取样电极针及焊接式IGBT模块单元制造技术

一种取样电极针，其包括第一连接电极及第二连接电极，所述取样电极针为铜镀金材质的盘旋式的针状结构。本发明专利技术的取样电极针焊接质量提高，从而使得产品的质量和可靠性提高，进一步地提高了生产效率；而且，本发明专利技术取样电极针的活动裕量增大，在模块使用中，不会受热胀冷缩的影响致使焊接点脱落，此结构的设计便于后续工序中的拉力等的操作，从而使得操作容易实现。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种取样电极针，其包括第一连接电极及第二连接电极，所述取样电极针为铜镀金材质的盘旋式的针状结构。本专利技术的取样电极针焊接质量提高，从而使得产品的质量和可靠性提高，进一步地提高了生产效率；而且，本专利技术取样电极针的活动裕量增大，在模块使用中，不会受热胀冷缩的影响致使焊接点脱落，此结构的设计便于后续工序中的拉力等的操作，从而使得操作容易实现。【专利说明】取样电极针及焊接式IGBT模块单元
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种将芯片的极引到辅助电极上取样电极针。
技术介绍
绝缘栅双极型晶体管(InsulatedGate Bipolar Transistor,简称 IGBT)具有高频率、高电压、大电流、尤其是容易开通和关断的性能特点，是国际上公认的电力电子技术第三次革命的最具代表性的产品，至今已经发展到第六代，商业化已发展到第五代。目前，绝缘栅双极型晶体管已广泛应用于国民经济的各行业中。而绝缘栅双极型晶体管模块是对绝缘栅双极型晶体管芯片的一种封装形式，模块化的绝缘栅双极型晶体管轻巧、方便，更有利于市场的应用。目前，焊接式绝缘栅双极型晶体管模块的封装过程中需要制作一个子单元，将绝缘栅双极型晶体管芯片、二极管芯片、电阻和取样电极针等元器件焊接在一个板子上，形成一个整体，便于模块的封装。其中，取样电极针的设计主要是为了将芯片的三个极引到辅助电极上。现有的IGBT模块封装时，取样电极针的设计为简单的直角拐弯式铜线，可以起到连接的作用。该种设计的取样电极针具有如下几个缺点:(I)直角拐弯式的设计可以实现焊接，但是承受的拉力太差，很有可能在后续的操作过程中被拽掉，对模块的操作生产造成很大的影响；(2)直角拐弯式的设计在模块使用过程中，会因为使用中受热胀冷缩的影响，致使焊接点脱落，对模块的辅助电极采样产生不良影响；(3)铜线材质可以实现焊接，但是焊接质量不是很好。因此，针对上述技术问题，有必要提供一种具有改良结构的取样电极针，以克服上述缺陷。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种取样电极针，该取样电极针可以解决焊接质量和后续的拉力和张力的问题，从而保证了模块的可靠性，同时也提高了模块的生产效率。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案:一种取样电极针，其包括第一连接电极及第二连接电极，所述取样电极针为盘旋式的针状结构。优选的，在上述取样电极针中，所述取样电极针还包括位于第一连接电极与第二连接电极之间的中间连接部，所述中间连接部自第一连接电极或第二连接电极的一端沿着同一直径一体盘旋延伸至第二连接电极或第一连接电极的一端。优选的，在上述取样电极针中，所述取样电极针为铜镀金材质的取样电极针。一种焊接式IGBT模块单元，其包括IGBT芯片、二极管芯片、电阻和取样电极针，所述取样电极针为上述的取样电极针。从上述技术方案可以看出，本专利技术实施例的取样电极针焊接质量提高，从而使得产品的质量和可靠性提高，进一步地提高了生产效率；而且，本专利技术取样电极针的活动裕量增大，在模块使用中，不会受热胀冷缩的影响致使焊接点脱落，此结构的设计便于后续工序中的拉力等的操作，从而使得操作容易实现。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是:(I)将取样电极针设计为盘旋式的针状结构，可以保证取样电极针在后续工序的拉力操作中，有很大的活动裕量，保证了取样电极针的焊接点不受影响，提高了模块可靠性，同时还提高了生产效率。(2)取样电极针选用铜镀金的材质，可以很好的实现焊接操作，从而保证焊接质量，避免了现有技术中采用单纯的铜材质，因为铜易氧化，造成焊接质量不好。【专利附图】【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的有关本专利技术的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术取样电极针的立体示意图；图2是本专利技术取样电极针的正视图。其中:11、第一连接电极；12、第二连接电极；13、中间连接部。【具体实施方式】本专利技术公开了一种取样电极针，该取样电极针可以解决焊接质量和后续的拉力和张力的问题，从而保证了模块的可靠性，同时也提高了模块的生产效率。该取样电极针包括第一连接电极及第二连接电极，其所述取样电极针为盘旋式的针状结构。进一步的，所述取样电极针还包括位于第一连接电极与第二连接电极之间的中间连接部，所述中间连接部自第一连接电极或第二连接电极的一端沿着同一直径一体盘旋延伸至第二连接电极或第一连接电极的一端。进一步的，所述取样电极针为铜镀金材质的取样电极针。本专利技术还公开了一种焊接式IGBT模块单元，该焊接式IGBT模块单元具有IGBT芯片、二极管芯片、电阻及本专利技术上述公开的取样电极针。下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行详细的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。如图1及图2所示，本专利技术公开的取样电极针包括第一连接电极11及第二连接电极12。其中，取样电极针为盘旋式的针状结构。因为现有技术中的取样电极针采用直角拐弯式的设计，虽然这种设计也可以实现焊接，但是承受的拉力太差，很有可能在后续的操作过程中被拽掉，对模块的操作生产造成很大的影响，所以本专利技术采用盘旋式的针状结构的取样电极针，可以保证取样电极针在后续工序的拉力操作中，有很大的活动裕量，保证了取样电极针的焊接点不受影响，提高了模块可靠性，同时还提高了生产效率。 如图1所示，本专利技术公开的取样电极针还包括位于第一连接电极11与第二连接电极12之间的中间连接部13。该中间连接部13自第一连接电极11或第二连接电极12的一端沿着同一直径一体盘旋延伸至第二连接电极12或第一连接电极11的一端。从图1中可以看出，中间连接部13的结构即为类似弹簧的结构，因为现有技术中的取样电极针采用直角拐弯式的设计，此种设计在模块使用过程中，会因为使用中受热胀冷缩的影响，致使焊接点脱落，对模块的辅助电极采样产生不良影响，所以本专利技术采用类似弹簧的沿同一直径一体盘旋延伸的取样电极针，增大了取样电极针的活动裕量，使得在模块使用中，取样电极针不会受热胀冷缩的影响致使焊接点脱落。本专利技术公开的取样电极针为铜镀金材质的取样电极针。因为现有技术中的取样电极针采用单纯的铜材质，而由于铜易氧化，造成焊接质量不好。所以本专利技术选用铜镀金的材质，可以很好的实现焊接操作，从而保证焊接质量。本专利技术公开的焊接式IGBT模块单元包括IGBT芯片、二极管芯片、电阻及取样电极针。所述取样电极针即为上述公开的取样电极针。即取样电极针包括第一连接电极11、第二连接电极12及位于第一连接电极11与第二连接电极12之间的中间连接部13。其中，取样电极针为铜镀金材质的盘旋式的针状结构。该中间连接部13自第一连接电极11或第二连接电极12的一端沿着同一直径一体盘旋延伸至第二连接电极12或第一连接电极11的一端。如此设置，可以保证取样电极针在后续工序的拉力操作中，有很大的活动裕量，使得在模块使用中，取样电极针不会本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种取样电极针，其包括第一连接电极及第二连接电极，其特征在于：所述取样电极针为盘旋式的针状结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：寇庆娟，
申请(专利权)人：西安永电电气有限责任公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61