导电粒子制造技术

技术编号:7127660 阅读:306 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及一种具备核粒子11,被覆核粒子11、磷浓度为1重量%以上10重量%以下、厚度为20nm以上130nm以下的钯层12,和在钯层12的表面配置、粒径为20nm以上500nm以下的绝缘性粒子1的导电粒子8b。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及导电粒子
技术介绍
在液晶显示用玻璃面板上安装液晶驱动用IC的方式可以大致分为 COG (Chip-on-Glass)安装和 COF (Chip-on-Flex)安装两种。COG安装中,使用含有导电粒子的各向异性导电性粘接剂,将液晶用IC直接接合在玻璃面板上。另一方面,COF安装中,将液晶驱动用IC与具有金属配线的柔性带接合,使用含有导电粒子的各向异性导电性粘接剂将它们接合在玻璃面板上。在此提及的各向异性是指在加压方向导通而在非加压方向保持绝缘性的意思。然而由于随着近年来的液晶显示的高精细化,作为液晶驱动用IC的电路电极的凸起正在进行窄间距化、窄面积化,因此产生了下述问题各向异性导电性粘接剂的导电粒子向邻接的电路电极间流出而产生短路。另外,如果导电粒子向邻接的电路电极间流出,则存在下述问题在凸起和玻璃面板之间所补足的各向异性导电性粘接剂中的导电粒子数减少,对向的电路电极间的连接电阻升高,引起接触不良。作为解决这些问题的方法,有如下的方法如下述专利文献1所例示,通过在各向异性导电性粘接剂的至少一面形成绝缘性的粘接剂,防止COG安装或COF安装的接合质量的降低的方法,和如下述专利文献2所例示,用绝缘性的覆膜被覆导电粒子的整个表面的方法。下述专利文献3、4中,例示了用绝缘性的子粒子被覆被金层被覆的高分子聚合物的核粒子的方法。另外,下述专利文献4中,还例示了用具有巯基、硫基、二硫基的任一基团的化合物处理被覆核粒子的金层的表面并在金层表面形成官能团的方法。由此,能够在金层上形成牢固的官能团。下述专利文献5中,作为一种提高导电粒子的导电性的尝试,例示了在树脂微粒上进行铜/金镀覆的方法。下述专利文献6中,例示了一种具备非金属微粒,被覆非金属微粒的、含有50重量%以上的铜的金属层,被覆金属层的镍层,和被覆镍层的金层的导电粒子,并且具有下述记载根据该导电粒子,与由镍和金构成的一般的导电粒子相比,导电性良好。下述专利文献7中,具有下述记载一种具有基材微粒和在前述基材微粒上设置的金属被覆层的导电性粒子,其特征在于,前述金属被覆层中的金的含有率为90重量%以上99重量%以下。现有技术文献专利文献专利文献1 日本特开平08-279371号公报专利文献2 日本特许第2794009号公报专利文献3 日本特许第2748705号公报专利文献4 国际公开第03/(^955号小册子专利文献5 日本特开2006-028438号公报专利文献6 日本特开2001-155539号公报专利文献7 日本特开2005-036265号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题但是,如上述专利文献1所示,就在电路连接部件的一面形成绝缘性的粘接剂的方法而言,在凸起面积窄小化至小于3000 μ m2的情况下,为了得到稳定的连接电阻,需要增加电路连接部件中的导电粒子。当如此增加导电粒子时,关于相邻电极间的绝缘性,仍然具有改善的余地。另外,如上述专利文献2所示,就为了改善相邻电极间的绝缘性而用绝缘性的覆膜被覆导电粒子的整个表面的方法而言,存在虽然电路电极间的绝缘性变高、但是导电粒子的导电性容易变低这样的课题。另外,如上述专利文献3、4所示,就用绝缘性的子粒子被覆导电粒子表面的方法而言,由于子粒子与导电粒子的粘接性的问题,因此需要使用丙烯酸等树脂制的子粒子。这种情况下,通过热压接电路彼此时使树脂制的子粒子熔融而使导电粒子接触两电路,在电路间获得导通。已知此时,如果熔融的子粒子的树脂被覆导电粒子的表面,则与用绝缘性的覆膜被覆导电粒子的整个表面的方法同样,导电粒子的导电性容易变低。由于该理由,作为绝缘性的子粒子,适于使用无机氧化物等的硬度较高且熔融温度高的粒子。例如,上述专利文献4中,例示了用3-异氰酸酯丙基三乙氧基硅烷处理二氧化硅表面、使在表面上具有异氰酸酯基的二氧化硅与在表面上具有氨基的导电粒子反应的方法。但是,用官能团修饰粒径为500nm以下的粒子的表面一般较为困难。另外,当用官能团修饰后进行离心分离和过滤时,容易发生二氧化硅等无机氧化物聚集的问题。另外,就上述专利文献4所例示的方法而言,控制绝缘性的子粒子的被覆率较为困难。另外,在使用具有巯基、硫基、二硫基的任一基团的化合物处理金属表面的情况下,即使在金属上存在很少量的镍等贱金属或者铜这样的易氧化的金属,金属和化合物的反应也很难进行。另外,本专利技术人通过研究判明在导电粒子上被覆二氧化硅等无机物的情况下,由于二氧化硅挤坏导电粒子上的金属表面而呈现导电性。因此,由于二氧化硅破坏导电金属, 因此如果贵金属以外的物质混入导电金属,则具有迁移特性恶化的倾向。另外,如上述专利文献6所示,虽然近年来在镍层上进行镀金的类型的导电粒子正在成为主流,但是这类导电粒子中,存在镍溶出、引起迁移这样的课题。另外,如果将镀金的厚度设定为40nm以下,则该倾向变得更为明显。另外,如上述专利文献7所示,以金的含量为90重量%以上的金属被覆层被覆的导电粒子,虽然在可靠性方面良好,但是成本高。因此,很难说具备金含量高的金属被覆层的导电粒子合乎实用,近年来,具有降低金属被覆层的金含量的倾向。与此相对,具备铜镀层的导电粒子在导电性、成本上优异。但是,就具备铜镀层的导电粒子而言,由于容易发生迁移,因此出于耐吸湿性的观点考虑则存在问题。因此,进行了为了弥补二者(金和铜)的缺点的尝试,但是,都不完全。例如,就上述专利文献5所示的方法而言,不能充分地弥补二者(金和铜)的缺点。本专利技术是鉴于上述课题而完成的,其目的在于,提供一种不会引起迁移、成本便宜、并且导电性高、电极间的连接可靠性优异的导电粒子。解决课题的方法为了达成上述目的,第一项本专利技术所涉及的导电粒子具备核粒子(树脂微粒)和被覆核粒子、磷浓度为ι重量%以上10重量%以下、厚度为20nm以上130nm以下的钯层。 换言之,第一项本专利技术所涉及的导电粒子的特征在于,具备树脂微粒和在树脂微粒的表面形成的导电层,导电层为含有磷的钯层,钯层中的磷浓度为1重量%以上10重量%以下,钯层的厚度为20nm以上130nm以下。本专利技术的特征在于,上述钯层直接形成于树脂微粒的表面。换言之,本专利技术中,优选在树脂微粒的表面不存在钯以外的金属(例如镍)。这种本专利技术的特征,在达成下述本专利技术的效果上是不可缺少的。上述第一项本专利技术中,由于钯层具有延展性,因此当用具备上述导电粒子的各向异性导电性粘接剂连接一对电极时,即使在将导电粒子压缩后钯层也很难破裂。因此,能够提高压缩后的导电粒子的导电性及电极间的连接可靠性,并且能够防止起因于钯层的破裂的钯的迁移。另外,钯、与金、钼等贵金属相比便宜,并且实用。因此,具备钯层的上述第一项本专利技术所涉及的导电粒子与仅使用金或钼的导电粒子相比,成本低。上述第一项本专利技术中,由于钯层的厚度为20nm以上,因此能够得到充分的导电性。上述第一项本专利技术中,由于钯层中含有1重量%以上10重量%以下的磷,因此能够得到硬度高、陷入相对向的电极表面、且具有充分强度的导电膜。第二项本专利技术所涉及的导电粒子具备核粒子,被覆核粒子、磷浓度为1重量%以上10重量%以下、厚度为20nm以上130nm以下的钯层,和在钯层的表面配置、粒径为20 500nm的绝缘性粒子。当将在粘接剂中分散多个上述导电粒子而得到的各向异性导电性粘接本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种导电粒子,其特征在于,具备树脂微粒和在所述树脂微粒的表面形成的导电层,所述导电层为含有磷的钯层,所述钯层中的磷浓度为1重量%以上10重量%以下,所述钯层的厚度为20nm以上130nm以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:赤井邦彦
申请(专利权)人:日立化成工业株式会社
类型:发明
国别省市:JP

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