【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】作为表面活性剂的氟化磷酸盐
本专利
涉及含氟化合物表面活性剂在涂料组合物中提供涂覆有此类组合物的基底以表面效果的用途。
技术介绍
常见的氟代烷基磷酸盐表面活性剂和表面处理剂包含多个含氟化合物链,在给定浓度下包含更高百分比的氟,并且由于它们被认为提供更好的性能而通常被使用。然而,氟化原料非常昂贵且供应短缺。期望减少这些表面活性剂中氟化原料的量,同时保持相同或更好的性能。减少所需氟化起始组分的量不降低成本,而且缩短循环时间,因为表面活性剂的制备需要更少的步骤并且需要更少的能量。降低氟含量将会降低成本,但必须保持产品性能。Brace 和 Mackenzie 在美国专利 3,083,224 中描述了具有式[CmF2m+1CnH2n0]yP0(0M)3_y的混合氟代烷基磷酸盐,其中m为4至12,n为I至16,并且y平均为1.0至2.5。Brace和Mackenze描述了它们作为拒油剂的用途,尤其是当y为2时。 Montagna等人在EP0687533中描述了在不同的陶瓷上用作拒油剂和拒水剂的聚全氟烯化氧一磷酸酯。期望改进表面活性剂性能,具体地降低涂料组合物中的表面张力,同时使用更少的氟化原料。还期望提供涂覆表面以改进的表面效果。本专利技术提供了提高表面活性剂性能并且提供涂覆表面以改进的表面效果,同时使用更少的氟化原料的方法。
技术实现思路
本专利技术包括用于降低涂料组合物的表面张力的改进方法,其中使表面活性剂与所述涂料组合物接触,其中所述改进包括使所述涂料组合物与包含式I和式II的表面活性剂接触(RfAO)P(O)(OlT)2 (式 I)和(RfAO) ...
【技术保护点】
用于降低涂料组合物的表面张力的改进方法,其中使表面活性剂与所述涂料组合物接触,其中所述改进包括使所述涂料组合物与包含式I和式II的表面活性剂接触(RfAO)P(O)(O?M+)2(式I)和(RfAO)2P(O)(O?M+)(式II)其中Rf为任选地被一个、两个或三个醚氧原子插入的C1?C6直链或支化的全氟烷基;A为(CH2CF2)m(CH2)n、(CH2)oSO2N(CH3)(CH2)p、O(CF2)q(CH2)r、或OCHFCF2OE;m为0至4;n、o、p和r各自独立地为2至20;q为2;E为任选地被氧、硫、或氮原子插入的C2?C20直链或支化的烷基;环状烷基、或C6?C10芳基;M为第I族金属或铵阳离子(NHxR2y)+,其中R2为C1?C4烷基;x为1至4;y为0至3;并且x+y为4;并且其中式(I)以大于或等于50摩尔%存在。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.04.18 US 61/476498;2012.02.13 US 13/3720321.用于降低涂料组合物的表面张力的改进方法,其中使表面活性剂与所述涂料组合物接触,其中所述改进包括使所述涂料组合物与包含式I和式II的表面活性剂接触(RfAO)P(O) (O-M)2 (式 I)和(RfAO) 2P (O) (OlT)(式 II) 其中 Rf为任选地被一个、两个或三个醚氧原子插入的C1-C6直链或支化的全氟烷基; A 为(CH2CF2) m (CH2) n、(CH2) oS02N (CH3) (CH2)p, O (CF2) q (CH2) r、或 0CHFCF20E; m为0至4; η、ο、ρ和r各自独立地为2至20; q为2; E为任选地被氧、硫、或氮原子插入的C2-C2tl直链或支化的烷基;环状烷基、或C6-Cltl芳基; M为第I族金属或铵阳离子(NHxR2y)+,其中R2 SC1-C4烷基;x为I至4;y为O至3;并且x+y为4;并且 其中式(I)以大于或等于50摩尔%存在。2.根据权利要求1所述的方法,其中式I和式II以至少2:1的式I与式II的摩尔比存在。3.根据权利要求1所述的方法,其中式I和式II以至少3:1的式I与式II的摩尔比存在。4.根据权利要求1所述的方法,其中Rf为C4-C6直链或支化的全氟烷基。5.根据权利要求1所述的方法,其中所述涂料组合物选自醇酸树脂涂料、I型聚氨酯涂料、不饱和聚酯涂料、或水分散的涂料。6.根据权利要求5所述的方法,其中所述涂料组合物为地板涂饰剂、抛光剂、地板抛光剂、或漆。7.根据权利要求1所述的方法,其中在与所述表面活性剂接触之前,将所述涂料组合物施用到基底。8.增大施用到表面的涂料组合物的接触角的方法,包括使所述表面与包括式I和式II的涂料组合物接触 (RfAO) P (O) (OlT) 2 (式 I)和(RfAO) 2P (O) (OlT)(式 II) 其中 Rf为任选地被一个、两个或三个醚氧原子插入的C1-C6直链或支化的全氟烷基; A 为(CH2CF2) m (CH2) n、(CH2) oS02N (CH3) (CH2)p, O (CF2) q (CH2) r、或 0CHFCF20E; m为0至4; η、ο...
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