取代并五苯半导体制造技术

取代并五苯化合物至少有一种取代基选自包括供电子取代基、卤素取代基以及它们的组合在内的基团；每个取代基连接到并五苯末端环的碳原子上成为唯一的取代基；当化合物带有两个取代基，并且两者都是甲基或烷氧基时，一个取代基连接到２号碳原子上，另一个取代基若是甲基的话就连接到１，３，４，８或１１号碳原子上，若是烷氧基，就连接到１，３，４，８，９或１１号碳原子上；如果化合物只有四个取代基，并且所有取代基都是烷氧基，那么取代基则连接到２，３，９以及１０号碳原子上。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及能用作半导体的有机化合物，另一方面，本专利技术涉及含有这种化合物的器件。
技术介绍
传统意义上讲，无机硅以及砷化镓半导体、二氧化硅绝缘体以及金属例如铝及铜已经主导了半导体工业。然而最近几年，在将有机薄膜晶体管(OTFTs)作为以无机材料为基础的传统薄膜晶体管之外的另一种晶体管选择这方面的研究越来越多。并五苯、噻酚低聚物以及区域规整聚噻酚已经成为研究最多的有机半导体。在这类半导性有机材料中，观察到并五苯的电荷体移动率最大。有报告指出，并五苯基晶体管的电荷体移动率的值大于1.5cm2V-1s-1，开/关电流比率大于108，次级阈值电压小于1.6V。这些数值与无定形硅基器件的相应数值相当或优于该数值。然而，并五苯基器件的性能很难再现。再现性差是由于并五苯具有多晶形特征。并五苯分子的各种晶形或晶相的排列或结构顺序各不同，这种结构顺序决定了器件的电性能。并五苯采用的晶相取决于形成晶体的过程及条件。例如，并五苯蒸汽相淀积到基材上时形成薄膜相。这种薄膜相在传送电荷时要比块状并五苯或单晶相并五苯更为有效，但薄膜相是亚稳态的。例如，薄膜形态的并五苯与异丙醇、丙酮或乙醇接触能转变为块状相本文档来自技高网...

【技术保护点】
取代并五苯化合物，包含至少一个选自下列的取代基：供电子取代基、卤素取代基及其组合；所述每个取代基连接到并五苯的至少一个序号为１，２，３，４，８，９，１０或１１号的碳原子上，并且取代基是唯一的取代基；条件是当所述化合物仅带有两个取代基时，两个取代基都为甲基或烷氧基，一个所述取代基连接到所述２号碳原子上，另一个取代基若是甲基，就连接到所述１，３，４，８或１１号碳原子上，若是烷氧基则连接到１，３，４，８，９或１１号碳原子上；还有条件是当所述化合物仅带有四个所述取代基，且所有取代基都是烷氧基，则所述取代基连接到所述２，３，９以及１０号碳原子上。

【技术特征摘要】
US 2001-9-27 09/966,9611.取代并五苯化合物，包含至少一个选自下列的取代基供电子取代基、卤素取代基及其组合；所述每个取代基连接到并五苯的至少一个序号为1，2，3，4，8，9，10或11号的碳原子上，并且取代基是唯一的取代基；条件是当所述化合物仅带有两个取代基时，两个取代基都为甲基或烷氧基，一个所述取代基连接到所述2号碳原子上，另一个取代基若是甲基，就连接到所述1，3，4，8或11号碳原子上，若是烷氧基则连接到1，3，4，8，9或11号碳原子上；还有条件是当所述化合物仅带有四个所述取代基，且所有取代基都是烷氧基，则所述取代基连接到所述2，3，9以及10号碳原子上。2.如权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述化合物仅带有两个所述取代基。3.如权利要求2所述的化合物，其特征在于，所述取代基连接到并五苯不同的端环上。4.如权利要求3所述的化合物，其特征在于，所述取代基连接到2号及9号碳原子或2号与10号碳原子上。5.如权利要求4所述的化合物，其特征在于，所述取代基连接到2号及9号碳原子上。6.如权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述各取代基独立地选自烷基、烷氧基、硫代烷氧基、卤原子以及它们的组合。7.如权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述各取代基独立地选自烷基、烷氧基以及它们的组合在内的基团。8.如权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述各取代基是烷基。9.如权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述化合物由以下通式表示 其中，各R基团独立地选自供电子基团、卤原子、氢原子以及它们的组合。10.如权利要求9所述的化合物，其特征在于，各R独立地选自烷基、烷氧基、硫代烷氧基、卤原子、氢原子以及它们的组合。11.如权利要求10所述的化合物，其特征在于，各R基团独立地选自烷基、烷氧基、卤原子以及它们的组合。12.如权利要求11所述的化合物，其特征在于，所述各R基团独立地选自烷基及氢原子。13.如权利要求12所述的化合物，其特征在于，所述各R基团独立地选自甲基、正-己基、正-壬基、正-十二烷基、仲丁基、3，5，5-三甲基己基、2-乙基己基...

【专利技术属性】
技术研发人员：TP史密斯，DE福格尔，KM福格尔，
申请(专利权)人：三M创新有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]