金属积层陶瓷基板的分断方法及沟槽加工用工具技术

本发明专利技术是有关于一种金属积层陶瓷基板的分断方法及沟槽加工用工具，用于将在陶瓷基板积层有金属膜的积层陶瓷基板分断。该分断方法包括：对积层陶瓷基板(10)的金属膜(12)使用图案化工具沿着刻划预定线进行沟槽加工；自陶瓷基板(11)的面或自金属膜(12)侧的沟槽(12a)，借由刻划装置于陶瓷基板(11)形成划线；自陶瓷基板(11)侧的面沿着划线进行折断。借由此方法，可将积层陶瓷基板(10)完全分断。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术是有关于一种金属积层陶瓷基板的分断方法及沟槽加工用工具，用于将在陶瓷基板积层有金属膜的积层陶瓷基板分断。该分断方法包括：对积层陶瓷基板(10)的金属膜(12)使用图案化工具沿着刻划预定线进行沟槽加工；自陶瓷基板(11)的面或自金属膜(12)侧的沟槽(12a)，借由刻划装置于陶瓷基板(11)形成划线；自陶瓷基板(11)侧的面沿着划线进行折断。借由此方法，可将积层陶瓷基板(10)完全分断。【专利说明】金属积层陶瓷基板的分断方法及沟槽加工用工具
本专利技术是关于一种在陶瓷基板积层有金属膜的积层陶瓷基板的分断方法及沟槽加工用工具。
技术介绍
先前，在将在陶瓷基板积层有金属膜的积层陶瓷基板分断的情形时，使用晶圆切割机等进行分断的情况较多。又，专利文献I中提出有在将陶瓷基板刻划之后接合金属层，借由蚀刻而去除划线的金属层之后进行折断的陶瓷接合基板的制造方法。上述专利文献I中存在如下问题点:必须在陶瓷基板积层金属薄膜之前进行刻划，无法将已经积层的积层陶瓷基板分断。又，为了将经积层的积层陶瓷基板分断，如图1(a)所示，对将在陶瓷基板101积层有金属膜102的积层基板100刻划后进行折断的情形进行说明。首先，如图1(b)所示，在陶瓷基板101的面利用刻划轮103进行刻划，如图1 (c)所示，自陶瓷基板101侧利用折断棒104按压而进行折断。在该情形时，由于即便陶瓷基板101可分离而金属膜102不会分离，故如图1(d)所示，存在即便实施折断而金属膜102不分离导致残存，无法进行完全的分断的问题点。又，作为其他方法，如图2(a)、图2(b)所示，对积层陶瓷基板100之中金属膜102的面使用刻划轮103实施刻划。继而，如图2(c)所示，即便欲使用折断棒104将积层陶瓷基板分断，而在金属膜102未形成充分的垂直裂痕，在陶瓷基板101侧未产生垂直裂痕。因此，存在折断困难，无法分离，或者如图2(d)所示无法按照划线分离的问题点。`日本专利特开2009-252971号公报
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种金属积层陶瓷基板的分断方法及沟槽加工用工具，可将在陶瓷基板积层有金属膜的积层陶瓷基板完全分断而个别化。本专利技术的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。本专利技术的积层陶瓷基板的分断方法，是在陶瓷基板积层有金属膜的积层陶瓷基板的分断方法，沿着上述积层陶瓷基板的刻划预定线利用图案化工具对金属膜进行沟槽加工，沿着去除上述金属膜的沟槽自上述陶瓷基板的面进行刻划，使上述积层陶瓷基板与刻划线一致而进行折断。本专利技术的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现的。本专利技术的积层陶瓷基板的分断方法，是在陶瓷基板积层有金属膜的积层陶瓷基板的分断方法，沿着上述积层陶瓷基板的刻划预定线自上述陶瓷基板的面进行刻划，沿着上述陶瓷基板的划线自上述金属膜的面对金属膜利用图案化工具进行沟槽加工，使上述积层陶瓷基板与上述划线一致而进行折断。本专利技术的目的及解决其技术问题又采用以下技术方案来实现的。本专利技术的积层陶瓷基板的分断方法，是在陶瓷基板积层有金属膜的积层陶瓷基板的分断方法，沿着上述陶瓷基板的刻划预定线对金属膜利用图案化工具进行沟槽加工，自上述金属膜的面沿着去除金属膜的沟槽对上述陶瓷基板转动刻划轮而进行刻划，与上述积层陶瓷基板的划线一致而进行折断。本专利技术的目的及解决其技术问题再采用以下技术方案来实现的。本专利技术的沟槽加工用工具，是如上所述的积层陶瓷基板的分断方法中可使用的用以将金属膜积层陶瓷基板的金属膜的一部分去除而进行沟槽加工的沟槽加工用工具，且刀尖为圆锥台形状、角柱状或将角柱状的左右切开的形状的任一形状。此处，上述陶瓷基板的刻划亦可为使用有刻划轮的刻划。借由上述技术方案，本专利技术的金属积层陶瓷基板的分断方法及沟槽加工用工具至少具有下列优点及有益效果:根据具有如此特征的本专利技术，将在陶瓷基板积层有金属膜的积层陶瓷基板沿着刻划预定线进行沟槽加工，而将金属膜带状地去除。而且，自陶瓷基板的面或自去除金属膜的沟槽刻划陶瓷基板，然后，使积层陶瓷基板反转而进行折断。因此，可获得可避免金属膜的剥离，可完全分断为所期望的形状而个别化，可使端面精度提高的效果O上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本专利技术的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。【专利附图】【附图说明】图1 (a)、(b)、(C)及⑷表示自积层陶瓷基板的陶瓷基板侧刻划及折断的情形时的分断处理图。图2 (a)、(b)、(C)及(d)表示自积层陶瓷基板的金属膜侧刻划而进行折断时的状态的图。图3 (a)、(b)、(c)及⑷表示本专利技术的第I实施例的积层陶瓷基板的分断处理(沟槽加工及刻划)图。图4(e)、(f)表示本专利技术的第I实施例的积层陶瓷基板的分断处理(折断)图。图5 (a)、(b)、(c)及⑷表示本专利技术的第2实施例的积层陶瓷基板的分断处理(沟槽加工及刻划)图。图6(e)、(f)表示本专利技术的第2实施例的积层陶瓷基板的分断处理(折断)图。图7 (a)、图7 (b)及图7 (c)表示本实施例中所使用的金属膜的沟槽加工所使用的图案化工具的图。【主要元件符号说明】10:积层陶瓷基板11:陶瓷基板12:金属膜12a:沟槽13、14:刻划轮 15、16:支撑构件17:胶带18:折断棒【具体实施方式】为更进一步阐述本专利技术为达成预定专利技术目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本专利技术提出的一种金属积层陶瓷基板的分断方法及沟槽加工用工具的【具体实施方式】、结构、特征及其功效，详细说明如后。<第I实施例>图3 (a)表示在陶瓷基板11形成有金属膜12的成为分断对象的积层陶瓷基板(以下，简称为积层基板)10的图。此处,陶瓷基板11既可为LTCC(Low-Tempera ture Co-firedCeramic，低温共烧多层陶瓷)基板，亦可为氧化铝或氮化铝、钛酸钡、氮化硅等的陶瓷基板。又，金属膜12为镍、银、金、铜及钼等的薄膜，例如膜厚为10?20 μ m。此时，金属膜12亦可为形成有某些图案。在将如此的积层基板10以特定图案分断的情形时，首先，如图3(b)所示，自陶瓷基板11侧沿着刻划预定线，利用图案化工具去除金属膜12。该金属膜的去除是使用例如用作太阳能电池的沟槽加工工具的刻划装置，例如日本专利特开2011-216646号的刻划装置将金属膜12的一部分直线状地使用图案化工具13而去除。此时的剖面图如图3(c)所示。该沟槽12a的宽度例如为25?200 μ m的宽度。此时的图案化工具13亦可如图7(a)所示为圆锥台形状的工具。又，如图7(b)所示，既可为刀尖为角柱状的工具，进而，如图7(c)所示，亦可为将角柱状的左右切开的形状的工具。又，不仅工具的前端而且全体亦可为角柱状。然后，使形成有沟槽的积层基板10如图3(d)般反转沿着刻划预定线对陶瓷基板11进行刻划。该刻划是借由图未示的刻划装置而以固定的荷重按压刻划轮14并使之转动以使裂痕垂直地浸透的方式形成划线SI。较佳为该刻划所使用的刻划轮是使用可进行高浸透的刻划。例如，如日本专利文献3074143号所示，提出有于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种积层陶瓷基板的分断方法，其是在陶瓷基板积层有金属膜的积层陶瓷基板的分断方法，其特征在于该分断方法包括：沿着上述积层陶瓷基板的刻划预定线利用图案化工具对金属膜进行沟槽加工；沿着已去除上述金属膜的沟槽自上述陶瓷基板的面进行刻划；及使上述积层陶瓷基板与划线一致而进行折断。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：武田真和，村上健二，田村健太，
申请(专利权)人：三星钻石工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP