电子部件（1）和包括一个或多个这样的部件（1）的电子设备（100）。电子部件（1）包括布置在柔性衬底（3）上的层的堆叠（4）。所述堆叠包括电活性部分（4a）和用以保护电活性部分免于划伤和磨损的保护层（11）。所述电活性部分包括底部电极层...

在制造铁电存储器件的方法中，该存储器件包括夹在第一和第二组电极之间的存储层，该存储层以及这两组电极都采用适当的印刷方法在该存储器件中实现。

一种方法，用于使终端用户（５）较为有效地访问并使用由全球信息供应商５（４）提供的信息，其中所述信息由动态数据、准静态数据、静态数据或其混合组成，包括静态数据库、影片、音乐、文本等，对于终端用户的利用，原则上仅需要将其从全球信息供应商（４...

在一种用于功能元件（７）寻址的电极部件中，有在第一电极（１）和第二电极（２）之间设置的电绝缘材料层（４），以使在没有直接物理或电接触的情况下电极（１，２）相互交叉，形成桥结构。在两个电极（１，２）上，设有导电或半导体材料的接触层（１０）...

一种用于数据记录、存储和／或处理的电可寻址无源器件，包含一种如层状连续的或图形的结构（Ｓ）形式的可以产生物理或化学状态变化的功能媒质（１），功能媒质（１）由互相独立的可寻址单元（２）组成，其代表一个被记录的或被检测的值或是赋予单元的一个...

在采用无源或电寻址的用于处理和／或存储数据的一种铁电体数据处理器件中，使用了铁电材料薄膜（１）形状的一个数据载体，在施加电场时所说铁电材料薄膜极化到预定极化状态或者在这些状态之间转换，该薄膜以连续层形式设置在矩阵结构的电极结构之中或与它...

一种只读存储器形成为可在无源导体矩阵上电寻址，其中矩阵中两导体（２，４）间的空间限定一个存储单元（５）。数据在存储单元中存储为阻抗值。存储单元（５）包括提供高阻抗的隔离材料（６）或一个或多个较好是具有各向异性导电特性的无机或有机半导体（...

一种只读存储器形成为可在无源导体矩阵上电寻址，其中矩阵中两导体（２，４）间的空间限定一个存储单元（５）。数据在存储单元中存储为阻抗值。存储单元（５）包括提供高阻抗的隔离材料（６）或一个或多个较好是具有各向异性导电特性的无机或有机半导体（...

一种场效应晶体管由垂直设置的电极（２，４，５）和绝缘体（３）构成，以便至少电极（４，５）和绝缘体（３）形成相对于第一电极（２）或衬底（１）垂直取向的台阶（６）。在形成为结型场效应晶体管（ＪＦＥＴ）或金属氧化物半导体场效应晶体管（ＭＳＦＥ...

在一种在复合基体中产生二维或三维导电或半导电结构的方法中，其中的基体是由两种或多种空间上隔开的材料构成的，一电场施加到各个材料上，或者电场是根据一协议而空间场调制的，上述协议代表使上述材料结构响应于所述电场所产生的预定导电或半导电结构的...

在基体中制作导电或半导电三维结构的方法中，其中基体包括两种和多种处于空间隔离材料结构中的材料，每种材料结构都受到与材料响应相配合的具有给定强度和／或频率特性的辐射的照射，辐射根据在相关材料结构中表示导电或半导电结构的预定图案的协议受到调...

一种可调节的集成数据处理设备，确切地说是一种微计算机，它包含具有一个或更多个处理器的处理单元和具有一个或更多个存储器的存储单元，数据处理设备被提供在载体衬底（Ｓ）上，并包含相互邻近的基本上平行的彼此层叠的层（Ｐ、Ｍ、ＭＰ），处理单元和存...

集成有机／无机互补薄膜晶体管电路包含工作中连接的公共衬底上的第一和第二晶体管，其中的第一晶体管是无机薄膜晶体管，而第二晶体管是有机薄膜晶体管。无机薄膜晶体管是ｎ沟道晶体管，而有机薄膜晶体管是ｐ沟道晶体管，反之亦然。各个晶体管具有分隔的栅...

一种数据存储和处理装置，包括衬底上的ＲＯＭ和／或ＷＯＲＭ和／或ＲＥＷＲＩＴＡＢＬＥ存储模块和／或处理模块。存储和／或处理模块作为单个主层或多个主层提供在衬底上面。该装置包括使该装置工作的晶体管和／或二极管形式的有源元件。在一组实施例中，...

在一种可伸缩的数据处理设备中，具体地说，在一种数据存储设备中，构成一基本上为平面层的一个或多个薄层器件包括多个薄膜子层。两个或多个薄膜器件设置成由构成上述薄膜器件的基本上为平面的层所形成的成整体的叠置体，因此，所述设备构成了一叠置结构。...

在制造包含由电极与半导体有机材料相接触组成的电极排列的有机薄膜半导体器件的方法中，电极排列中的阳极被制作成两层结构，其中第一层是沉积在衬底上的导电或半导体材料或二者的组合，第二层是功函数高于第一层中材料的功函数的导电聚合物。在阳极顶上沉...

在具有至少两个叠置层的存储器和／或数据处理器件中，该叠置层由衬底支撑或形成夹层的自支撑结构，其中所述层包括具有层间的相互连接和／或相互连接到衬底中的电路的存储器和／或处理电路，各层相互关联设置，使邻接层在器件的至少一个边缘形成交错结构，...

一种铁电存储电路（Ｃ）包括铁电聚合物薄膜（Ｆ）形式的铁电存储单元以及在其相对表面分别接触所述铁电存储单元（Ｆ）的第一和第二电极（Ｅ＃－［１］、Ｅ＃－［２］），由此单元的极化状态可通过向电极（Ｅ＃－［１］、Ｅ＃－［２］）施加适当电压来设置...

在一种电极装置中，该电极装置包括在各层中具有电极（ε）的第一和第二薄膜电极层（Ｌ１，Ｌ２），该电极为平行条状形式的电导体，提供仅由电绝缘材料的薄膜（６）分开的电极（ε），电绝缘材料的薄膜的厚度最多为电极宽度的一部分并且至少沿其侧边延伸并...

在铁电或驻极体存储电路（Ｃ）中，特别是在具有改进了的抗疲劳性的铁电或驻极体存储电路中，优选是聚合物或低聚物存储材料的铁电或驻极体存储单元接触第一和第二电极，至少其中一个电极包含至少一种功能性材料，此功能性材料能够物理和／或化学体结合包含...