去耦合元件及其制造方法技术

一种去耦合元件包括导线架以及至少一电容单元组。导线架包括阴极端子部及至少两个阳极端子部。阳极端子部位于阴极端子部的两端且彼此对向，阳极端子部通过导电线电性相连，其中阳极端子部于第一方向延伸为延伸部，阳极端子部的延伸部并向第二方向弯折形成阳极侧板，其中第一方向与第二方向相互垂直。电容单元组包含多数个电容单元，电容单元组相互并联于同一平面上且设置在导线架上，而各电容单元于第一方向以堆叠方式排列，且各电容单元具有彼此对向的阴极部与阳极部，阴极部电性连接阴极端子部，阳极部于第一方向电性连接该阳极侧板。

【技术实现步骤摘要】
去耦合元件及其制造方法
本专利技术是有关于一种去耦合元件，且特别是有关于一种具有较佳工艺良率的去耦合元件及其工艺方法。
技术介绍
固态电解电容器具有小尺寸、大电容量、频率特性优越等优点，而可使用于中央处理器（CentralProcessingUnit,CPU）的电源电路的去耦合（Decoupling）作用上。一般而言，可在平面导线架上堆叠多个电容单元来形成具有高电容量的固态电解电容器，藉以在中央处理器（CPU）的电源电路中实施为去耦合元件。在实务上，多个垂直堆叠的电容单元中的每一者都包括阳极部及阴极部。其中，所有阴极部彼此以导电胶做电性连接。另外，所有阳极部经由下拉（或弯折）而与平面导线架的同一平面的阳极端子部电性连接，且各阳极部之间以多层共焊方式连接。然而，由于去耦合元件的阳极与阴极在制作时的厚度差异大，多层共焊阳极部有时会因为热应力问题，导致阳极断裂使有效电容下降；另外，如果焊点面积小，焊点容易氧化而绝缘化，造成有效连接数减少，导致有效电容量下降。因此，如何提升去耦合元件的工艺良率是一个重要的议题。
技术实现思路
本专利技术提供一种去耦合元件，包括一以及至少一电容单元组。导线架包括一阴极端子部及至少两个阳极端子部。至少两个阳极端子部位于阴极端子部的两端而彼此对向的，阳极端子部通过导电线而彼此电性相连，其中阳极端子部其中之一于第一方向向外延伸为一延伸部，阳极端子部的延伸部并向第二方向弯折形成阳极侧板，而第一方向与第二方向相互垂直。至少一电容单元组包含多数个电容单元，电容单元组彼此相互并联于同一平面上且设置在导线架上，而各电容单元组所包含的电容单元于该第二方向以堆叠方式排列，且各电容单元具有一阴极部与一阳极部，阴极部电性连接到阴极端子部，阳极部于该第一方向电性连接到阳极侧板。各所述电容单元的阳极部以导电胶或焊接方式电性连接至该阳极侧板。该导线架的所述阳极侧板更包括至少一片以上的金属，用以与所述电容单元的阳极部于该第一方向电性连接。各所述电容单元的阳极部分别更包括一套洞，用以与该阳极侧板于该第二方向电性连接。至少一该阴极端子部位于所述电容单元的该阴极部的外部侧边。至少一该阴极端子部于所述电容单元的阴极部的外部侧边于该第二方向弯折形成一阴极侧板。至少一该阴极端子部位于所述电容单元的该阴极部的内部间隔中间。该阴极端子以一字型或十字型电性连接该阴极部。所述电容单元的阴极部分别以导电胶相互连接且堆叠于导线架上。该阴极端子部更包括：一粗糙化结构，位于该第二方向的该阴极端子部的表面。该电容单元，包括：一阀金属层；一介电层，形成于该阀金属层上；一导电高分子层，形成于该介电层上；以及一阴极导电层，形成于该导电高分子层上。该阀金属层的材质选自于铝、钽、铌、氧化铌、钛及其组合。该介电层为该阀金属层的金属氧化物。该阴极导电层包括碳胶层与银胶层。更包括：一绝缘层，设置于该导电线上方，该绝缘层使该阴极端子部与所述阳极端子部彼此电性绝缘。本专利技术提供一种立体式导线架，用以承载至少一电容单元组，包括一阴极端子部、一导电线以及至少两个阳极端子部。阴极端子部具有一间隔。导电线位于间隔中。至少两个阳极端子部，位于阴极端子部的两侧而彼此对向，并通过导电线彼此电性相连，其中，阳极端子部其中之一于第一方向向外延伸为一延伸部，阳极端子部的延伸部并向一第二方向弯折形成阳极侧板，而第一方向与第二方向相互垂直。该阴极端子部更包括至少两个子阴极端子部，且分别于该第二方向弯折各形成至少一阴极侧板。至少一该阴极侧板与该立体式导线架为一整体结构。至少一该阴极侧板为一金属或合金材料。该阴极端子部于该第二方向的表面具有一粗糙结构。该阳极侧板与该立体式导线架为一整体结构。该阳极侧板为一金属或合金材料。更包括一绝缘层，覆盖于一适当位置上，用以使所述阳极端子部与该阴极端子部电性隔离。本专利技术提供一种去耦合元件的制造方法包括提供一导线架及至少一电容单元组。导线架包括一阴极端子部及位于阴极端子部的两端而彼此对向的至少两个阳极端子部，阳极端子部是利用一导电线而彼此电性相连，其中至少一阳极端子部于一第一方向向外延伸为一延伸部，阳极端子部的延伸部并向一第二方向弯折形成一阳极侧板，而第一方向与第二方向相互垂直。电容单元组包含多数个电容单元，电容单元组彼此相互并联于同一平面上且设置在导线架上，而各电容单元于第一方向以堆叠方式排列，且各电容单元具有彼此对向的一阴极部与一阳极部，阴极部电性于连接到阴极端子部，阳极部于第一方向电性连接到阳极侧板。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。附图说明下面的附图是本专利技术的说明书的一部分，绘示了本专利技术的示例实施例，附图与说明书的描述一起说明本专利技术的原理。图1为本专利技术的一种去耦合元件的剖面示意图。图2A与图2B为本专利技术的第一实施例的导线架正面与背面的立体视图。图3为本专利技术的图1所示电容单元120的剖面图。图4A与图4B分别为本专利技术的第二实施例的去耦合元件及其等效电路的示意图。图5为本专利技术的第三实施例的去耦合元件的示意图。图6A为本专利技术的第四实施例的去耦合元件示意图。图6B为本专利技术的第四实施例的另一种去耦合元件示意图。图6C为本专利技术的第四实施例的再另一种去耦合元件示意图。图6D为本专利技术的图6A的去耦合元件立体图。图7A为本专利技术的第五实施例的去耦合元件示意图。图7B为本专利技术的第五实施例的另一种去耦合元件示意图。图7C为本专利技术的图7A的去耦合元件立体图。图8A为本专利技术的第六实施例的去耦合元件示意图。图8B为本专利技术的第六实施例的另一种去耦合元件示意图。图8C为本专利技术的图8A的去耦合元件立体图。图9A为本专利技术的第七实施例的去耦合元件意图。图9B为本专利技术的第七实施例的另一种去耦合元件示意图。图9C为本专利技术的图9A的去耦合元件侧视图。图10A为本专利技术的第八实施例的去耦合元件意图。图10B为本专利技术的第八实施例的另一种去耦合元件侧视图。图10C为本专利技术的图10A的去耦合元件侧视图。附图标记说明S：间隔L：电感C：电容A1：顶面面积100：导线架102：第一方向104：第二方向120：电容单元122：电容单元阴极部124：电容单元阳极部126：导电胶130：电容单元组140：阳极侧板145：导电胶200：导线架210a、210b：阳极端子部215a、215b：阳极侧板220、220a、220b：阴极端子部225a、225b、225c、225d：阴极侧板230：粗糙表面240：导电线250：绝缘层312：阴极导电层314：导电高分子层316：介电层324：绝缘部326：阀金属层400：去耦合元件410：导线架412a、412b：阴极端子部413a、413b：阳极侧板414a、414b：阳极端子部415、415a、415b、415c、415d：阴极侧板416：导电线418：粗糙表面422：阴极部424：阳极部430a、430b：电容单元组500：去耦合元件510：导线架512a、512b：阴极端子部513a、513b、513c、513d：阳极侧板514a、514b：阳极端子部515、515a、515b、515c、515d：阴极侧板516：导电线518：粗糙表面522：阴极部524：阳极部530a、530b、530c、530d：电容单元组本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种去耦合元件，包括：一导线架，包括：一阴极端子部，及位于该阴极端子部的两端而彼此对向的至少两个阳极端子部，所述阳极端子部通过一导电线而彼此电性相连，其中所述阳极端子部其中之一于一第一方向延伸为一延伸部，该阳极端子部的该延伸部并向一第二方向弯折形成一阳极侧板，而该第一方向与该第二方向相互垂直；以及至少一电容单元组，包含多数个电容单元，所述电容单元组彼此相互并联于同一平面上且设置在导线架上，而各电容单元组所包含的电容单元于该第二方向以堆叠方式排列，且各电容单元具有一阴极部与一阳极部，该阴极部电性连接到该阴极端子部，该阳极部于该第一方向电性连接到该阳极侧板。

【技术特征摘要】
2012.09.13 TW 1011335391.一种去耦合元件，包括：一导线架，包括：一阴极端子部，及位于该阴极端子部的两端而彼此对向的至少两个阳极端子部，所述阳极端子部通过一导电线而彼此电性相连，其中所述阳极端子部其中之一于一第一方向延伸为一延伸部，该阳极端子部的该延伸部并向一第二方向弯折形成一阳极侧板，而该第一方向与该第二方向相互垂直，该阴极端子部包含至少一子阴极端子部；以及至少一电容单元组，包含多个电容单元，所述电容单元组彼此相互并联于同一平面上且设置在导线架上，而各电容单元组所包含的电容单元于该第二方向以堆叠方式排列，且各电容单元具有一阴极部与一阳极部，该阴极部电性连接到该阴极端子部，该阳极部于该第一方向电性连接到该阳极侧板，且其中至少一该子阴极端子部位于该多个电容单元的该阴极部的内部间隔中间并于该第二方向弯折形成一阴极侧板，该子阴极端子部以一字型或十字型电性连接该阴极部。2.如权利要求1所述的去耦合元件，其特征在于，各所述电容单元的阳极部以导电胶或焊接方式电性连接至该阳极侧板。3.如权利要求1所述的去耦合元件，其特征在于，该导线架的所述阳极侧板更包括至少一片以上的金属，用以与所述电容单元的阳极部于该第一方向电性连接。4.如权利要求1所述的去耦合元件，其特征在于，各所述电容单元的阳极部分别更包括一套洞，用以与该阳极侧板于该第二方向电性连接。5.如权利要求1所述的去耦合元件，其特征在于，所述电容单元的阴极部分别以导电胶相互连接且堆叠于导线架上。6.如权利要求1所述的去耦合元件，其特征在于，该阴极端子部更包括：一粗糙化结构，位于该第二方向的该阴极端子部的表面。7.如权利要求1所述的去耦合元件，其特征在于，该电容单元，包括：一阀金属层；一介电层，形成于该阀金属层上；一导电高分子层，形成于该介电层上；以及一阴极导电层，形成于该导电高分子层上。8.如权利要求7所述的去耦合元件，其特征在于，该阀金属层的材质选自于铝、钽、铌、氧化铌、钛及其组合。9.如权利要求7所述的去耦合元件，其特征在于，该介电层为该阀金属层的金属氧化物。10.如权利要求7所述的去耦合元件，其特征在于，该阴极导电层包括碳胶层与银胶层。11.如权利要求1所述的去耦合元件，其特征在于，更包括：一绝缘层，设置于该导电线上方，...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘苡秀，郑宇庭，蔡丽端，陈启伦，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：台湾;71