一种SRAM型存储器的纠错电路制造技术

本发明专利技术提供一种SRAM型存储器的纠错电路，其中，包括：编码模块，第一传输门模块，第二传输门模块和异或操作模块，纠错电路模块。利用编码模块来进行译码操作，添加控制信号，对编码和译码操作进行时分复用。使得电路面积小，同时存储器读写时间快、纠错准确。

【技术实现步骤摘要】
—种SRAM型存储器的纠错电路
本专利技术涉及存储器数据可靠性，尤其涉及确保存储器读写数据可靠的电路。
技术介绍
众的所周知，空间辐射环境中高能粒子能够引起VLSI器件内部多个单元产生瞬时错误，在SRAM型存储器中，这种多个单元产生瞬时错误的表现即为多位翻转。由于空间环境中的粒子分布具有高能量低通量的特点，因此发生存储器的多位翻转主要是由于单个高能粒子击中器件敏感区，产生的电荷发生扩散作用，引起器件的多个单元出现瞬时错误。随着集成电路制造工艺的不断发展，SRAM结构器件的工艺尺寸不断缩小，核心电压不断降低，因此出现这种错误的概率逐渐增大。通常对SRAM型存储器件的数据操作都是按基本字节进行，因此实际影响应用的是单个基本自己多位翻转错误(SMU)。当前主要是通过以下几种方法解决存储器的SMU问题:一是在器件级的进行工艺加固，二是将逻辑相邻位在物理上进行分散设置，三是通过BISC+SEC-DED方法进行多位错误的纠正，四是通过编码的方法进行多位错的检测与纠正，前三种方法都需要再器件级进行防护设计，从而带来器件布局布线的复杂性，增加了器件的功率消耗，同时增加了器件的生产成本。因此现本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种SRAM型存储器的纠错电路，其特征在于，包括：编码模块，用于将数据信号运算生成校验位；第一传输门模块，根据所述检验位与写操作控制信号运算生成伴随信息位的校验位；第二传输门模块和异或操作模块，根据所述校验位与读操作控制信号运算生成检验向量；纠错电路模块，根据校验向量查寻出错位，并进行纠错译码。

【技术特征摘要】
1.一种SRAM型存储器的纠错电路，其特征在于，包括: 编码模块，用于将数据信号运算生成校验位； 第一传输门模块，根据所述检验位与写操作控制信号运算生成伴随信息位的校验位； 第二传输门模块和异或操作模块，根据所述校验位与读操作控制信号运算生成检验向量; 纠错电路模块，根据校验向量查寻出错位，并进行纠错译码。2.根据权利要求1所述的SRAM型存储器的纠错电路，其特征在于，所述编码模块内部为汉明码编码规则。3.根据权利要求1所述的SRAM型存储器的纠错电路，其特征在于，所述编码模块的输入端连接数据信号输入端及其反相信号输入端，所述编码模块的输出端输出运算生成的校验位。4.根据权利要求3所述的SRA...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘鑫，赵发展，韩郑生，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
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