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本实用新型提供了一种横向高压半导体器件及其多阶场板。所述多阶场板包括设置于栅氧化层上的第一部和设置于场氧化层上的第二部；所述多阶场板还包括至少一个金属场板；所述至少一个金属场板设置于所述第二部上；所述第二部和与其相邻的金属场板之间设置有绝缘...该专利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司授权不得商用。