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本发明提供一种SRAM型存储器的纠错电路，其中，包括：编码模块，第一传输门模块，第二传输门模块和异或操作模块，纠错电路模块。利用编码模块来进行译码操作，添加控制信号，对编码和译码操作进行时分复用。使得电路面积小，同时存储器读写时间快、纠错准...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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