监测漏电的结构制造技术

本实用新型专利技术提出了一种监测漏电的结构，用于监测不同层之间的漏电情况，包括：同层监测结构、相邻监测层以及形成于所述同层监测结构和所述相邻监测层之间的介质层；在同层监测结构之下或者之上形成有相邻监测层，同层监测结构与相邻监测层之间形成有介质层起隔离作用，在进行监测时，可以通过测量同层监测结构与相邻监测层之间是否存在漏电流或电压便能够监测出不同层之间是否存在漏电的情况。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
监测漏电的结构
本技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种监测漏电的结构。
技术介绍
在半导体制造过程中，沉积薄膜有可能形成缺陷(defect)，在进行刻蚀时，刻蚀会沿着缺陷过刻蚀，会导致不应被刻蚀掉的部分被刻蚀穿。具体的，请参考图1，在半导体衬底10上依次形成第一介质层20、第二介质层30以及第三介质层40，然而在所述第二介质层30的表面形成有缺陷31 ;在对所述第三介质层40进行刻蚀形成沟槽时，正常情况下，刻蚀会停止在所述第二介质层30的表面，由于存在缺陷31，刻蚀会过刻蚀，将所述第一介质层20刻蚀穿，并保留出半导体衬底10，如图2所示；接着，在所述沟槽内填充铜50时，由于暴露出了所述半导体衬底10会导致铜50与所述半导体衬底10短接，会造成短路，严重会导致半导体器件报废。现有技术中监测漏电的结构如图4所示，包括:第一金属盘61，第二金属盘62，与第一金属盘61和第二金属盘62相连的蛇形金属线80以及靠近于蛇形金属线80的两根插指金属线70，所述插指金属线70各连接一测试盘；在具体测试中，可以测量两个测试盘之间的电流或电压，以监测蛇形金属线80与插指金属线70之间是否存在漏电。然而，现有技术中的监测漏电仅仅能监测同一层内的金属线之间是否存在漏电，若出现上文所述的不同层之间出现短接产生漏电的情况并不能被监测到。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种监测漏电的结构，能够监测不同层之间是为了实现上述目的，本技术提出了一种监测漏电的结构，用于监测不同层之间的漏电情况，所述结构包括:同层监测结构、相邻监测层以及形成于所述同层监测结构和所述相邻监测层之间的介质层，其中，所述相邻监测层包括导电层以及与所述导电层相连的导电线。进一步的，所述导电层的材质为多晶硅或铜。进一步的，所述导电线的材质为铜。进一步的，所述相邻监测层还包括第一测试盘，所述第一测试盘与所述导电线相连。进一步的，所述第一测试盘的材质为铝。进一步的，所述同层监测结构包括第一金属盘、第二金属盘、连接所述第一金属盘和第二金属盘的蛇形金属线以及靠近所述蛇形金属线的两根插指金属线。进一步的，所述第一金属盘、第二金属盘、蛇形金属线以及插指金属线的材质均为铜。进一步的，所述插指金属线连有第二测试盘和第三测试盘。进一步的，所述第二测试盘和第三测试盘的材质为铝。进一步的，所述蛇形金属和插指金属线之间形成有介质层。与现有技术相比，本技术的有益效果主要体现在:在同层监测结构之下或者之上形成有相邻监测层，同层监测结构与相邻监测层之间形成有介质层起隔离作用，在进行监测时，可以通过测量同层监测结构与相邻监测层之间是否存在漏电流或电压便能够监测出不同层之间是否存在漏电的情况。【附图说明】图1至图3为薄膜之间存在缺陷被过刻蚀过程中的结构示意图；图4为现有技术中监测漏电的结构的俯视图；图5为本技术一实施中监测漏电的结构的俯视图。【具体实施方式】下面将结合示意图对本技术的监测漏电的结构进行更详细的描述，其中表示了本技术的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本技术，而仍然实现本技术的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本技术的限制。为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本技术由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本技术。根据下面说明和权利要求书，本技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本技术实施例的目的。请参考图5，在本实施例中，提出了一种监测漏电的结构，用于监测不同层之间的漏电情况，所述结构包括:同层监测结构、相邻监测层以及形成于所述同层监测结构和所述相邻监测层之间的介质层(图未示出)，所述介质层用于隔离所述同层监测结构和相邻监测层。其中，所述相邻监测层包括导电层400以及与所述导电层400相连的导电线410，其中，所述导电层400的材质为多晶硅或铜，所述导电线410的材质为铜；所述相邻监测层还包括第一测试盘420，所述第一测试盘420与所述导电线410相连，便于监测所述相邻监测层中的电流或者电压，所述第一测试盘420的材质为铝。在本实施例中，所述同层监测结构包括第一金属盘110、第二金属盘120、连接所述第一金属盘110和第二金属盘120的蛇形金属线300以及靠近所述蛇形金属线300的两根插指金属线200,其中，所述第一金属盘110、第二金属盘120、蛇形金属线300以及插指金属线200的材质均为铜；两根所述插指金属线200连有第二测试盘210和第三测试盘230，所述第二测试盘210和第三测试盘220的材质为铝，所述蛇形金属300和插指金属线200之间形成有介质层(图未示出)，介质层用于隔离所述蛇形金属300和插指金属线200。在具体的监测过程中，可以通过监测第一检测盘420和第二检测盘210或者第三检测盘220之间是否存在漏电流或者电压便可以监测出同层监测结构和相邻监测层之间是否存在短接漏电的情况，同时，可以通过监测第二检测盘210和第三检测盘220之间是否存在漏电流或者电压便可以监测出所述蛇形金属300和插指金属线200之间是否存在漏电的情况。需要指出的是，本实施例提出的监测漏电的结构适用于监测任何金属层，并不单纯限制于铜层。综上，在本技术实施例提供的监测漏电的结构中，在同层监测结构之下或者之上形成有相邻监测层，同层监测结构与相邻监测层之间形成有介质层起隔离作用，在进行监测时，可以通过测量同层监测结构与相邻监测层之间是否存在漏电流或电压便能够监测出不同层之间是否存在漏电的情况。上述仅为本技术的优选实施例而已，并不对本技术起到任何限制作用。任何所属
的技术人员，在不脱离本技术的技术方案的范围内，对本技术揭露的技术方案和
技术实现思路
做任何形式的等同替换或修改等变动，均属未脱离本技术的技术方案的内容，仍属于本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种监测漏电的结构，用于监测不同层之间的漏电情况，其特征在于，所述结构包括：同层监测结构、相邻监测层以及形成于所述同层监测结构和所述相邻监测层之间的介质层，其中，所述相邻监测层包括导电层以及与所述导电层相连的导电线。

【技术特征摘要】
1.一种监测漏电的结构，用于监测不同层之间的漏电情况，其特征在于，所述结构包括: 同层监测结构、相邻监测层以及形成于所述同层监测结构和所述相邻监测层之间的介质层，其中，所述相邻监测层包括导电层以及与所述导电层相连的导电线。2.如权利要求1所述的监测漏电的结构，其特征在于，所述导电层的材质为多晶硅或铜。3.如权利要求1所述的监测漏电的结构，其特征在于，所述导电线的材质为铜。4.如权利要求1所述的监测漏电的结构，其特征在于，所述相邻监测层还包括第一测试盘，所述第一测试盘与所述导电线相连。5.如权利要求4所述的监测漏电的结构，其特征在于，所述第一测试盘的材质为铝。...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟怡，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：实用新型
国别省市：