衬底；位于其上的第一导电类型外延层；位于其中的第一导电类型埋层、第二导电类型埋层；位于第一导电类型外延层上的第二导电类型外延层、贯穿第二导电类型外延层得多个隔离结构形成第一区域及第二区域...

本申请公开了一种氮化镓晶体管及其制造方法。该氮化镓晶体管包括：衬底；氮化镓层，位于所述衬底上；势垒层，位于所述氮化镓层上；至少一个第二复合叠层，位于所述势垒层上；以及栅极电极、源极电极与漏极电极，位于所述势垒层上，并且所述栅极电极位于所...

公开了一种双向低电容TVS器件，包括：第一导电类型衬底；位于其上的第一导电类型外延层；位于其中的第一导电类型埋层、第二导电类型埋层；位于第一导电类型外延层上的第二导电类型外延层、贯穿第二导电类型外延层的多个隔离结构形成第一区域和第二区域...

公开了一种单向低电容TVS器件，通过半导体集成工艺形成单向低电容TVS器件由此可以提高单向低电容TVS器件的可靠性，降低单向低电容TVS器件的体积。进一步地，在单向低电容TVS器件中形成了第一三极管、第二三极管、普通二极管和稳压二极管，...

本申请公开了一种MEMS组件。所述组件包括：传感器芯片，包括位于其第一表面上的第一键合层，以及穿透所述传感器芯片的开口；以及器件芯片，包括位于其第一表面上的第二键合层和焊盘，所述第一键合层与所述第二键合层彼此接触且键合，所述开口暴露所述...

本实用新型公开了一种磨床高度规校准工具及磨床，所述磨床包括主轴，在所述主轴的端部设置有装刀台，在所述装刀台的下侧设置有砂轮，所述砂轮通过紧固件固定在所述装刀台上，所述校准工具包括校准部和与所述校准部相连接的固定部，所述固定部能够通过所述...

公开了一种MEMS器件，其中，包括具有第一空腔的衬底；第一牺牲层，位于衬底上；第一背极板层，位于第一牺牲层上，第一背极板层的至少一部分由第一牺牲层支撑；第二牺牲层，位于第一背极板层上；振膜层，位于第二牺牲层上，振膜层的至少一部分由第二牺...

公开了一种MEMS器件，其中，包括：衬底，衬底具有第一空腔；第一牺牲层，位于衬底上；第一振膜层，位于第一牺牲层上，第一振膜层的至少一部分由第一牺牲层支撑；第二牺牲层，位于第一振膜层上；背极板层，位于第二牺牲层上，所述背极板层的至少一部分...