阵列基板以及显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板以及显示装置。一种阵列基板，包括基板以及设置于基板上的多条栅线和多条数据线，栅线与数据线交叉设置且将基板划分为多个像素区域，像素区域内设置有薄膜晶体管，薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极，栅极与栅线电连接，源极与数据线电连接，其中，栅极、栅线与数据线同层设置，数据线在与栅线交叉的区域断开，断开的数据线通过与数据线不同层的数-数连接线电连接。有益效果是：本实用新型专利技术的阵列基板中，有源层采用金属氧化物半导体材料形成，整个阵列基板仅需采用四次构图工艺即可制备完成，且栅线与数据线由形成栅极的同层金属层形成，简化了工艺，极大地提高了产能，节约了成本。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
阵列基板以及显示装置
本技术属于显示
，具体涉及一种阵列基板以及显示装置。
技术介绍
随着科学技术的发展，平板显示装置已取代笨重的CRT(Cathode Ray Tube,阴极射线管)显示装置日益深入人们的日常生活中。目前，常用的平板显示装置包括LCD(Liquid Crystal Display:液晶显不装置)、PDP (Plasma Display Panel:等离子显不装置)和OLED (Organic Light-Emitting Diode:有机发光二极管)显示装置。尤其是OLED显示装置，与LCD相比，具有自发光、响应速度快宽视角等诸多优点，可用于柔性显示、透明显示,3D显示等多种应用。在成像过程中，IXD和有源矩阵驱动式OLED (Active Matrix Organic LightEmission Display,简称AMOLED)显示装置中的每一像素点都由集成在阵列基板中的薄膜晶体管(Thin Film Transistor:简称TFT)来驱动,从而实现图像显示。每个薄膜晶体管可独立控制一个像素点，而不会对其他像素点造成串扰。薄膜晶体管作为发光控制开关，是实现LCD和OLED显示装置显示的关键，直接关系到高性能显示装置的发展方向。薄膜晶体管主要包括栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极。目前，有源层通常采用含硅材料或金属氧化物半导体材料形成。采用金属氧化物半导体材料作为有源层，薄膜晶体管具有较好的开态电流、开关特性，且迁移率高，均匀性好，不需要增加补偿电路，在掩模数量和制作难度上均有优势；金属氧化物半导体材料具有高氧含量时能表现出很好的半导体特性，具有较低氧含量时具有较低的电阻率，因此可作为透明电极使用，足以用于需要快速响应和较大电流的应用，如应用于高频、高分辨率、中大尺寸的IXD以及OLED显示装置中。同时，金属氧化物半导体材料形成有源层的制作工艺简单，采用溅射等方法即可，与现有的LCD产线匹配性好，容易转型，不需增加额外的设备，具有成本优势。但是，采用金属氧化物半导体材料作为有源层，薄膜晶体管的制备工艺一般需采用六次以上的构图工艺，产能较低。如图1所示，现有技术中采用金属氧化物半导体材料形成有源层的薄膜晶体管的一种典型结构为:在基板I上设置栅极2a，在栅极2a上设置栅绝缘层3，在栅绝缘层3上设置有源层4 (即金属氧化物半导体层)，在有源层4上设置刻蚀阻挡层5，在刻蚀阻挡层5上设置源极6a和漏极6b，在源极6a和漏极6b上设置钝化层7，在钝化层7上设置像素电极8 (即ITO透明电极层)。相应的，上述结构的薄膜晶体管的制备方法为:在基板I上沉积栅极金属材料，采用第一次构图工艺形成栅极2a ;在栅极2a上沉积栅绝缘层3，在栅绝缘层3上沉积有源层4，采用第二次构图工艺形成沟槽区和源极、漏极接触区；在有源层4上沉积刻蚀阻挡层薄膜，采用第三次构图工艺形成刻蚀阻挡层5 ;在刻蚀阻挡层5上沉积金属材料，采用第四次构图工艺形成源极6a和漏极6b ;在源极6a和漏极6b上沉积钝化层薄膜,采用第五次构图工艺形成钝化层7以及钝化层7中的过孔；在钝化层7上沉积ITO透明电极材料，采用第六次构图工艺形成像素电极8，像素电极8通过过孔与漏极6b连接。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是针对现有技术中存在的上述不足，提供一种阵列基板以及显示装置，该阵列基板仅需采用四次构图工艺即可制备完成，且栅线与数据线由形成栅极的同层金属层形成，简化了工艺。解决本技术技术问题所采用的技术方案是该阵列基板，包括基板以及设置于所述基板上的多条栅线和多条数据线，所述栅线与所述数据线交叉设置且将所述基板划分为多个像素区域，所述像素区域内设置有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极，所述栅极与所述栅线电连接，所述源极与所述数据线电连接，其中，所述栅极、所述栅线与所述数据线同层设置，所述数据线在与所述栅线交叉的区域断开，断开的所述数据线通过与所述数据线不同层的数-数连接线电连接。优选的是，所述像素区域内还设置有像素电极，所述数-数连接线、所述源极、所述漏极与所述像素电极同层设置，所述数-数连接线设置于对应着所述数据线与所述栅线的断开区域、且与断开的所述数据线连接。优选的是，所述阵列基板还包括栅绝缘层和有源层，所述栅绝缘层设置于所述栅极与所述源极和所述漏极之间；所述有源层与所述栅极正对设置，且位于所述栅绝缘层远离所述栅极的一侧；所述源极与所述漏极紧邻所述有源层设置于对应着所述有源层的两端、且与所述栅极在正投影方向上部分重叠。一种优选的结构是，所述阵列基板还包括刻蚀阻挡层，所述栅极、所述栅线与所述数据线同层设置于所述基板上；所述栅绝缘层设置于所述栅极、所述栅线与所述数据线的上方，且完全覆盖所述栅极、所述栅线与所述数据线，所述栅绝缘层在对应着所述数据线的区域开设有第一连接线过孔和第一源-数连接线过孔；所述有源层设置于所述栅绝缘层对应着所述栅极的上方，且完全覆盖所述栅极对应着的区域；所述刻蚀阻挡层设置于所述有源层的上方，所述刻蚀阻挡层对应着所述有源层的一端开设有源极过孔，所述刻蚀阻挡层对应着所述有源层的另一端开设有漏极过孔，所述刻蚀阻挡层对应着所述数据线的区域开设有第二连接线过孔和第二源-数连接线过孔；所述数-数连接线、所述源极、所述漏极与所述像素电极同层设置于所述刻蚀阻挡层的上方，所述源极嵌入所述源极过孔且与所述有源层接触，所述源极与所述数据线通过所述第一源-数连接线过孔和所述第二源-数连接线过孔电连接，所述数-数连接线通过所述第一连接线过孔和所述第二连接线过孔使得断开的多条所述数据线电连接；所述漏极嵌入所述漏极过孔且与所述有源层接触，所述漏极与所述像素电极电连接。一种优选的结构是，所述阵列基板还包括钝化层，所述有源层设置于所述基板上；所述栅绝缘层设置于所述有源层的上方，且所述有源层与所述栅线平行的相对的两端未被所述栅绝缘层覆盖；所述栅极、所述栅线与所述数据线同层设置于所述栅绝缘层的上方，且所述栅极在正投影方向上的面积小于所述有源层的面积；所述钝化层设置于所述栅极、所述栅线与所述数据线的上方，且完全覆盖所述栅极、所述栅线与所述数据线，所述钝化层对应着所述有源层未被所述栅绝缘层覆盖的一端开设有源极过孔，所述钝化层对应着所述有源层未被所述栅绝缘层覆盖的另一端开设有漏极过孔，所述钝化层对应着所述数据线的区域开设有连接线过孔和源-数连接线过孔；所述数-数连接线、所述源极、所述漏极与所述像素电极同层设置于所述钝化层的上方，所述源极嵌入所述源极过孔且与所述有源层接触，所述源极与所述数据线通过源-数连接线过孔电连接，所述数-数连接线通过连接线过孔使得断开的多条所述数据线电连接；所述漏极嵌入所述漏极过孔且与所述有源层接触，所述漏极与所述像素电极电连接。优选的是，所述栅极、所述栅线和所述数据线采用相同的材料、且在同一构图工艺中形成。进一步优选的是，所述栅极、所述栅线和所述数据线均采用钥、钥铌合金、铝、铝钕合金、钛、铬或铜形成；所述栅极、所述栅线和所述数据线为单层或多层复合叠层结构，所述栅极、所述栅线和所述数据线的厚度范围为100-3000nm。优选的是，所述数-数连接线、所述源极、所述漏极和所述像素电极采用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括基板以及设置于所述基板上的多条栅线和多条数据线，所述栅线与所述数据线交叉设置且将所述基板划分为多个像素区域，所述像素区域内设置有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极，所述栅极与所述栅线电连接，所述源极与所述数据线电连接，其特征在于，所述栅极、所述栅线与所述数据线同层设置，所述数据线在与所述栅线交叉的区域断开，断开的所述数据线通过与所述数据线不同层的数‑数连接线电连接。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括基板以及设置于所述基板上的多条栅线和多条数据线，所述栅线与所述数据线交叉设置且将所述基板划分为多个像素区域，所述像素区域内设置有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极，所述栅极与所述栅线电连接，所述源极与所述数据线电连接，其特征在于，所述栅极、所述栅线与所述数据线同层设置，所述数据线在与所述栅线交叉的区域断开，断开的所述数据线通过与所述数据线不同层的数-数连接线电连接。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素区域内还设置有像素电极，所述数-数连接线、所述源极、所述漏极与所述像素电极同层设置，所述数-数连接线设置于对应着所述数据线与所述栅线的断开区域、且与断开的所述数据线连接。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括栅绝缘层和有源层，所述栅绝缘层设置于所述栅极与所述源极和所述漏极之间；所述有源层与所述栅极正对设置，且位于所述栅绝缘层远离所述栅极的一侧；所述源极与所述漏极紧邻所述有源层设置于对应着所述有源层的两端、且与所述栅极在正投影方向上部分重叠。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括刻蚀阻挡层， 所述栅极、所述栅线与所述数据线同层设置于所述基板上； 所述栅绝缘层设置于所述栅极、所述栅线与所述数据线的上方，且完全覆盖所述栅极、所述栅线与所述数据线，所述栅绝缘层在对应着所述数据线的区域开设有第一连接线过孔和第一源-数连接线过孔； 所述有源层设置于所述栅绝缘层对应着所述栅极的上方，且完全覆盖所述栅极对应着的区域； 所述刻蚀阻挡层设置于所述有源层的上方，所述刻蚀阻挡层对应着所述有源层的一端开设有源极过孔，所述刻 蚀阻挡层对应着所述有源层的另一端开设有漏极过孔，所述刻蚀阻挡层对应着所述数据线的区域开设有第二连接线过孔和第二源-数连接线过孔； 所述数-数连接线、所述源极、所述漏极与所述像素电极同层设置于所述刻蚀阻挡层的上方，所述源极嵌入所述源极过孔且与所述有源层接触，所述源极与所述数据线通过所述第一源-数连接线过孔和所述第二源-数连接线过孔电连接，所述数-数连接线通过所述第一连接线过孔和所述第二连接线过孔使得断开的多条所述数据线电连接；所述漏极嵌入所述漏极过孔且与所述有源层接触，所述漏极与所述像素电极电连接。5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括钝...

【专利技术属性】
技术研发人员：成军，宁策，孙宏达，杨维，王珂，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11