发光装置制造方法及图纸

公开了一种发光装置和具有该发光装置的照明系统。该发光装置包括：主体，其包括第一侧面部分和第二侧面部分、第三侧面部分和第四侧面部分，以及腔；向主体的第一侧面部分延伸的第一引线框架；向主体的第二侧面部分延伸的第二引线框架；第一和第二引线框架之间的间隙部分；以及腔内的模塑组件。第一引线框架包括具有第一深度的第一凹陷部分、以及在与主体的第一侧面部分相邻的区域中以第二深度凹陷的第二凹陷部分，并且第一凹陷部分的第一深度与第二凹陷部分的第二深度不同。

【技术实现步骤摘要】
发光装置本申请要求2012年9月13日提交的韩国专利申请第10-2012-0101821号的优先权,其全部内容通过引用结合到本文中。
技术介绍
本专利技术实施例涉及发光装置和包括该发光装置的照明系统。发光装置，例如发光二极管(LED)，是将电能转化为光的半导体装置，并作为代替传统荧光灯和辉光灯的下一代光源而被广泛应用。由于LED通过使用半导体装置产生光，因此与通过加热钨产生光的辉光灯、或者通过激发通过高压放电产生的紫外线与荧光体碰撞产生光的荧光灯相比，LED可以表现低功耗。另外，由于LED通过使用半导体装置的电势差产生光，因此，与传统光源相比，LED在寿命、响应特性和环保要求方面具有优势。在这方面，已经进行了用LED取代传统光源的各种研究。LED被日益增多地用作照明装置的光源，该照明装置例如为室内和室外使用的各种灯、液晶显示器、电子标志牌、以及路灯。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种具有新的引线框架结构的发光装置。本专利技术实施例提供一种发光装置，其包括大尺寸的发光芯片，并且，由于引线框架的阶梯式结构，该发光装置能够增强主体的下部与引线框架的耦合。本专利技术实施例提供一种发光装置，其能够最大化第一弓丨线框架和第二引线框架之间的间隙部分的下部面积。本专利技术实施例提供一种发光装置，其包括至少一个引线框架，该至少一个引线框架从两个侧面沿彼此相反的方向凹陷，并且凹陷的深度彼此不同。本专利技术实施例提供一种发光装置，其包括具有不同凹陷深度的第一引线框架和布置在该第一引线框架上的发光芯片。本专利技术实施例提供一种发光装置，其中，第一凹陷部分从第一引线框架和第二引线框架之间的间隙部分向第一引线框架凹陷的深度是第二凹陷部分向第一引线框架的另一侧凹陷的深度的2倍或更多倍。本专利技术实施例提供一种发光装置，其中，第一引线框架的第一凹陷部分的宽度等于第一引线框架的宽度。本专利技术实施例提供一种具有新的腔结构的发光装置。本专利技术实施例提供一种发光装置，其中，腔的第一内表面的宽度与对应于第一内表面的第二内表面的宽度不同。本专利技术实施例提供一种包括腔的发光装置，该腔具有内角为钝角的内表面。本专利技术实施例提供一种发光装置，其中，发光芯片更靠近腔的第一内表面，其中第一内表面的宽度大于第二内表面的宽度。本专利技术实施例提供一种发光装置，其具有位于腔内的发光芯片和设置在主体内的保护芯片。本专利技术实施例提供一种发光装置，其具有腔内的两对彼此相对的内表面和一对彼此不相对的内表面。根据本专利技术实施例，提供一种发光装置，其包括:主体，包括彼此相对的第一侧面部分和第二侧面部分，彼此相对的第三侧面部分和第四侧面部分，以及具有开放的上部的腔；第一引线框架，其被布置在腔的下表面上，并且向主体的第一侧面部分延伸；第二引线框架，其被布置在腔的下表面上并且向主体的第二侧面部分延伸；间隙部分，其被布置在第一引线框架和第二引线框架之间；以及模塑组件，其位于腔内。第一引线框架包括第一凹陷部分和第二凹陷部分，第一凹陷部分以第一深度从间隙部分向主体的第一侧面部分凹陷，第二凹陷部分以第二深度在与主体的第一侧面部分毗邻的区域内凹陷，并且，第一凹陷部分的第一深度与第二凹陷部分的第二深度不同。根据本专利技术实施例，提供一种发光装置，其包括:主体，包括彼此相对的第一侧面部分和第二侧面部分，彼此相对的第三侧面部分和第四侧面部分，以及具有开放的上部的腔；第一引线框架，其被布置在腔的下表面上并向主体的第一侧面部分延伸；第二引线框架，其被布置在腔的下表面上并且向主体的第二侧面部分延伸；间隙部分，其被布置在第一引线框架和第二引线框架之间；以及模塑组件，其位于腔内。第一引线框架包括第一凹陷部分和第二凹陷部分，第一凹陷部分以第一深度从间隙部分向主体的第一侧面部分凹陷，第二凹陷部分以第二深度在与主体的第一侧面部分毗邻的区域内凹陷，并且，第一凹陷部分的第一深度与第二凹陷部分的第二深度不同。腔包括第一内表面和第二内表面，第一内表面与发光芯片毗邻，第二内表面以比第一内表面和发光芯片之间的间隔更大的间隔与发光芯片分离开，并且与第一内表面相对地布置，并且第二内表面具有比第一内表面的宽度和发光芯片的至少一个侧面的宽度更小的宽度。根据本专利技术实施例，提供一种发光装置，其包括:主体，包括彼此相对的第一侧面部分和第二侧面部分，彼此相对的第三侧面部分和第四侧面部分，以及具开放的上部的腔；第一引线框架，其被布置在腔的下表面上并且向主体的第一侧面部分延伸；第二引线框架，其被布置在腔的下表面上并且向主体的第二侧面部分延伸；间隙部分，其被布置在第一引线框架和第二引线框架之间；以及模塑组件，其位于腔内。腔包括第一内表面和第二内表面，第一内表面与发光芯片毗邻，第二内表面以比第一内表面和发光芯片之间的间隔更大的间隔与发光芯分离开，并且与第一内表面相对地布置，并且腔的第一内表面的宽度与腔的第二内表面的宽度不同。【附图说明】图1是示出根据第一实施例的发光装置的立体图；图2是示出图1的发光装置的俯视图；图3是示出图1的发光装置的一部分的放大图；图4是沿图2的发光装置的Y-Y线得到的截面图；图5是沿图2的发光装置的X-X线得到的截面图；图6至图9是示出图2的发光装置的主体的侧面的截面图；图10是示出图2的发光装置的仰视图；图11和图12是示出图2的发光装置的引线框架的主视图和仰视图；图13和图14是示出在图11和图12中示出的发光装置的引线框架的其它例子的王视图和仰视图；图15是示出根据本专利技术第二实施例的发光装置的俯视图；图16是示出图15的发光装置的变型的俯视图；图17是示出图15的发光装置的变型的俯视图；图18是示出根据本专利技术第三实施例的发光装置的俯视图；图19是示出根据本专利技术第四实施例的发光装置的俯视图；图20是示出根据本专利技术第五实施例的发光装置的截面图；图21是示出根据本专利技术第六实施例的发光装置的截面图；图22是示出根据本专利技术第七实施例的发光装置的截面图；图23是示出根据本专利技术第八实施例的发光装置的截面图；图24至图26是示出根据本专利技术第九实施例的发光装置的视图；图27至图28是根据本专利技术实施例的发光装置的方向角的分布的比较的曲线图；图29是示出根据本专利技术实施例的发光装置中的发光芯片的一个例子的截面图；图30是示出根据本专利技术实施例的发光装置中的发光芯片的另一个例子的截面图；图31是示出具有根据本专利技术实施例的发光装置的显示设备的立体图；图32是示出根据本专利技术实施例的显示设备的截面图；以及图33是示出具有根据本专利技术实施例的发光装置的照明装置的分解立体图。【具体实施方式】在下面的描述中，当预定部分“包括”预定部件时，该预定部分并不排除其他部件，除非特别说明，该预定部分也可以包括其他部件。在对实施例的描述中，应当理解，当基板、框架、片、层、或图案被称为在另一基板、另一框架、另一片、另一层、或另一图案“上”时，其可以“直接地”或“间接地”在也可以存在的另一基板、另一框架、另一片、另一层、或另一图案上。相比之下，当一部分被称为“直接地”在另一部分“上”时，不存在中间层。在下文中，根据附图和本专利技术实施例的描述，本领域技术人员将清楚地理解本专利技术实施例。出于方便或清楚地目的，附图中示出的每一层的厚度和尺寸可能被夸大、省略、或示意性画出。另外，元件的尺寸并不绝对反应实际的尺寸。在所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光装置，包括：主体，其包括彼此相对的第一侧面部分和第二侧面部分、彼此相对的第三侧面部分和第四侧面部分、以及具有开放的上部的腔；第一引线框架，其被布置在所述腔的下表面上，并且向所述主体的所述第一侧面部分延伸；第二引线框架，其被布置在所述腔的下表面上，并且向所述主体的所述第二侧面部分延伸；间隙部分，其被布置在所述第一引线框架和所述第二引线框架之间；以及模塑组件，其在所述腔内；其中，所述第一引线框架包括第一凹陷部分和第二凹陷部分，其中所述第一凹陷部分以第一深度从所述间隙部分向所述主体的所述第一侧面部分凹陷，所述第二凹陷部分以第二深度在与所述主体的所述第一侧面部分相邻的区域内凹陷；所述第一凹陷部分的所述第一深度与所述第二凹陷部分的所述第二深度不同；所述腔包括第一内表面和第二内表面，其中所述第一内表面与发光芯片相邻，所述第二内表面以大于所述第一内表面与所述发光芯片之间的间隔的间隔与所述发光芯片间隔开，并且与所述第一内表面相对布置；并且所述第二内表面的宽度小于所述第一内表面的宽度以及所述发光芯片的至少一个侧面的宽度。

【技术特征摘要】
2012.09.13 KR 10-2012-01018211.一种发光装置，包括: 主体，其包括彼此相对的第一侧面部分和第二侧面部分、彼此相对的第三侧面部分和第四侧面部分、以及具有开放的上部的腔； 第一引线框架，其被布置在所述腔的下表面上，并且向所述主体的所述第一侧面部分延伸； 第二引线框架，其被布置在所述腔的下表面上，并且向所述主体的所述第二侧面部分延伸； 间隙部分，其被布置在所述第一引线框架和所述第二引线框架之间；以及 模塑组件，其在所述腔内； 其中，所述第一引线框架包括第一凹陷部分和第二凹陷部分，其中所述第一凹陷部分以第一深度从所述间隙部分向所述主体的所述第一侧面部分凹陷，所述第二凹陷部分以第二深度在与所述主体的所述第一侧面部分相邻的区域内凹陷； 所述第一凹陷部分的所述第一深度与所述第二凹陷部分的所述第二深度不同； 所述腔包括第一内表面和第二内表面，其中所述第一内表面与发光芯片相邻，所述第二内表面以大于所述第一内表面与所述发光芯片之间的间隔的间隔与所述发光芯片间隔开，并且与所述第一内表面相对布置；并且 所述第二内表面的宽度小于所述第一内表面的宽度以及所述发光芯片的至少一个侧面的宽度。2.如权利要求 1所述的发光装置，其中，所述腔还包括:第三内表面和第四内表面，所述第三内表面和所述第四内表面与所述第一内表面相连，并且在所述发光芯片的两侧彼此相对；所述第二内表面和所述第三内表面之间的第五内表面；以及所述第二内表面和所述第四内表面之间的第六内表面。3.如权利要求2所述的发光装置，还包括保护芯片，其被布置在所述第二引线框架上，并且被布置在所述主体的所述第一至第四侧面部分中的至少一个与所述腔之间。4.如权利要求3所述的发光装置，其中，所述保护芯片被布置在所述腔的所述第五内表面和所述第六内表面中的至少一个与所述主体的所述第二侧面部分和所述第三侧面部分中的至少一个之间。5.如权利要求1至4中任一项所述的发光装置，其中，所述第一凹陷部分的所述第一深度是所述第二凹陷部分的所述第二深度的两倍或更多倍，或者所述第一深度在所述第一引线框架的长度的30%至60%的范围内。6.如权利要求1至4中任一项所述的发光装置，其中，所述间隙部分延伸到所述第一凹陷部分内，并且所述间隙部分的下表面的宽度是所述间隙部分的上表面的宽度的两倍或更多倍。7.如权利要求1至4中任一项所述的发光装置，其中，所述第一引线框架与所述主体的所述第一侧面部分相邻，并且延伸至彼此相对的所述第三侧面部分和所述第四侧面部分的下部，并且所述第一凹陷部分的宽度等于所述主体的所述第三侧面部分和所述第四侧面部分之间的间隔。8.如权利要求1至4中任一项所述的发光装置，...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹汝赞，郑在桓，严允植，许起绿，金镇成，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR