发光二极管及其制造方法技术

一种发光二极管，其包括基板、嵌设于基板的第一电极组合与第二电极组合、及电性连接至第一电极组合及第二电极组合的若干发光二极管晶粒，所述第一电极组合包括间隔设置的第一电极及第二电极，所述第二电极组合位于第一、第二电极之间，其包括第三电极，所述基板包括主体部及自主体部中部向下凸设的延伸部，所述第一、第二、第三电极嵌设于基板的主体部，所述第三电极的下表面被所述延伸部覆盖，所述第一、第二电极的下表面外露于所述基板，所述发光二极管晶粒电性连接所述第一电极、第二电极及第三电极。本发明专利技术还涉及这种发光二极管的制造方法。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管及其制造方法
本专利技术涉及一种发光元件及其制造方法，特别设计一种发光二极管及其制造方法。
技术介绍
发光二极管(LightEmittingDiode，LED)是一种可将电流转换成特定波长范围的光的半导体元件，凭借其发光效率高、体积小、重量轻、环保等优点，已被广泛地应用到当前的各个领域当中。现有的发光二极管，通常包括一基板，设置于基板上的若干个间隔的第一电极及第二电极，若干分别电性连接至第一电极及第二电极的发光二极管晶粒，这些发光二极管晶粒可根据需要组成串联、并联或串、并联状态。由于传统的发光二极管的第一电极及第二电极与外界电路板装设时，每一电极通过焊料焊接至外界电路板。这样一来，一方面，需要重复大量的焊接操作，浪费工时；另一方面，由于相邻的电极之间距离较小，在焊接过程中容易因相邻的电极上的焊料粘连而导致相邻电极短路，从而损坏发光二极管。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种安全性高的发光二极管及其制造方法。一种发光二极管，其包括基板、嵌设于基板的第一电极组合与第二电极组合、及电性连接至第一电极组合及第二电极组合的若干发光二极管晶粒，所述第一电极组合包括间隔设置的第一电极及第二电极，所述第二电极组合位于第一、第二电极之间，其包括第三电极，所述基板包括主体部及自主体部中部向下凸设的延伸部，所述第一、第二、第三电极嵌设于基板的主体部，所述第三电极的下表面被所述延伸部覆盖，所述第一、第二电极的下表面外露于所述基板，所述发光二极管晶粒电性连接所述第一电极、第二电极及第三电极。一种发光二极管的制造方法，其包括以下步骤：提供组接框，所述组接框包括内空的导线架、围设于所述导线架内且间隔设置的第一电极组合与第二电极组合及连接所述第一电极组合及第二电极组合的金属支架，所述第一电极组合包括间隔的第一电极及第二电极，所述第二电极组合位于第一电极及第二电极之间，且包括第三电极；提供二垫片，并将所述二垫片分别设置于所述第一电极及第二电极的下表面；在所述组接框内的间隔区域内形成所述基板，所述基板包括主体部及自主体部下表面中部向下凸设的延伸部，所述第一电极、第二电极及第三电极嵌设于基板的主体部，所述第一电极及第二电极的下表面外露于所述基板，所述第三电极的下表面被所述延伸部覆盖；在该组接框上形成覆盖组接框的封装体，并将发光二极管晶粒通过所述金属引线对应电性连接至所述第一电极、第二电极以及第三电极上；分离组接框与垫片；切割导线架与基板形成多个发光二极管。上述发光二极管中，由于所述第一电极组合的第一电极及第二电极的下表面外露于所述基板，而第三电极的下表面被基板的延伸部覆盖，因此，在该第一电极与第二电极在焊接至外界电路时，第三电极被基板阻隔而不与焊料粘接，且由于所述第二电极组合位于第一、第二电极之间，第一电极与第二电极之间因为距离较大，其上的焊料也不易于粘连在一起，从而避免导致整个发光二极管短路连接，有利于提高了该发光二极管的安全使用性。下面参照附图，结合具体实施方式对本专利技术作进一步的描述。附图说明图1为本专利技术第一实施例中的发光二极管的立体图。图2为图1所示的发光二极管沿II-II线的剖视图。图3至图10为本专利技术的发光二极管的制造方法步骤示意图。主要元件符号说明发光二极管1组接框2第一电极组合11第二电极组合13基板20本体21延伸部23容置部27a、27b发光二极管晶粒30封装体40通孔41金属支架50连接条51、53、55垫片60a、60b第一电极111第二电极113第三电极131第四电极133第一收容孔251第二收容孔252第三收容孔253第四收容孔254第一主体部1111第一支撑部1113第二主体部1131第二支撑部1133第三主体部1311第三支撑部1313第四主体部1331第四支撑部1333如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本专利技术。具体实施方式请参见图1，本专利技术第一实施例中的发光二极管1，其包括一基板20、嵌设于基板20的一第一电极组合11、一第二电极组合13、电性连接至第一电极组合11及第二电极组合13的若干发光二极管晶粒30及覆盖所述第一电极组合11及第二电极组合13的一封装体40。请一并参见图2，该第一电极组合11与第二电极组合13间隔设置，且沿所述发光二极管1的纵向位于同一直线上。该第一电极组合11包括一第一电极111及与该第一电极111间隔的第二电极113。该第二电极组合13位于该第一电极111与第二电极113之间，且包括间隔的第三电极131及第四电极133。所述第一电极111、第二电极113、第三电极131以及第四电极133的厚度相等，且其上表面及下表面分别平齐。该第一电极111、第二电极113、第三电极131以及第四电极133沿发光二极管1上的II-II线的纵截面均呈“T”型。第一电极111及第二电极113的上表面及下表面均外露于所述基板20。该第一电极111及第二电极113外露于基板20的下表面用以与焊料配合。所述第一电极111包括一第一主体部1111及自该第一主体部1111下表面中部斜向下向内延伸的一第一支撑部1113。该第一主体部1111为长方形板体。该第一支撑部1113的纵截面呈梯形。该第一支撑部1113的宽度自靠近第一主体部1111的顶端向远离第一主体部1111的底端方向逐渐减小。所述第二电极113与第一电极111的结构类似，且该第二电极113沿发光二极管1纵向延伸的长度大于第一电极111沿发光二极管1纵向延伸的长度。该第二电极113沿发光二极管1横向延伸的宽度等于第一电极111沿发光二极管1横向延伸的宽度。所述第二电极113包括一第二主体部1131及自该第二主体部1131下表面中部斜向下向内延伸的一第二支撑部1133。该第二主体部1131为长方形板体，且与第一主体部1111的厚度相等。该第二支撑部1133的截面均为梯形。该第二支撑部1133的宽度自靠近第二主体部1131的顶端向远离第二主体部1131的底端方向逐渐减小。该第二支撑部1133自第二主体部1131下表面竖直向下延伸的高度等于所述第一支撑部1113自第一主体部1111下表面竖直向下延伸的高度。所述第三电极131与第四电极133之间通过金属支架50电性连接。该第三电极131及第四电极133的上表面均外露于所述基板20的顶面，下表面均位于基板20内部。第三电极131外露于基板20的上表面用以承载所述发光二极管晶粒30。所述第三电极131与所述第一电极组合11的第二电极113的结构相同，其包括一第三主体部1311、自该第三主体部1311下表面斜向下向内延伸的第三支撑部1313。其中，所述第三主体部1311的厚度等于所述第一主体部1111或第二主体部1131的厚度。所述第三支撑部1313自第三主体部1311下表面竖直向下延伸的高度等于所述第二支撑部1133自第二主体部1131下表面竖直向下延伸的高度。所述第四电极133与所述第一电极组合11的第一电极111的结构相同，其包括一第四主体部1331、自该第四主体部1331下表面中部斜向下向内延伸的第四支撑部1333。其中，所述第四主体部1331的厚度等于所述第一主体部1111、第二主体部1131或第三主体部1311的厚度；所述第四支撑部1333自第四主体部1331下表面竖直向下延伸本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管，其包括基板、嵌设于基板的第一电极组合与第二电极组合、及电性连接至第一电极组合及第二电极组合的若干发光二极管晶粒，其特征在于：所述第一电极组合包括间隔设置的第一电极及第二电极，所述第二电极组合位于第一、第二电极之间，其包括第三电极，所述基板包括主体部及自主体部中部向下凸设的延伸部，所述第一、第二、第三电极嵌设于基板的主体部，所述第三电极的下表面被所述延伸部覆盖，所述第一、第二电极的下表面外露于所述基板，所述发光二极管晶粒电性连接所述第一电极、第二电极及第三电极。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其包括基板、嵌设于基板的第一电极组合与第二电极组合、及电性连接至第一电极组合及第二电极组合的若干发光二极管晶粒，其特征在于：所述第一电极组合包括间隔设置的第一电极及第二电极，所述第二电极组合位于第一、第二电极之间，其包括第三电极及与该第三电极间隔的第四电极，所述基板包括主体部及自主体部中部向下凸设的延伸部，所述第一、第二、第三电极嵌设于基板的主体部，所述第三电极的下表面被所述延伸部覆盖，所述第一、第二电极的下表面外露于所述基板，所述发光二极管晶粒电性连接所述第一电极、第二电极及第三电极，所述第一电极、第二电极及第三电极的厚度相等，所述发光二极管还包括金属支架，该金属支架收容于所述基板内部，且所述第三电极与第四电极之间通过该金属支架电性连接。2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述主体部超出延伸部的相对两端开设有自上向下贯穿的第一收容孔及第二收容孔，所述主体部的中部开设有自上向下延伸自延伸部的第三收容孔，所述第一电极、第二电极分别对应收容于所述第一收容孔及第二收容孔，且所述第一电极及第二电极的上表面及下表面均外露于所述主体部，所述第三电极收容于所述第三收容孔中。3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管晶粒的数目为两个，且所述发光二极管晶粒的其中之一的引线分别电性连接第一电极、第三电极，其中之另一的引线分别电性连接第二电极、第四电极。4.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第四电极的厚度与所述第一电极、第二电极及第三电极的厚度相等。5.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述主体部超出延伸部的相对两端开设有自上向下贯穿的第一收容孔及第二收容孔，所述主体部的中部开设有自上向下延伸自延伸部的第三收容孔及第四收容孔，所述第一电极、第二电极分别收容于所述第一收容孔、第二收容孔中，且所述第一电极及第二电极的上表面及下表面均外露于所述主体部，所述第三电极、第四电极分别收容于所述第三收容孔、第四收容孔中，所述第三电极、第四电极的上表面外露于基板，而下表面收容于基板内部且被所述延伸部覆盖，且所述第四电极的上表面与第一电极、第二电极以及第三电极的上表...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄哲瑄，陈滨全，陈隆欣，曾文良，黄郁良，
申请(专利权)人：展晶科技深圳有限公司， 荣创能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44