导电粒子和连接结构体制造技术

本实用新型专利技术提供一种导电粒子和连接结构体。该导电粒子具备母粒子和被覆该母粒子表面的绝缘性子粒子，该母粒子具有塑料核体和被覆该塑料核体表面且至少具有镍/磷合金层的镀层，该母粒子在表面具有突起，该母粒子的粒径为2.0μm以上3.0μm以下，母粒子的饱和磁化为45emu／cm3以下，该绝缘性子粒子的粒径为180nm以上500nm以下。本实用新型专利技术的连接结构体为电路构件的连接结构体，其具备形成有第一电路电极的第一电路构件、形成有第二电路电极的第二电路构件、将所述第一和第二电路构件彼此连接的电路连接构件，相对的所述第一电路电极和所述第二电路电极通过扁平的所述的导电粒子进行了电连接。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术提供一种导电粒子和连接结构体。该导电粒子具备母粒子和被覆该母粒子表面的绝缘性子粒子，该母粒子具有塑料核体和被覆该塑料核体表面且至少具有镍/磷合金层的镀层，该母粒子在表面具有突起，该母粒子的粒径为2.0μm以上3.0μm以下，母粒子的饱和磁化为45emu／cm3以下，该绝缘性子粒子的粒径为180nm以上500nm以下。本技术的连接结构体为电路构件的连接结构体，其具备形成有第一电路电极的第一电路构件、形成有第二电路电极的第二电路构件、将所述第一和第二电路构件彼此连接的电路连接构件，相对的所述第一电路电极和所述第二电路电极通过扁平的所述的导电粒子进行了电连接。【专利说明】导电粒子和连接结构体
本技术涉及导电粒子、各向异性导电粘接剂膜和连接结构体。
技术介绍
以往，将电路构件彼此或IC芯片或电子部件与电路构件电连接时，使用粘接剂或分散有导电粒子的各向异性导电粘接剂。这样的连接方式在液晶领域中发展显著。在液晶显示用玻璃面板上安装液晶驱动用IC的方式可以大致区分为COG (Chip - on - Glass)安装和COF (Chip — on — Flex)安装这2种。COG安装中，使用含有导电粒子的各向异性导电粘接剂将液晶用IC直接接合在玻璃面板上。另一方面，COF安装中，在具有金属配线的柔性带上接合液晶驱动用1C，并使用含有导电粒子的各向异性导电粘接剂将它们接合在玻璃面板上。这里所说的各向异性导电是指，加压方向的电路电极彼此电导通，非加压方向的电路电极彼此电绝缘。就导电粒子而言，可使用对塑料粒子的外侧实施了镀镍、镀镍与镀金、以及镀镍与镀钯的粒子等。近年为了改善导通性，也有在镍镀层表面具有突起的导电粒子。作为形成突起的方法，已知如日本特开2007 - 324138号公报中所公开的那样，使用镍粒子作为芯材并在其上实施镀镍的方法。另外，已知如日本特开2000 - 243132号公报中所公开的那样，利用镀敷的异常析出而在粒子表面上形成粗化形状的方法。伴随着近年液晶显示的高精细化，作为液晶驱动用IC的电路电极的金凸块逐渐窄间距化和小面积化。因此，存在各向异性导电粘接剂的导电粒子在相邻的电路电极间流出而发生短路这样的问题，特别是在COG安装中该倾向显著。另一方面，如果导电粒子在相邻的电路电极间流出，则存在如下问题:在金凸块与玻璃面板之间捕捉的各向异性导电粘接剂中的导电粒子数减少，相对的电路电极间的连接电阻上升，引起连接不良。特别是近年伴随着金凸块的窄间距化和小面积化，每单位面积投入2万个/ mm2以上的导电粒子，因此该倾向显著。因此，作为解决这些问题的方法，有如下方法:通过在各向异性导电粘接剂的至少一面上形成绝缘性的粘接剂，从而防止COG安装或COF安装中的接合品质降低的方法(日本特开平8 — 279371号公报);和用绝缘性的膜被覆导电粒子的整个表面的方法(日本专利第2794009号公报)。
技术实现思路
然而，在各向异性导电粘接剂的一面上形成绝缘性的粘接剂的方法中，凸块面积小于3000μπι2的情况下，有时为了获得稳定的连接电阻而增加导电粒子，关于相邻的电路电极间的绝缘性，仍有改良的余地。进一步，对于通过用绝缘性的膜被覆导电粒子的整个表面的方法而得到的电路构件，虽然非加压方向的电路电极间的绝缘性高，但存在加压方向的电路电极间的导电性容易降低这样的问题。另外，凸块面积小的情况下，存在如下问题:尽管增加了各向异性导电粘接剂中的导电粒子，但由于压接时的树脂流动而导致导电粒子难以充分残留在凸块上。从这样的问题出发，在压接各向异性导电粘接剂时，抑制导电粒子的移动从导通和绝缘这两方面出发是重要的。使用了在母粒子表面被覆绝缘性的子粒子而得到的导电粒子的电路构件中，初期绝缘性与导通性的平衡良好。但是已知，上述绝缘性的子粒子与具有磁性的镍等金属粒子的相容性差，母粒子的粒径小于3 μ m时存在可迅速促进母粒子的磁性凝聚的倾向。另外，特别地，近年为了应对金凸块的窄间距化，存在需要进行导电粒子的小粒径化和绝缘性子粒子的大粒径化的倾向，伴随着这些倾向，开始出现绝缘性的子粒子难以吸附于母粒子表面上的问题。本技术鉴于上述情况而完成，其目的在于提供即使在使用粒径小的母粒子的情况下也能够兼顾绝缘性和导通性的导电粒子、以及使用该导电粒子而得到的各向异性导电粘接剂膜和连接结构体。本技术提供一种导电粒子，其为具备母粒子和被覆该母粒子表面的绝缘性子粒子的导电粒子，该母粒子具有:塑料核体、和被覆该塑料核体表面且至少具有镍/磷合金层的镀层，上述母粒子在表面具有突起，上述母粒子的粒径为2.0 μ m以上3.0 μ m以下，上述母粒子的饱和磁化为45emu / cm3以下,上述绝缘性子粒子的粒径为180nm以上500nm以下。使用这样的导电粒子的电路构件即使在使用粒径小的母粒子的情况下，也具有优异的绝缘性和导通性。上述镍/磷合金层的磷含有率可以为1.0质量％以上10.0质量％以下。通过使用这样的导电粒子，电路构件具有更优异的导通性，而且能够抑制母粒子的凝聚，减小绝缘性子粒子对母粒子表面的被覆偏差(C.V.)。上述绝缘性子粒子的被覆率可以为20?50%的范围，被覆偏差(C.V.)可以为0.3以下。上述绝缘性子粒子可以具有由重均分子量为1000以上的聚合物或低聚物形成的层。通过用上述聚合物或低聚物被覆绝缘性子粒子，从而在用绝缘性子粒子被覆母粒子时，能够提高母粒子在分散介质中的分散性。上述母粒子可以进一步具有由重均分子量为1000以上的聚合物或低聚物形成的层。另外，上述绝缘性子粒子的粒径可以为200nm以上400nm以下。上述母粒子的粒径可以为2.2 μ m以上3.0 μ m以下，也可以为2.4 μ m以上3.0 μ m以下，还可以为2.5 μ m以上3.0 μ m以下。上述母粒子的饱和磁化可以为30emu / cm3以下，也可以为IOemu / cm3以下,还可以为5emu / cm3以下。另外，上述母粒子的饱和磁化可以为0.5emu / cm3以上。上述镀层可以含有从金、银、铜、钼、锌、铁、钮、镍、锡、铬、钛、招、钴、锗、镉、氧化铟锡和焊料所组成的组中选择的至少I种。上述镀层可以具有仅由镍/磷合金层构成的单层结构，也可以具有包含镍/磷合金层和与该镍/磷合金层不同的I个以上的层的多层结构。上述镀层的厚度可以为0.001?1.0 μ m，也可以为0.005?0.3 μ m。上述突起的高度可以为30nm?300nm。本技术还提供一种在粘接剂中分散有上述导电粒子的各向异性导电粘接剂膜。本技术还提供一种电路构件的连接结构体，其具备:在第一电路基板的主面上形成有第一电路电极的第一电路构件、在第二电路基板的主面上形成有第二电路电极的第二电路构件、以及在上述第一电路基板的主面与上述第二电路基板的主面之间设置并且在使上述第一电路电极和上述第二电路电极相对配置的状态下将上述第一和第二电路构件彼此连接的电路连接构件，上述电路连接构件由上述各向异性导电粘接剂膜的固化物形成，相对的上述第一电路电极与上述第二电路电极通过扁平的导电粒子进行了电连接。根据本技术，能够提供即使在使用粒径小的母粒子的情况下也能够在该母粒子上均匀被覆本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种导电粒子，其特征在于，其为具备母粒子和被覆该母粒子表面的绝缘性子粒子的导电粒子，所述母粒子具有：塑料核体、和被覆该塑料核体表面且至少具有镍/磷合金层的镀层，?所述母粒子在表面具有突起，?所述母粒子的粒径为2.0μm以上3.0μm以下，?所述母粒子的饱和磁化为45emu／cm3以下，?所述绝缘性子粒子的粒径为180nm以上500nm以下。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：高井健次，赤井邦彦，永原忧子，渡边优，
申请(专利权)人：日立化成株式会社，
类型：实用新型
国别省市：