包括布置在柔性衬底上的堆叠层的电子部件中的短路减少制造技术

电子部件（1）和包括一个或多个这样的部件（1）的电子设备（100）。电子部件（1）包括布置在柔性衬底（3）上的层的堆叠（4）。所述堆叠包括电活性部分（4a）和用以保护电活性部分免于划伤和磨损的保护层（11）。所述电活性部分包括底部电极层（5）和顶部电极层（9）以及位于所述电极之间的至少一个绝缘或半绝缘层（7）。该堆叠还包括布置在顶部电极层（9）和保护层（11）之间的缓冲层（13）。缓冲层（13）适于至少部分地吸收发生在保护层（11）内的横向尺寸改变（ΔL）并且因此防止所述尺寸改变（ΔL）转移到电活性部分（4a），因此减少了发生在电极之间的短路风险。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包括布置在柔性衬底上的堆叠层的电子部件中的短路减少
本专利技术一般涉及包括布置在柔性衬底上的堆叠层的电子部件，其中所述堆叠包括电活性部分和用于保护电活性保护部分免于划伤和磨损的保护层，并且其中所述电活性部分包括底部电极层和顶部电极层和至少一个分离所述电极的绝缘或半绝缘层。
技术介绍
传统上，电子部件典型地提供在刚性的衬底上，诸如硅。然而，电子学也日益使用在非传统的应用领域中并且用于产生电子的新技术出现，这里使用柔性衬底是期望的或甚至要求的。例如，这是印刷电子学的例子，这里从制造、应用领域和/或成本角度方面考虑，使用柔性衬底可能是期望的或甚至要求的。在非常简单的成分的情况下，印刷电子学可代替传统的电子学，其通过印刷技术可被较便宜地实现；然而，目标通常是传统的电子学因为技术和成本的原因并不合适的新应用领域。印刷电子学的应用涉及，例如，信息可在其中被存储的标签和标识。在这样的应用中，并且原则上在任何电子装置中，存储成分的有效性是决定性的。本 申请人:提供可通过印刷过程实现的存储技术，例如在W02006/135246中描述的。存储器基于铁电材料作为存储物质，特别是铁电聚合物材料。这本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子部件（1），包括布置在柔性衬底（3）上的层的堆叠（4），其中所述堆叠包括电活性部分（4a）和用以保护所述电活性部分免于划伤和磨损的保护层（11），其中所述电活性部分包括底部电极层（5）和顶部电极层（9）以及在所述电极之间的至少一个绝缘或半绝缘层（7），其中所述堆叠还包括布置在所述顶部电极层（9）和所述保护层（11）之间的缓冲层（13），所述缓冲层（13）适于至少部分地吸收发生在所述保护层（11）中的横向尺寸改变（ΔL）并且由此防止所述尺寸改变（ΔL）被转移到所述电活性部分（4a），其中所述缓冲层（13）至少部分地由密合材料形成并且具有这样的层厚度（H），使得当所述保护层的所述横向尺寸改...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.06.27 EP PCT/EP2011/060740;2011.06.27 SE 1151.一种电子部件(1)，包括布置在柔性衬底(3)上的层的堆叠(4)，其中所述堆叠包括电活性部分(4a)和用以保护所述电活性部分免于划伤和磨损的保护层(11)，其中所述电活性部分包括底部电极层(5)和顶部电极层(9)以及在所述电极之间的至少一个绝缘或半绝缘层(7)，其中所述堆叠还包括布置在所述顶部电极层(9)和所述保护层(11)之间的缓冲层(13)，所述缓冲层(13)适于至少部分地吸收发生在所述保护层(11)中的横向尺寸改变(AL)并且由此防止所述尺寸改变(AL)被转移到所述电活性部分(4a)，其中所述缓冲层(13)至少部分地由密合材料形成并且具有这样的层厚度(H)，使得当所述保护层的所述横向尺寸改变(△ L)导致所述缓冲层(13 )的面对所述保护层(11)的顶部部分(13a)中的横向尺寸变形时，在上部部分(13a)中的所述横向尺寸变形导致在面对所述电活性部分(4a)的底部部分(13b)中的实质上较少的横向尺寸变形，由此，所述缓冲层(13)适于至少部分地吸收所述横向尺寸改变(AL),所述顶部部分和所述底部部分之间的横向变形的不同对应于吸收的横向尺寸改变。2.根据权利要求1所述的电子部件，其中至少部分地吸收所述横向尺寸改变包括吸收所述横向尺寸改变至少99%、或至少95%、或至少90%、或至少80%、或至少50%、或至少30%。3.根据权利要求1所述的电子部件，其中在所述上部部分中的所述横向尺寸变形实质上完全是弹性变形。4.根据权利要求1-3中任一项所述的电子部件，其中所述缓冲层包括具有低于30摄氏度或优选低于25摄氏度的玻璃化温度Tg的材料。5.根据权利要求4所述的电子部件，其中所述材料是包括具有低于30摄氏度或优选低于25摄氏度的玻璃化温度Tg的至少一种材料成分的杂化材料。6.根据权利要求5所述的电子部件，其中所述至少一种材料成分组成所述杂化材料的至少50%、所述杂化材料的至少80%或至少90%。7.根据权利要求4-6中任一项所述的电子部件，其中所述缓冲层包括具有高于-130摄氏度或优选高于-90摄氏度的玻璃化温度Tg的材料。8.根据权利要求1-7中任一项所述的电子部件(I)，其中所述缓冲层(13)包括选自以下项中的任一种的材料或两种或多于两种材料的混合:硅橡胶、天然橡胶、聚丙二醇、聚醋酸乙烯酯和丙烯酸酯基树脂。9.根据权利要求1-8中任一项所述的电子部件，其中所述缓冲层(13)具有1-40微米范围的厚度。10.根据权利要求1-9中任一项所述的电子部件(1)，其中所述电子部件(I)包括铁电存储单元并且所述绝缘或半绝缘层是铁电存储材料层，优选是有机的铁电存储材料，诸如聚合物的铁电存储材料。11.根据权利要求1-10中任一项所述的电子部件，其中，通过硬化所述保护层或通过所述电子部件的操作温度范围中的温度差能够导致所述保护层(11)的所述横向尺寸改变(AL)，其中硬化所述保护层例如为固化所述保护层，所述操作温度范围例如为-10摄氏度到+50摄氏度。12.根据权利要求1-11中任一项所述的电子部件，其中所述保护层(11)的所述横向尺寸改变(AL)是在任何横向方向，大约或低于3%,优选大约或低于2%,更优选大约或低于1%。13.根据权利要求1-12中任一项所述的电子部件，其中所述电活性部分(4a)和/或所述缓冲层(13)已被印刷在所述柔性衬底上。14.根据权利要求1-13中任一项所述的电子部件，其中所述保护层直接粘接到所述缓冲层。15.根据权利要求1-14中任一项所述的电子部件，其中所述保护层(11)包括已被硬化的材料，所述材料在被沉积在所述堆叠(4)上之后，诸如通过固化被硬化。16.根据权利要求15所述的电子部件(1)，其中所述保护层(11)包括保护膜(Ila)和将所述保护膜粘接到所述缓冲层(13)的粘合剂(11b)，已被硬化的所述材料是所述粘合剂。17.根据权利要求1-15中任一项所述的电子部件(1)，其中所述保护层(11)是保护膜并且所述缓冲层(13)形成将所述保护膜(11)粘接到所述堆叠(4)的其余部分的粘合剂。18.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：C·卡尔松，欧勒·乔尼·哈格尔，雅各布·尼尔森，P·布罗姆斯，
申请(专利权)人：薄膜电子有限公司，
类型：
国别省市：