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模压成型模具及其制造方法以及玻璃光学元件的制造方法技术

技术编号:9903458 阅读:148 留言:0更新日期:2014-04-10 17:11
本发明专利技术提供模压成型模具、其制造方法及使用其的玻璃光学元件的制造方法。模压成型模具的制造方法能够成型出外观缺陷少的透镜,模压成型模具具有包含由薄膜形成装置成膜出的碳膜的离型膜。该制造方法为具有离型膜的模压成型模具的制造方法,该离型膜包含碳膜,该碳膜通过下述方式成膜,即:利用真空电弧放电在碳阴极上生成碳等离子体,从碳等离子体中只取出离子化后的碳,将所述离子化后的碳照射到被成膜面上而成膜,该制造方法包括:在被成膜面上一边施加第1偏置电压V1(V)一边成膜出厚度为d1(nm)的第1碳膜的工序;以及在第1碳膜上一边施加第2偏置电压V2(V)一边成膜出形成最外层的厚度为d2(nm)的第2碳膜的工序,所述第1和第2偏置电压V1、V2以及所述厚度d1、d2满足V1>V2且d1>d2。

【技术实现步骤摘要】
模压成型模具及其制造方法以及玻璃光学元件的制造方法
本专利技术涉及在通过压力成型制造透镜等光学元件时使用的、具有离型膜的模压成型模具的制造方法以及该模压成型模具。详细地,涉及如下所述的模压成型模具的制造方法和该模压成型模具,该模压成型模具能够成型出外观缺陷少的透镜,且具有包含碳膜的离型膜,该碳膜通过如下方式成膜:通过真空电弧放电在碳阴极上生成碳等离子体,从碳等离子体中只取出离子化后的碳,向被成膜面照射离子化后的碳即该碳等离子体,由此进行成膜。
技术介绍
精密压力成型法也称作光模成型法,是这样的方法:通过将压力成型模具的成型面精密地转印到玻璃上,由此,通过压力成型形成光学功能面,例如以透镜为例,形成非球面透镜的非球面或球面透镜的球面等透镜面。即,由于不需要为了做成光学功能面而进行研削或研磨等机械加工,因此,能够以高生产性制造光学元件,尤其是非球面透镜。在现有技术中,提出了如下方案:作为在这种方法中使用的成型模具的模具材料,使用了以SiC、超硬合金、不锈钢等金属以及陶瓷为代表的各种材料,为了改善成型模具与玻璃的离型性,在成型模具上设置了含碳膜、贵重金属合金膜等离型膜。设置了在内部还包含有钻石状碳膜、氢化非晶态碳膜(a-C:H膜)、硬质碳膜、四面体非晶态碳膜(taC膜)等碳膜的离型膜的成型模具具有离型性好、难以与玻璃发生融接的优点。然而,在反复进行模压成型操作的过程中,这样的碳膜发生磨损,无法获得足够的成型性能,在耐久性方面存在问题。因此,为了改善离型膜的耐久性,提出了在成型时使用硬度不易下降的膜。例如,在专利文献1(日本特开2012-12286号公报)中公开了在光学元件成型用模具的型母材上,通过过滤阴极真空电弧法(FilteredCathodicVacuumArc法,以下称作FCVA法)成膜出taC膜的内容。FCVA法是从碳电极的电弧放电中只取出能量一致的电荷粒子,在基板上形成均质且高密度的薄膜的方式。根据该方法,能够获得通过接合不含氢的高强度的sp3而成的taC膜。此外,专利文献2(日本特开2009-199637号公报)中公开了通过过滤阴极电弧法(FilteredCathodicArc法,以下称作FCA法),在磁记录介质上形成taC膜的内容。在FCA法中,在阴极上使用纯石墨靶,通过电弧放电在靶上产生电弧,生成碳等离子体,通过负偏置等向基体引入等离子体中的离子,形成碳膜。在通过这种方法成膜的碳膜中,由于相对于sp2成分,sp3成分的比率变高,因此,能够获得硬且坚固的碳膜。此外,FCVA法和FCA法是以不同的名称表示的相同的制法。虽然作为同样的名称,存在过滤真空电弧法(FilteredVacuumArc法,以下称为FVA法)、过滤电弧沉积法(FilteredArcDeposition法,以下称作FAD法)等,不过,这些都是相同的制法。通过该制法来成膜的碳膜,sp3成分的比率变高,因此,获得高硬度的碳膜。【现有技术文献】【专利文献】【专利文献1】日本特开2012-12286号公报【专利文献2】日本特开2009-199637号公报然而,在使用形成有通过前述的FCVA法等成膜的taC膜的成型模具,对被成型玻璃进行压力成型,从而成型出光学元件的情况下,存在这样的问题:在成型后的光学元件上,产生发泡、瑕疵、白浊等外观缺陷,产出率下降。
技术实现思路
本专利技术正是为了解决具有通过FCVA法等形成的碳膜的成型模具所特有的上述问题而做出的,其目的在于,提供一种能够成型出外观缺陷少的透镜的模压成型模具的制造方法,该模压成型模具具有包含碳膜的离型膜。发现在基于下述方式的碳膜的成膜中,通过一边施加特定的偏置电压一边成膜出至少由2层构成的碳膜的制造方法,能够获得抑制发泡和瑕疵等外观缺陷的离型膜,上述方式为:通过真空电弧放电在碳阴极上生成碳等离子体,从碳等离子体中只取出离子化后的碳,将离子化后的碳照射到被成膜面上。即本专利技术体提供了一种制造方法,其为具有离型膜的模压成型模具的制造方法,该离型膜包含碳膜,该碳膜通过下述方式成膜,即:利用真空电弧放电在碳阴极上生成碳等离子体,从碳等离子体中只取出离子化后的碳,将所述离子化后的碳照射到被成膜面上而成膜,其中,该制造方法包括:在被成膜面上一边施加第1偏置电压V1(V)一边成膜出厚度为d1(nm)的第1碳膜的工序;以及在第1碳膜上一边施加第2偏置电压V2(V)一边成膜出形成最外层的厚度为d2(nm)的第2碳膜的工序,第1和第2偏置电压V1、V2以及厚度d1、d2满足V1>V2且d1>d2。根据本专利技术,能够提供一种具有离型膜的模压成型模具的制造方法,该离型膜包含碳膜,该模压成型模具能够成型出外观缺陷少的透镜。附图说明图1是用于说明在基于FCVA法的成膜工序中使用的离型膜形成装置100的仪器结构的图。图2是示出实施例1的离型膜的结构的图。图3是示出探讨例1的离型膜的结构的图。图4是示出探讨例2的离型膜的结构的图。图5是示出实施例7的离型膜的结构的图。具体实施例方式以下,参照附图对本专利技术的优选实施方式进行详细地说明。此外,对图中相同或者相应部分标注同一符号,并不再重复对其的说明。在本专利技术中,通过真空电弧放电在碳阴极上生成碳等离子体,从碳等离子体中只取出离子化后的碳,将离子化后的碳照射到被成膜面上,由此,成膜出碳膜。在本专利技术中,碳阴极优选为石墨制,更优选为纯石墨制的阴极。在本专利技术中,按照常规方法进行真空电弧放电。进一步地,在本专利技术中,在从碳等离子体只取出离子化后的碳的方法中,包含通过磁场过滤等,不过只要是能够过滤在产生碳等离子体的同时产生的、使膜质下降的熔滴的方法就可以,没有特别地限定。作为上述那样的成膜方法,能够列举出过滤阴极真空电弧法(FilteredCathodicVacuumArc法,以下称作FCVA法)、过滤阴极电弧法(FilteredCathodicArc法,以下称作FCA法)、过滤真空电弧法(FilteredVacuumArc法,以下称为FVA法)以及过滤电弧沉积法(FilteredArcDeposition法,以下称作FAD法)等。例如,FCVA法是如下方法:将石墨制的阴极作为靶,通过真空电弧放电产生碳等离子体,通过电磁的空间过滤器只取出离子化后的碳,通过在基材上施加负的偏置电压,将离子化后的碳引入到基材上,形成碳膜。这里,电磁的空间过滤器是如下的过滤器:在无法直接看到阴极的位置配置有基材,即在阴极和基材不处于直线上的位置配置有基材,使从阴极产生的等离子体出现电磁弯曲或弯转,由此,能够过滤在等离子体的输送中在产生碳等离子体的同时产生的、使膜质降低的熔滴。根据本专利技术的方法,具有如下优点:能够在室温下成膜,获得的碳膜不包含氢,氢是在加热时膜的硬度下降的原因,获得的碳膜具有可控制的高硬度,具有平滑的表面。以下对本专利技术的碳膜的成膜工序的1方式进行说明。图1是用于说明使用FCVA法的离型膜形成装置100的仪器结构的图。参照图1,该形成装置100在真空腔1内具有支撑板10和作为被成膜物的成型模具20。这里,支撑板10由铝合金等导电性材料构成。用于通过FCVA法成膜出四面体非晶态碳膜(taC膜)的真空电弧电源2、电弧等离子体生成室3、等离子体输送管4以及过滤器线圈5与真空腔1连接。电弧本文档来自技高网
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模压成型模具及其制造方法以及玻璃光学元件的制造方法

【技术保护点】
一种具有离型膜的模压成型模具的制造方法,该离型膜包含碳膜,该碳膜通过下述方式成膜,即:利用真空电弧放电在碳阴极上生成碳等离子体,从所述碳等离子体中只取出离子化后的碳,将所述离子化后的碳照射到被成膜面上而成膜,其中,该制造方法包括:在被成膜面上一边施加第1偏置电压V1一边成膜出厚度为d1的第1碳膜的工序;以及在所述第1碳膜上一边施加第2偏置电压V2一边成膜出形成最外层的厚度为d2的第2碳膜的工序,所述第1偏置电压V1和所述第2偏置电压V2以及所述厚度d1、所述厚度d2满足V1>V2且d1>d2。

【技术特征摘要】
2012.09.28 JP 2012-2166221.一种具有离型膜的模压成型模具的制造方法,该离型膜包含碳膜,该碳膜通过下述方式成膜,即:利用真空电弧放电在碳阴极上生成碳等离子体,从所述碳等离子体中只取出离子化后的碳,将所述离子化后的碳照射到被成膜面上而成膜,其中,该制造方法包括:在被成膜面上一边施加第1偏置电压V1一边成膜出厚度为d1的第1碳膜的工序;以及在所述第1碳膜上一边施加第2偏置电压V2一边成膜出形成最外层的厚度为d2的第2碳膜的工序,所述第1偏置电压V1和所述第2偏置电压V2以及所述厚度d1、所述厚度d2满足V1>V2且d1>d2,所述第2偏置电压V2为-1100V以下,且所述厚度d2为7nm以...

【专利技术属性】
技术研发人员:小林巧西村法一田中祐辅山本英明诸石圭二
申请(专利权)人:HOYA株式会社
类型:发明
国别省市:

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