监测漏电的结构制造技术

本实用新型专利技术提出了一种监测漏电的结构，用于监测不同层之间的漏电情况，包括：同层监测结构、相邻监测层以及形成于所述同层监测结构和所述相邻监测层之间的介质层；在同层监测结构之下或者之上形成有相邻监测层，同层监测结构与相邻监测层之间形成有介质层起隔离作用，在进行监测时，可以通过测量同层监测结构与相邻监测层之间是否存在漏电流或电压便能够监测出不同层之间是否存在漏电的情况。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
监测漏电的结构
本技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种监测漏电的结构。
技术介绍
在半导体制造过程中，沉积薄膜有可能形成缺陷(defect)，在进行刻蚀时，刻蚀会沿着缺陷过刻蚀，会导致不应被刻蚀掉的部分被刻蚀穿。具体的，请参考图1，在半导体衬底10上依次形成第一介质层20、第二介质层30以及第三介质层40，然而在所述第二介质层30的表面形成有缺陷31 ;在对所述第三介质层40进行刻蚀形成沟槽时，正常情况下，刻蚀会停止在所述第二介质层30的表面，由于存在缺陷31，刻蚀会过刻蚀，将所述第一介质层20刻蚀穿，并保留出半导体衬底10，如图2所示；接着，在所述沟槽内填充铜50时，由于暴露出了所述半导体衬底10会导致铜50与所述半导体衬底10短接，会造成短路，严重会导致半导体器件报废。现有技术中监测漏电的结构如图4所示，包括:第一金属盘61，第二金属盘62，与第一金属盘61和第二金属盘62相连的蛇形金属线80以及靠近于蛇形金属线80的两根插指金属线70，所述插指金属线70各连接一测试盘；在具体测试中，可以测量两个测试盘之间的电流或电压，以监测蛇形金属线80与插指金属线70之间是否存在漏电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种监测漏电的结构，用于监测不同层之间的漏电情况，其特征在于，所述结构包括：同层监测结构、相邻监测层以及形成于所述同层监测结构和所述相邻监测层之间的介质层，其中，所述相邻监测层包括导电层以及与所述导电层相连的导电线。

【技术特征摘要】
1.一种监测漏电的结构，用于监测不同层之间的漏电情况，其特征在于，所述结构包括: 同层监测结构、相邻监测层以及形成于所述同层监测结构和所述相邻监测层之间的介质层，其中，所述相邻监测层包括导电层以及与所述导电层相连的导电线。2.如权利要求1所述的监测漏电的结构，其特征在于，所述导电层的材质为多晶硅或铜。3.如权利要求1所述的监测漏电的结构，其特征在于，所述导电线的材质为铜。4.如权利要求1所述的监测漏电的结构，其特征在于，所述相邻监测层还包括第一测试盘，所述第一测试盘与所述导电线相连。5.如权利要求4所述的监测漏电的结构，其特征在于，所述第一测试盘的材质为铝。...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟怡，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：实用新型
国别省市：