一种能抑制横向寄生模信号的多通道组合式谐振器芯片制造技术

本发明专利技术涉及一种能抑制横向寄生模信号的多通道组合式谐振器芯片，属于声表面波器件技术领域。特征是由换能器、左反射阵及右反射阵组成独立谐振器结构，采用两个或两个以上独立的谐振器结构相互并联，使之形成声传播并联，电输入电极、电输出电极分别并联在独立的谐振器结构上，且通过连接条连接组成组合式整体。本发明专利技术消除了次谐振峰的存在；谐振器芯片短，损耗小；在缩短表面波谐振器芯片的长度并减小损耗的前提条件下，可抑制表面波谐振器中的次谐振峰，并且采用多通道设计后，频率精度４３３．９２ＭＨｚ±７５ＫＨｚ能达到９５％以上成品率；由于多通道设计可以使谐振器芯片生产精度提高一倍以上，同时还可以提高器件频率的均匀性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种能抑制横向寄生模信号的多通道组合式谐振器芯片，属 于声表面波器件

技术介绍
声表面波谐振器是一种应用非常广泛的频率控制器件，目前已大量应用 于遥控器、汽车摩托车等防盗器及一些电子系统的本地振荡频率发生上。通常SAW谐振器的频率响应中主谐振峰的高频端附近会出现一个次谐振峰(即 横向模式信号)，如图l所示，其结构如图2所示。为了使该次谐振峰不影响 主谐振峰的工作状态，在器件的设计制作中尽量消除次谐振峰或使它离主谐 振峰愈远愈好。通常处理的方法是减小器件结构中的换能器孔径，使次谐振 峰远离主谐振峰(也即孔径愈小，次谐振峰就愈远)，甚至超出反射阵的通带 范围，由此抑制次谐振峰。但孔径小了会增加叉指换能器的辐射阻抗，相应 地增加了器件的损耗。为了保证损耗不增加，就一定要减小换能器本身的阻 抗，为此，只有增加换能器的指对数，使器件芯片的总长度变长；可是，这 样做显然不利于器件的小型化封装(SMD陶瓷封装)及高稳定度的要求。 以433. 92MHz与315MHz两种通用SAW谐振器为例一般的433. 92MHz谐振器芯片长度在2. 9 — 3. lmm范围，它的次谐本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种能抑制横向寄生模信号的多通道组合式谐振器芯片，由换能器（２）、左反射阵（９）及右反射阵（３）组成独立谐振器结构，其特征是：采用两个或两个以上独立的谐振器结构相互并联，使之形成声传播并联，电输入电极、电输出电极分别并联在独立的谐振器结构上，且通过连接条（４）连接组成组合式整体。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：谢中华，章德，
申请(专利权)人：谢中华，章德，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]