一种可矩阵寻址光电设备包括一种以光电活性材料（３）形式的功能介质，所述活性材料提供在第一和第二电极装置（ＥＭ１，ＥＭ２）之间夹层结构的全局层上，第一和第二电极装置具有平行条形电极（１；２），其中第二电极装置（ＥＭ２）的电极（２）与第一电...

在包括带有排列在无源矩阵可寻址阵列中的可多向切换的存储单元（５）的一个或多个存储装置的矩阵可寻址设备中，存储单元包括采取铁电或驻极体薄膜存储材料形式的存储介质，所述存储材料可以被所施加的电场极化并呈现滞后特性，存储材料最好是聚合物或共聚...

在铁电体或驻极体容量式存储器器件中，具有夹在第一和第二平行条状电极的第一和第二电极层（２；４）之间提供的一存储器材料，该电极形成一矩阵可寻址存储器阵列（Ｍ）的字线（２）和位线（４）。存储器单元限定在相交字线（２）和位线（４）之间的存储器...

一种制造具有超短槽长的晶体管的方法，其可以由依照合适的设计规则限制电极尺寸的现有技术分别完成源极、漏极和栅极的沉积，但是可以在下面的工序中按期望调整这些电极的各第二电极的尺寸。在源极和漏极之间形成槽的区域，而不受任何设计规则的限制，这就...

本发明包括一个或多个半导体材料层（１）、两个或两个以上电极层以及在两个或两个以上电极层中接触电极（２，６，１０）的存储材料（１１）。至少一个半导体材料层与两个电极层形成晶体管结构，使得第一电极层的电极形成源／漏电极对，第二电极层的电极形...

一数据存储装置，其包括用于分别在写和读操作中存储和恢复数据的装置，并且提供有第一和第二组寻址电极，后面一组具有优选的垂直于第一组的电极定向的电极，且提供第二组的电极（ｂ，ｃ）为位于第一组的电极的平行凹槽或沟槽（３）中的平行双电极。所述沟...

在包括致密排列的平行电极（ε↓［１］，ε↓［２］）的电极装置（Ｅ）中用于制作高宽高比的电极的方法中，以重复执行的连续加工步骤序列制作该电极，该连续的加工步骤序列在每个构图步骤中使用仅仅一个和同一光掩模，重复该序列数次就能形成具有需要的宽...

在包含多个堆叠的矩阵可寻址存储器件（Ｍ）的立体数据存储装置中，提供电极部件（Ｅ），以便交替形成存储器件的字线和位线部件（ＷＬ；ＢＬ），因而电极部件的数量比存储器件的数量只多一。此外，邻接电极部件（Ｅ↓［ｋ］，Ｅ↓［ｋ＋１］）以这样的方式...

在一种在铁电存储器件中用于制造铁电单元的方法中，在硅衬底上形成包括至少一个金属层和可选的至少一个金属氧化物层的第一电极，该衬底可选地为二氧化硅绝缘层。在第一电极层的顶部形成由铁电聚合物薄膜组成的铁电层，并且至少在铁电层上形成包括至少一个...

有机电子设备，包括夹在电极之间的一种或多种电活性有机或聚合物材料。此类装置中的关键是电极和聚合物之间的界面，在那里可能形成对装置适当地发挥功能有害的降解或化学反应产物。这一点通过引入由一种或多种材料组成的功能性中间层来解决，所述一种或多...

在有机电子电路（Ｃ）中，具体地说是具有有机铁电体或永电体材料（２）的存储电路，活性材料包括氟原子并由各种有机材料组成。活性材料位于第一电极和第二电极之间。具有类似电容器结构的单元定义在活性材料中，并可通过第一和第二电极被访问进行寻址操作...

在有机电子电路，具体地说是存储电路中，提供一种电通路连接和关联的接触部件，与包含各种有机化合物的活性有机介电材料层对接。通路连接是提供在延伸过活性介电材料的通路开口中，并与其两侧的第一和第二电接触部件连接。第二接触部件包含直接沉积在活性...

在有机电子电路（Ｃ）中，具体地说是具有有机铁电体或永电体材料（２）的存储电路，活性材料包括氟原子并由各种有机材料组成。活性材料位于第一和第二电极组之间，第一和第二电极组分别构成器件的底部电极和顶部电极（１ａ；１ｂ）。具有类似电容器结构的...

在用于形成偏二氟乙烯低聚物或偏二氟乙烯共聚低聚物的铁电薄膜的方法中，低聚物材料在真空室中蒸发并作为薄膜沉积在冷却到由已沉积ＶＤＦ低聚物或共聚低聚物薄膜的工艺参数和物理性质所确定原料ＶＤＦ的基底上。在用于制造铁电存储单元或铁电存储装置的本...

在多稳态光学逻辑单元中，具有光敏有机材料（１），其通过用光辐射能够进行具有几个物理状态的光致循环，其中物理状态被指定为能够通过光学寻址单元而改变的逻辑值，寻址开始之前的单元处于预先产生的亚稳态。通过提供至少彩色光源（１）用于光学寻址和至...

一种用来在包含一个或多个集体元件的器件中提供寻址能力的装置，集体元件与所述装置一起组成器件中矩阵的一部分，且其中的集体元件包含一个或多个具有数据存储或处理功能的单元，所述装置利用矩阵中的电极而建立到特定单元的电连接，从而确定集体元件中的...

在一种驱动无源矩阵显示器或存储器存储单元的阵列的方法中，存储单元包括一种可电气地极化的、展示滞后的材料，更具体地说，包括一种铁电体材料，其中，通过把电位或电压施加到矩阵或阵列中的字或位线上，可以把各存储单元的极化状态加以变换，对一个被选...

一种方法，该方法用于在无源矩阵寻址的、包含呈现极化剩磁的电可极化材料特别是驻极体或者铁电材料的存储器阵列存储单元中执行读写操作，其中存储于存储单元内的逻辑值由在该存储单元中的实际极化状态来表示，在每个读写周期中，将该可极化材料中的极化程...

用于读出存储在无源矩阵存储器中的数据的读出装置（１０），该无源矩阵存储器包括铁电电容形式的存储单元，读出装置（１０）包括检测电流响应的积分电路（１１）以及存储和比较两次连续读出值的部件（１６，１７，１８），两次连续读出值之一为参考值。在...

在一种包括展示出磁滞现象的电子可极化介电存储材料（１２）的非易失性无源矩阵存储器件（１０）中，第一组和第二组（１４；１５）寻址电极构成存储器件的字线（ＷＬ）和位线（ＢＬ）。存储单元（１３）被限定在字线（ＷＬ）和位线（ＢＬ）之间的重叠处的...