存储结构的电极、方法和设备技术

在一种电极装置中，该电极装置包括在各层中具有电极（ε）的第一和第二薄膜电极层（Ｌ１，Ｌ２），该电极为平行条状形式的电导体，提供仅由电绝缘材料的薄膜（６）分开的电极（ε），电绝缘材料的薄膜的厚度最多为电极宽度的一部分并且至少沿其侧边延伸并在其间形成绝缘壁（６ａ）。电极层（Ｌ１，Ｌ２）被平面化以获得非常平的表面。在包括一个或多个电极装置（ＥＭ）的设备中，每个的电极层（Ｌ１，Ｌ２）以其各自的电极（１；２）以一角度相交而相互取向，优选正交，并整体提供功能介质（３）夹在其间，以便获得优选无源矩阵可寻址设备并将其用作例如包括形式例如分别为逻辑单元或存储单元的可独立寻址功能元件（５）的矩阵可寻址数据处理装置或矩阵可寻址数据存储装置，其在整体功能介质（３）中的填充因数接近一并且该设备中单元的最大数目约为Ａ／ｆ↑［２］，其中Ａ为夹在电极层（Ｌ１，Ｌ２）之间的整体功能介质（３）的面积，而ｆ是受工艺约束的最小特征值。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及包括具有电极的第一和第二薄膜电极层的电极装置，每层中的电极的形式为平行条状电导体，其中第二电极层的电极定向为与第一层的电极交叉或基本正交，其中至少一个电极层设置在衬底或底板的绝缘表面上，并且其中电极层设置在分隔开的平行平面中与由功能介质构成的整体设置层接触；并且本专利技术涉及用于制造这种电极装置的方法。本专利技术还涉及一种设备，该设备至少一个电极装置包含具有电极的第一和第二薄膜电极层，每层中的电极的形式为平行条状电导体，其中第二电极层的电极定向为与第一层的电极交叉或基本正交，其中至少一个电极层设置在衬底或底板的绝缘表面上，并且其中电极层设置在分隔开的平行平面中与其间的由功能介质构成的整体设置层接触，其中功能元件形成在由第一电极层的电极和第二电极层的电极之间的各个交叠处所限定的功能介质的体积中，以提供矩阵可寻址阵列，其中功能元件可以通过向限定功能元件的相交电极施加电压来激活，以便在后者上产生电势，从而可以暂时地或永久地改变功能元件的物理状态或在可识别的物理状态之间发生转换，所述施加电压基本上与对功能元件写入或读出操作的寻址相对应；其中根据所选功能材料的特性，功能元件本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电极装置（ＥＭ），包括在各层中具有电极（ε）的第一和第二薄膜电极层（Ｌ１，Ｌ２），该电极为平行条状形式的电导体，其中第二电极层（Ｌ２）的电极（ε）定向为与第一层（Ｌ１）的电极（ε）交叉或基本正交，其中至少一个电极层（Ｌ１；Ｌ２）设置在衬底或底板（７，７’）的绝缘表面上，并且其中各电极层（Ｌ１，Ｌ２）设置在分隔开的平行平面中与其间的由功能介质构成的整体设置层（３）接触，其特征在于：每个薄膜电极层（Ｌ１，Ｌ２）包括由具有宽度ｗ↓［ａ］和厚度ｈ↓［ａ］的所述条状电极（ε ↓［ａ］）构成的第一组（Ｅ↓［ａ］），该第一组（Ｅ↓［ａ］）的电极（ε↓［ａ］）通过等于或大于ｗ↓［ａ］的间距ｄ...

【技术特征摘要】
NO 2001-11-9 200155091.一种电极装置(EM)，包括在备层中具有电极(ε)的第一和第二薄膜电极层(L1，L2)，该电极为平行条状形式的电导体，其中第二电极层(L2)的电极(ε)定向为与第一层(L1)的电极(ε)交叉或基本正交，其中至少一个电极层(L1；L2)设置在衬底或底板(7，7’)的绝缘表面上，并且其中各电极层(L1，L2)设置在分隔开的平行平面中与其间的由功能介质构成的整体设置层(3)接触，其特征在于每个薄膜电极层(L1，L2)包括由具有宽度wa和厚度ha的所述条状电极(εa)构成的第一组(Ea)，该第一组(Ea)的电极(εa)通过等于或大于wa的间距d相互隔开，由具有宽度wb和厚度hb的所述条状电极(εb)构成的第二组(Eb)，设置在第一组(Ea)电极(εa)之间的间隔中并通过由电绝缘材料构成的、具有厚度δ的薄膜(6)与其电绝缘，该薄膜至少沿着平行电极(εa，εb)的侧边延伸，并在它们之间形成厚度为δ的绝缘壁(6a)，δ的值比wa或wb的值都小，第一组(Ea)各电极(εa)之间的间隔间距d为wb+2δ，并且具有电极(ε)和绝缘层(6)的各电极层(L1，L2)分别在电极装置(EM)中形成整体平面层。2.根据权利要求1的电极装置(EM)，其特征在于至少一个电极层(L1；L2)的电极(ε)的导电材料直接设置在衬底(7，7’)的表面上。3.根据权利要求1的电极装置(EM)，其特征在于电极层(L1；L2)的其中一个的电极(ε)在相对另一电极层(L2；L1)的其表面中露于外部。4.根据权利要求1的电极装置(EM)，其特征在于与其中一个电极层(L2；L1)相对的另一个电极层(L1；L2)的表面被底板(7’)覆盖。5.根据权利要求1的电极装置(EM)，其特征在于两组(Ea，Eb)电极(εa，εb)的截面积相等，使得wa·ha＝wb·hb。6.根据权利要求1的电极装置(EM)，其特征在于第一组(Ea)电极(εa)的截面积与第二组(Eb)电极(εb)的截面积不同，使得wa·ha≠wb·hb。7.根据权利要求1的电极装置(EM)，其特征在于两组(Ea，Eb)电极(εa，εb)的导电材料相同。8.根据权利要求1的电极装置(EM)，其特征在于第二组(Eb)电极(εb)的导电材料与第一组(Ea)电极(εa)的导电材料不同。9.根据权利要求8的电极装置(EM)，其特征在于第一组(Ea)电极(εa)的导电材料和第二组(Eb)电极(εb)的导电材料分别具有值为σa，σb的电导率，使其符合关系式wa·hawb·hb=σbσa,]]>使第一和第二电极组(Ea，Eb)的各电极的导电能力在任何情况下都相等。10.根据权利要求1的电极装置(EM)，其特征在于第一组(Ea)电极(εa)与第二组(Ea)电极(εb)之间的绝缘壁(6a)形成绝缘薄膜(6)的一部分(6a)，该绝缘薄膜(6)提供在连续层中，该连续层覆盖该第一组(Ea)电极(εa)并在这种情况下覆盖该第一组电极之间间隔中的衬底(7，7’)，并且第二组(Eb)电极(εb)提供在凹槽(8)中，该凹槽位于绝缘薄膜(6)的壁部分(6a)之间并在这种情况下位于其覆盖衬底的部分(6b)上，第二组(Eb)电极(εb)的顶面与覆盖第一组(Ea)电极(εa)顶面的绝缘薄膜(6)的一部分(6c)的表面齐平，从而使第一和第二组(Ea；Eb)的电极(εa，εb)具有相等的高度ha＝hb，并且具有电极(εa，εb)和绝缘薄膜(6)的各电极层(L1，L2)在电极装置(EM)中形成整体平面层。11.根据权利要求1的电极装置(EM)，其特征在于第一组(Ea)电极(εa)与第二组(Ea)电极(εb)之间的绝缘壁(6a)形成绝缘材料的薄膜(6)的一部分(6a，6b)，该绝缘材料的薄膜(6)提供在层中，该层覆盖该第一组(Ea)电极(εa)的侧边直到其顶面并在这种情况下覆盖该第一组电极之间间隔中的衬底(7，7’)，并且第二组(Eb)电极(εb)提供在凹槽(8)中，该凹槽位于绝缘薄膜的壁部分(6a)之间并在这种情况下位于其覆盖衬底(7)的部分(6b)上，第二组(Eb)电极(εb)与绝缘壁(6a)的顶部边缘以及第一组(Ea)电极(εa)的顶面齐平，从而使第二组(Eb)的电极(εb)的高度为hb＝ha-δ，并且具有电极(εa，εb)和绝缘材料(6)的各电极层(L1，L2)在电极装置(EM)中形成厚度为ha的整体平面层。12.根据权利要求1的电极装置(EM)，其特征在于第一组(Ea)电极(εn)与第二组(Ea)电极(εb)之间的绝缘壁(6a)形成绝缘薄膜(6)的一部分，该绝缘薄膜(6)提供在层中，该层覆盖该第一组(Ea)电极(εa)直到衬底(7，7’)，并且第二组电极(εb)提供在凹槽(8)中，该凹槽位于绝缘薄膜(6)的壁部分(6a)之间并在这种情况下直接位于其露出的衬底(7，7’)上，并且第二组(Eb)电极(εb)与覆盖第一组(Ea)电极(εa)顶面的绝缘薄膜(6)的一部分(6a)的顶面齐平，从而使第一组(Ea)的电极高度为ha＝hb-δ，并且具有电极(εa，εb)和绝缘薄膜(6)的至少一个电极层(L1，L2)在电极装置中形成厚度为hb的整体平面层。13.一种制造电极装置(EM)中电极层(L1，L2)的方法，该电极装置(EM)包括在...

【专利技术属性】
技术研发人员：HG古德森，GI莱斯塔德，
申请(专利权)人：薄膜电子有限公司，
类型：发明
国别省市：NO[挪威]