横向高压半导体器件及其多阶场板制造技术

本实用新型专利技术提供了一种横向高压半导体器件及其多阶场板。所述多阶场板包括设置于栅氧化层上的第一部和设置于场氧化层上的第二部；所述多阶场板还包括至少一个金属场板；所述至少一个金属场板设置于所述第二部上；所述第二部和与其相邻的金属场板之间设置有绝缘介质层并通过接触孔连接；所述第二部的靠近漏极的一端与所述漏极的距离大于所述第一金属场板的靠近漏极的一端与所述漏极的距离。两相邻的金属场板之间设置有绝缘介质层并通过接触孔连接；所述金属场板的靠近所述漏极的一端与所述漏极的距离大于在该金属场板上方并与该金属场板相邻的金属场板的靠近所述漏极的一端与所述漏极的距离。本实用新型专利技术可以使得横向高压半导体器件的击穿电压更高。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
横向高压半导体器件及其多阶场板
本技术涉及半导体集成电路领域，尤其涉及一种横向高压半导体器件及其多阶场板。
技术介绍
横向高压半导体器件是功率集成电路中常用的器件，具体包括横向双扩散金属氧化物晶体管(LDMOS)、横向绝缘栅双极型晶体管(LIGBT)、横向隔离结等。击穿电压是横向高压半导体器件的最主要关键参数之一，在不影响该器件其它参数的前提下，击穿电压越大越好。为提高横向高压半导体器件的击穿电压，业界有很多很多的办法，其中之一就是采用场板使得漂移区表面的电场分布更均匀，从而提高击穿电压。如图1所示，以LDMOS为例，LDMOS包括多晶硅场板、衬底101、体区102、漂移区103、源极104、位于所述源极104上方的第一栅氧化层105、场氧化层106、漏极107、位于所述漏极107上方的第二栅氧化层108 ;所述多晶硅场板包括设置于所述第一栅氧化层105上的第一部11和设置于所述场氧化层106上的第二部12。多晶硅栅延伸至漂移区上方的场氧化层之上形成LDMOS的多晶硅场板，当LDMOS的漏极107承受高电压时，多晶硅场板连接低电压，多晶硅场板的电压相对于漂移区的电压更低，多晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种应用于横向高压半导体器件的多阶场板，所述横向高压半导体器件包括源极、位于所述源极上方的栅氧化层、场氧化层和漏极，所述多阶场板包括多晶硅场板，所述多晶硅场板包括设置于所述栅氧化层上的第一部和设置于所述场氧化层上的第二部，其特征在于，所述多阶场板还包括第一金属场板；所述第一金属场板设置于所述多晶硅场板的第二部上；所述多晶硅场板的第二部和所述第一金属场板之间设置有绝缘介质层并通过该绝缘介质层中的接触孔连接；所述多晶硅场板的第二部的靠近所述漏极的一端与所述漏极的距离大于所述第一金属场板的靠近漏极的一端与所述漏极的距离。

【技术特征摘要】
1.一种应用于横向高压半导体器件的多阶场板，所述横向高压半导体器件包括源极、位于所述源极上方的栅氧化层、场氧化层和漏极，所述多阶场板包括多晶硅场板，所述多晶硅场板包括设置于所述栅氧化层上的第一部和设置于所述场氧化层上的第二部，其特征在于，所述多阶场板还包括第一金属场板； 所述第一金属场板设置于所述多晶硅场板的第二部上； 所述多晶硅场板的第二部和所述第一金属场板之间设置有绝缘介质层并通过该绝缘介质层中的接触孔连接； 所述多晶硅场板的第二部的靠近所述漏极的一端与所述漏极的距离大于所述第一金属场板的靠近漏极的一端与所述漏极的距离。2.如权利要求1所述的应用于横向高压半导体器件的多阶场板，其特征在于，所述多晶硅场板的第二部的靠近所述漏极的一端和所述第一金属场板的靠近所述源极的一端在水平方向上部分重叠。3.一种应用于横向高压半导体器件的多阶场板，所述横向高压半导体器件包括源极、位于所述源极上方的栅氧化层、场氧化层和漏极，所述多阶场板包括多晶硅场板，所述多晶硅场板包括设置于所述栅氧化层上的第一部和设置于所述场氧化层上的第二部，其特征在于， 所述多阶场...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘光燃，石金成，高振杰，文燕，王焜，
申请(专利权)人：北大方正集团有限公司，深圳方正微电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：