阶梯栅氧化层有源漂移区结构的N型LDMOS制造技术

本实用新型专利技术公开了一种阶梯栅氧化层有源漂移区结构的N型LDMOS。以淡掺杂的硅基材料为最底层基础；淡掺杂的硅基材料的上层为N阱；N阱的上层包括多晶构成LDMOS的栅极，N阱、漂移区掺杂和浓N型构成LDMOS的漏极，P型的体区构成LDMOS的沟道区，P型体区内部的浓N型构成LDMOS的源极；P型体区内部的浓P型与P型体区掺杂，构成LDMOS的衬底端；在多晶与P型体区之间设置有栅极氧化层，在多晶与LDMOS的漏极之间设置有阶梯氧化层，阶梯氧化层的厚度厚于栅极氧化层，且阶梯氧化层与多晶构成的LDMOS的栅极自对准。本实用新型专利技术明显改善了器件大电流、大电场情况下的安全工作区，导通电阻基本上没有增加，同时成本低，工艺易控制。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
阶梯栅氧化层有源漂移区结构的N型LDMOS
本技术公开了一种阶梯栅氧化层有源漂移区结构的N型LDMOS (横向双扩散场效应管)，涉及一种半导体器件，属于半导体
。
技术介绍
常规的横向双扩散场效应管分为场氧漂移区结构和有源漂移区结构，分别如图1、图2所示。两者主要的区别是漂移区的氧化层形成的方法不一样，场氧漂移区结构的阶梯氧化层部分为0.3-lMffl的厚的氧化层，由于这部分是集成电路工艺的场氧化工艺制作的。多晶硅栅与场氧化层要进行套刻。场氧漂移区结构，由于多晶下的氧化层厚，耐压特性好；而有源漂移区结构，利用栅极多晶盖在薄氧化层上的优势，栅极多晶与薄氧化层形成自对准，可以降低芯片尺寸。在导通时，通过加栅极多晶对薄氧化层下的漂移区的杂质浓度进行影响，可以有效降低导通电阻，所以导通特性要优于场氧漂移区结构。目前这两种结构在集成电路工艺中都有很广泛的应用。对于30V以下的工艺平台，有源漂移区有很大的优势。对于40V以上的工艺，有源漂移区耐压的劣势就慢慢表现出来，不如场氧漂移区结构应用广泛，而普遍采用的是场氧漂移区结构。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是:针对现有技术的缺陷本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阶梯栅氧化层有源漂移区结构的N型LDMOS，包括淡掺杂的硅基材料、N阱、漂移区掺杂、阶梯氧化层、多晶、栅极氧化层、P型体区内部的浓N型、P型体区、P型体区内部的浓P型、浓N型、场氧化层；所述淡掺杂的硅基材料为最底层基础；淡掺杂的硅基材料的上层为N阱；N阱的上层包括多晶构成LDMOS的栅极，N阱、漂移区掺杂和浓N型构成LDMOS的漏极，P型的体区构成LDMOS的沟道区，P型体区内部的浓N型构成LDMOS的源极；P型体区内部的浓P型与P型体区掺杂，构成LDMOS的衬底端；其特征在于：所述栅极氧化层设置在多晶与P型体区之间，所述阶梯氧化层设置在多晶与LDMOS的漏极之间，阶梯氧化层的厚度厚于栅极...

【技术特征摘要】
1.一种阶梯栅氧化层有源漂移区结构的N型LDMOS，包括淡掺杂的硅基材料、N阱、漂移区掺杂、阶梯氧化层、多晶、栅极氧化层、P型体区内部的浓N型、P型体区、P型体区内部的浓P型、浓N型、场氧化层；所述淡掺杂的硅基材料为最底层基础；淡掺杂的硅基材料的上层为N阱；N阱的上层包括多晶构成LDMOS的栅极，N阱、漂移区掺杂和浓N型构成LDMOS的漏极，P型的体区构成LDMOS的沟道区，P型体区内部的浓N型构成LDMOS的源极；P型体区内部的浓P型与P型体区掺杂，构成LDMOS的衬底端；其特征在于:所述栅极氧化层设置在多晶与P型体区之间，所述阶梯氧化层设置在多晶与LDMOS的漏极之间，阶梯氧化层的厚度...

【专利技术属性】
技术研发人员：聂卫东，朱光荣，易法友，
申请(专利权)人：无锡市晶源微电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：