【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备。电子照相感光构件的电荷产生层包括酞菁颜料和特定的三氰基乙烯化合物。可选择地，电子照相感光构件的电荷产生层和/或底涂层包括特定的三氰基乙烯化合物，电荷产生层包括酞菁颜料。【专利说明】电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备
本专利技术涉及电子照相感光构件以及各自包括所述电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备。
技术介绍
已开发各种电子照相感光构件用电荷产生物质。这些物质中，经常使用具有高感光度的酞菁颜料。然而，电子照相感光构件的高感光度通过从处理盒或电子照相设备的外部穿透的光易于引起电子照相感光构件的光存储。近年来，需要对此进行改进。术语"光存储"表示载流子累积在用光照射的部分(照射部)中从而引起照射部与未用光照射的部分之间的电位差的现象，这能引起图像品质(图像再现性)降低。日本专利特开2006-72304和2008-15532公开了组合使用酞菁颜料和有机电子受体化合物的技术，以及电荷产生层包括具有电子受体分子的颜料敏化掺杂剂的技术。然而，使用日本专利特开2006-72304和2008-15532中公开的技术没有产生光存储的充分改进。
技术实现思路
本专利技术的方面提供抑制光存储发生的电子照相感光构件，以及各自包括该电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备。本专利技术的一个公开方面提供具有支承体以及在支承体上形成的电荷产生层和电荷输送层的电子照相感光构件，其中电荷产生层具有酞菁颜料和由下述式(I)表示的三氰基乙烯化合物，其中三氰基乙烯化合物的偶极矩为8.0德拜以上，偶极矩从通过密度泛函计...
【技术保护点】
一种电子照相感光构件，其包含：支承体；和在所述支承体上形成的电荷产生层和电荷输送层，其中所述电荷产生层包含：酞菁颜料，和由下述式(1)表示的三氰基乙烯化合物，其中所述三氰基乙烯化合物的偶极矩为8.0德拜以上，所述偶极矩从通过密度泛函计算在B3LYP/6‑31G水平上的分子轨道计算的结果而获得，其中，式(1)中，R1表示未取代或取代的烷基、未取代或取代的芳基、未取代或取代的吡啶基、未取代或取代的哌啶基或者取代的氨基。FDA0000374068140000011.jpg
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：西田孟，久野纯平，川原正隆，渡口要，田中正人，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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