卷式硅橡胶薄膜的制法制造技术

一种卷式硅橡胶薄膜的制法，是将硅橡胶配方组成物，经加压式捏合混炼装置预先混合，再由压延装置产生薄膜，通过密闭式加硫装置进行第一次加硫，再通过开放式加热装置进行第二次加硫制造。采用高温加硫型硅橡胶树脂，所制得的连续卷式硅橡胶薄膜硬度ＳｈｏｒｅＡ介于２０－６０，其厚度范围为０．１－３．０ｍｍ。具有优良的散热性、挠曲性及柔软贴附性，可使用在容易产生高热源的装置及构造上，提供散热及耐热的功效；具有制法简易、生产效率高及能够制造厚度均一及宽幅硅橡胶薄膜的功效。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种卷式硅橡胶薄膜的制法，其是提供一常压卷式压延法制法，以制造连续卷状高温加硫型(HTV)硅橡胶且厚度均一的硅橡胶薄膜，其具有高及低热传导散热功效用途的薄膜，可制造幅宽为160cm的硅橡胶薄膜。本专利技术的主要目的是提供一种卷式硅橡胶薄膜的制法，其主要是以一段密闭包覆加硫及二段常压开放式加硫，其所产出的厚度均一的宽幅连续卷式硅橡胶薄膜，可用于高发热制品提供散热及耐热，利用硅橡胶薄膜的原料特性，将热源经由本身传导至风扇导出，达到稳定产品使用的执行效能的目的。本专利技术的第二目的是提供一种连续卷式硅橡胶薄膜的制法，其所制得的宽幅连续卷式硅橡胶薄膜，可用于大面积产品须求，达到提高产品的放大延伸性及提高产品的竞争力的目的。本专利技术的第三目的是提供一种卷式硅橡胶薄膜的制法，其所制得的连续卷式硅橡胶组成薄膜，可制得不同硬度、比重、厚度及幅宽的硅橡胶薄膜，达到增加产品的多样性及提高附加价格的目的。本专利技术的第四目的是提供一种卷式硅橡胶薄膜的制法，达到制法简易及生产效率高的目的。本专利技术的目的是这样实现的一种卷式硅橡胶薄膜的制法，其特征是它包含下列步骤A、配料硅橡胶组成物中各成分的重量份数比例为硅橡胶树脂100份、架桥剂0.25-5.0份、填充剂20-200份、其他添加剂及助剂5-20份；该硅橡胶树脂其平均分子量范围在20,000-50,000，硬度在20-60ShoreA；该架桥剂为有机过氧化物；该填充剂为氧化铝、氮化硼、氧化钛、轻质碳酸钙、Sillica、滑石粉、铝粉、硅煅烧土、天然纤维、玻璃纤维或湿润剂；该其他特殊添加剂为Silicone Oil、硬脂酸锌、硬脂酸钙、氧化锌或氧化锑；B、混炼将各原料组成物置入加压式混合装置中，充分搅拌互相混合，使其混合物均匀分散在混炼过程中；C、薄膜产出是将经加压式混合装置混合的硅橡胶混合物送至常压连续卷式薄膜产生装置，随同导引媒介层同时卷绕至滚筒加硫装置上，形成连续的硅橡胶薄膜；D、一次加硫架桥其是将所述随同导引媒介层同时卷绕至滚筒加硫装置上，形成连续的硅橡胶薄膜，送入蒸气加压式加硫架桥装置中加热架桥，加硫完成后冷却并随同导引媒介层一同卷出；E、二次加硫加热其是将经蒸气加压式加硫架桥装置加热架桥所产生的硅橡胶薄膜，随同导引媒介层卷出，并同时带入连续开放式加热装置中加热，加热完成后冷却将导引媒介层与硅橡胶薄膜分离各别卷出，即得连续卷式硅橡胶薄膜。该混炼过程的混炼温度控制在60-150℃。该混炼过程的混炼温度低于该架桥剂的分解温度。该混合制程的温度为常温至100℃，时间为5-60分钟，压力为5-15kg/cm2。该薄膜产出的操作温度为室温至60℃。该薄膜产出的各轮转速比为1∶1-1∶1.1。该一次加硫架桥的架桥温度的控制在130-170℃。该一次加硫架桥的压力控制在2-5kg/cm2。该一次加硫架桥的停留时间为2-4小时。该二次加硫加热的加热温度控制在130-200℃。该二次加硫加热的加热时间在30-60分钟。该薄膜产出制成中包含一筒状包覆绕取装置的绕取包覆制程，其是将导引媒介层，与连续卷式薄膜产生装置所产生的硅橡胶薄膜，同时绕取至筒状式包覆绕取加硫座上。该绕取包覆制程中包含一导引媒介层，该硅橡胶薄膜分层的导引媒介层与连续卷式薄膜产生装置所产生的硅橡胶薄膜，同时绕取至筒状式包覆绕取装置上。该导引媒介层是选自纤维制品、纸制品或橡胶薄膜的其中之一。该薄膜产生装置是包含有压延机、加硫罐或开放式烘箱。该生产的最终产品的幅宽度在150cm以下。该硅橡胶是选用高温架桥型硅橡胶，其数量平均分子量为30万。该二次加硫制程是采用连续开放式烘箱加热。该二次加硫制程采用的连续开放式烘箱，其选自为水平式或直立式烘箱的其中之一。该填充剂是选自氮化硼或氧化铝材料作制造热传导硅橡胶薄膜的其中之一。该填充剂是选自防火材料作为制造具有热传导及耐燃硅橡胶薄膜。该包覆式加硫绕取座的数量为1-5个。该包覆式加硫绕取座的形态为圆筒状或杆状的其中之一。该包覆式加硫绕取座包含一加硫度及厚度控制程序，是用合成橡胶薄膜包覆整个加硫绕取座，将未加硫硅橡胶薄膜于完全封闭空间中完全升温加硫。该包覆式加硫绕取座上的硅橡胶薄膜储存密闭空间，须要通入有机气体填满整个空间，未架桥的硅橡胶薄膜直接受到有机气体作用，以控制其加硫度及厚度免受水气的影响。该方法制得厚度为0.2-3.0mm的硅橡胶薄膜。该方法制得幅宽50-160cm的硅橡胶薄膜。该方法制得硬度20-60的硅橡胶薄膜。该方法制得比重1.0-2.0的硅橡胶薄膜。该方法制得热传导系数为0.4-3W/mk的硅橡胶薄膜。该二次加硫段是采用热风加硫式烘箱。该方法生产不同程序热传导程度的硅橡胶薄膜。本专利技术的连续卷式硅橡胶薄膜应用范围相当广泛，适用于热传导硅橡胶薄膜的各种用途，其包括电浆显示器(PDP)、电脑中央处理器(CPU)及半导体(IC)晶片面板等容易产生高热度的电子零件或构造，主要提供散热、耐热、绝缘及断热作用，保护精密的电子产品内部在运作执行上，使其整体性能免于受到高温导致衰解而出现异常。本专利技术的制法是以一段密闭包覆加硫及二段二次常压开放加硫方式，其所制得厚度均一的连续卷式硅橡胶薄膜，所制得的高温加硫型硅橡胶薄膜，具有优良的散热性、挠曲性及柔软贴附性，可以使用在容易产生高热源的装置及构造上，提供散热的功效；本专利技术的制法与一般传统制法相比较，其制法简易及生产效率高。下面结合较佳实施例和附图详细说明。硅橡胶树脂的平均分子量范围在20,000-50,000，硬度在20-60Shore A；架桥剂为有机过氧化物(Organic Peroxide)，分为高温架型及低温架桥型有机过氧化物；填充剂为氧化铝、氮化硼、氧化钛、轻质碳酸钙、Sillica(包含干式及湿式)、滑石粉、铝粉、硅煅烧土、天然纤维、玻璃纤维或湿润剂等；其他特殊添加剂为Silicone Oil、硬脂酸锌、硬脂酸钙、氧化锌、氧化锑等；硅橡胶组成物中各成分的重量份数比例为硅橡胶树脂100份、架桥剂0.25-5.0份、填充剂20-200份、其他添加剂及助剂5-20份。本专利技术为一种连续卷式硅橡胶组成薄膜的压延制法，其制造方法及流程分别叙述如下步骤1首先为配料，硅橡胶组成物中各成分的重量份数比例为硅橡胶树脂100份、架桥剂0.25-5.0份、填充剂20-200份、其他添加剂及助剂5-20份；接着混炼10，是将各原料组成物置入加压式混合装置中，充分搅拌混合，使混合物均匀分散，在混炼过程中，混炼温度不可超过架桥剂的分解温度，混炼温度控制在50-100℃；步骤2其次为薄膜形成制程20，将经加压式混合装置均匀混合的硅橡胶混合物，送至常压连续卷式薄膜形成装置连续卷出，并与导引媒介层同时卷绕至中空滚筒状加硫装置的中间位置上，操作温度为室温至60℃，各轮转速比为1∶1-1∶1.1；步骤3接着为加硫装置的色覆制程30，在滚筒状加硫装置上，套上一层直径大于滚筒状加硫装置外径的合成橡胶薄膜套，并将两侧开口用绳索缠住密封，中空滚筒状加硫装置的侧边设有一个排气阀； 步骤4为一吹加硫架桥制程40，其是将前述随同导引媒介层同时卷绕至中空滚筒状加硫装置上的连续的热传导硅橡胶薄膜，送入蒸气加压式加硫装置中加热架桥，其架桥温度控制在120-170℃，压力本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种卷式硅橡胶薄膜的制法，其特征是：它包含下列步骤：Ａ、配料：硅橡胶组成物中各成分的重量份数比例为：硅橡胶树脂１００份、架桥剂０．２５－５．０份、填充剂２０－２００份、其他添加剂及助剂５－２０份；该硅橡胶树脂其平均分子量范围在２０，００ ０－５０，０００，硬度在２０－６０Ｓｈｏｒｅ Ａ；该架桥剂为有机过氧化物；该填充剂为氧化铝、氮化硼、氧化钛、轻质碳酸钙、Ｓｉｌｌｉｃａ、滑石粉、铝粉、硅煅烧土、天然纤维、玻璃纤维或湿润剂；该其他特殊添加剂为Ｓｉｌｉｃｏｎｅ Ｏｉｌ、硬脂酸锌、硬脂酸钙、氧化锌或氧化锑；Ｂ、混炼：将各原料组成物置入加压式混合装置中，充分搅拌互相混合，使其混合物均匀分散在混炼过程中；Ｃ、薄膜产出：是将经加压式混合装置混合的硅橡胶混合物送至常压连续卷式薄膜产生装置，随同导引媒介层同时卷绕至滚 筒加硫装置上，形成连续的硅橡胶薄膜；Ｄ、一次加硫架桥：其是将所述随同导引媒介层同时卷绕至滚筒加硫装置上，形成连续的硅橡胶薄膜，送入蒸气加压式加硫架桥装置中加热架桥，加硫完成后冷却并随同导引媒介层一同卷出；Ｅ、二次加硫加热：其是将经蒸 气加压式加硫架桥装置加热架桥所产生的硅橡胶薄膜，随同导引媒介层卷出，并同时带入连续开放式加热装置中加热，加热完成后冷却将导引媒介层与硅橡胶薄膜分离各别卷出，即得连续卷式硅橡胶薄膜。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李文炫，吴敬堂，林宗仪，
申请(专利权)人：厚生股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]