【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种薄膜BAW谐振器,包括低阻硅的衬底(1)、设于衬底(1)上、且与衬底(1)之间设有空气隙(7)的支撑层(2),在支撑层(2)上设有由下电极(3)、压电层(4)和上电极(5)组成的三明治结构,其特征在于在支撑层(2)和压电层(4)或仅在支撑区(2)上设有金属化通孔(21),在低阻硅衬底(1)的底面设有电极引出层(22),所述上电极(5)或下电极(3)通过金属化通孔(21)与电极引出层(22)电连通。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:李丽,韩东,邓建国,李宏军,
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第十三研究所,
类型:实用新型
国别省市:
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