一种掩膜板、基板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种掩膜板、基板及显示装置，涉及显示技术领域，解决了现有的掩膜板形成的彩色膜层其上表面不平整，具有角段差的问题。本发明专利技术实施例提供了一种掩膜板，包括全透光区、部分透光区和不透光区，所述不透光区将掩膜板分割成多个阵列排布的曝光单元，每一所述曝光单元包括全透光区和部分透光区，所述部分透光区设置在所述透光区和不透光区之间，其中所述掩膜板的曝光单元对应形成薄膜的图案单元，且所述曝光单元的全透光区对应形成的薄膜的高度大于所述部分透光区对应形成的薄膜的高度。

【技术实现步骤摘要】
一种掩膜板、基板及显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种掩膜板、基板及显示装置。
技术介绍
液晶显示器包括阵列基板、彩膜基板以及设置在阵列基板和彩膜基板之间的液晶。其中，如图1所示，彩膜基板包括设置在衬底基板I上的黑矩阵膜层以及彩色膜层(其中，所示黑矩阵膜层包括黑矩阵2，所示彩色膜层包括R (红)、G (绿)、B (蓝)三种不同颜色的彩色图案3。现有的彩膜基板的制作方法中，首先在衬底基板上形成黑矩阵膜层，再在所述衬底基板上经过涂布薄膜、曝光、显影、刻蚀以及剥离等工序形成所述彩色膜层。其中，彩色膜层是通过掩膜板4进行曝光形成的，掩膜板4包括透光区401和不透光区402。彩膜基板上形成的彩色膜层由于衬底基板上形成有黑矩阵，则形成的彩色图案3如图1所述，其上表面不平整，即出现角段差，会造成配向不良，影响显示效果。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种掩膜板、基板及其制作方法，通过所述掩膜板形成的膜层，其固化后上表面为平面，没有角段差。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案:本专利技术实施例提供了一种掩膜板，包括全透光区、部分透光区和不透光区，所述不透光区将掩膜板分割成多个阵列排布的曝光单元，每一所述曝光单元包括全透光区和部分透光区，所述部分透光区设置在所述透光区和不透光区之间，其中所述掩膜板的曝光单元对应形成薄膜的图案单元，且所述曝光单元的全透光区对应形成的薄膜的高度大于所述部分透光区对应形成的薄膜的高度。可选的，所述掩膜板曝光单元的各部分透光区的宽度为2-15 μ m。可选的，所述掩膜板曝光单元的各全透光区的宽度为15-120 μ m。本专利技术实施例提供了一种基板，包括:透明基板以及设置在所述透明基板上的第一膜层，其中，所述第一膜层通过本专利技术提供的任一所述的掩膜板形成，所述第一膜层包括多个阵列排布的图案单元，且通过曝光直接形成的图案单元中对应掩膜板全透光区的高度大于对应部分透光区的高度。可选的，所述第一膜层为彩色膜层，所述图案单元为像素单元，所述图案单元对应掩膜板全透光区为基板透光区，所述图案单元对应掩膜板部分透光区为基板不透光区。可选的，所述彩色膜层像素单元中透光部分的高度与不透光部分的高度差为0.4-1 μ m0可选的，所述彩色膜层像素单元中各透光部分的厚度为1.5-3.5 μ m0可选的，所述彩色膜层像素单元中各不透光部分的厚度为1.1-2.5 μ m0可选的，所述彩色膜层像素单元中各透光部分的宽度为15-120 μ m。可选的，所述彩色膜层像素单元中各不透光部分的宽度为2_15μπι。可选的，所述基板为阵列基板或彩膜基板。本专利技术实施例提供了一种显示装置，包括本专利技术实施例提供的任一所述的基板。本专利技术实施例提供的一种掩膜板、基板及显示装置，所述掩膜的曝光单元对应形成的薄膜的图案单元，且所述曝光单元的全透光区对应形成的薄膜的高度大于所述部分透光区对应形成的薄膜的高度，则形成的薄膜经固化后其上表面没有角段差(进而可以提升显示效果。【附图说明】图1为现有技术中利用掩膜板形成彩色膜层的示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种掩膜板；图3为利用图2所示的掩膜板形成彩色膜层的示意图；图4为本专利技术实施例提供的彩膜基板示意图；附图标记:1-透明基板；2_黑矩阵；3_彩色图案；4_掩膜板；401_全透光区；402_不透光区；403-部分透光区；5_彩膜基板。【具体实施方式】下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。需要说明的是，现有的构图工艺一般通过掩膜板形成需要的薄膜图案，其具体工艺包括:在薄膜上涂胶，利用掩膜板对所述光刻胶进行曝光，再利用显影液将需去除的光刻胶冲蚀掉，再刻蚀掉未覆盖光刻胶的薄膜部分，最后将剩下的光刻胶剥离。其中，根据所述光刻胶的不同，所述掩膜板在所述基板上形成的薄膜图案相同或者相对。以图1所示的现有掩膜板为例，具体的，当所述光刻胶为正性光刻胶，则所述掩膜板的不透光区对应的光刻胶完全保留，所述透光区域对应的光刻胶被完全去除，即薄膜图案对应掩膜板的不透光区。若所述光刻胶为负性光刻胶，则所述掩膜板的全透光区对应的光刻胶完全保留，所述不透光区对应的光刻胶被完全去除，即薄膜图案对应掩膜板的透光区。且本专利技术实施例中以所述光刻胶为负性光刻胶为例进行详细说明。正性光刻胶的掩膜板设置与负向光刻胶相反，在这里就不作赘述。本专利技术提供了一种掩膜板4，如图2所示，包括全透光区401、部分透光区403和不透光区402，所述不透光区402将掩膜板100分割成多个阵列排布的曝光单元，每一所述曝光单元包括全透光区401和部分透光区403，所述部分透光区403设置在所述透光区401和不透光区402之间，其中所述掩膜板4的曝光单元对应形成的薄膜的图案单元，且所述曝光单元的全透光区401对应形成的薄膜的高度大于所述部分透光区403对应形成的薄膜的高度。需要说明的是，现有的掩膜板一般是通过在透明基板上贴附薄膜使其不透光或者部分透光，本专利技术附图中提供的掩膜板仅用于说明，不作为具体实施方案。本专利技术实施例提供的一种掩膜板，所述掩膜板的曝光单元包括全透光区和部分透光区，所述掩膜板的曝光单元对应形成的薄膜的图案单元，且所述曝光单元的全透光区对应形成的薄膜的高度大于所述部分透光区对应形成的薄膜的高度，薄膜图案固化之后没有角段差，进而可以提升显示效果。可选的，所述掩膜板曝光单元的各部分透光区的宽度为2-15 μ m。如图2所示，部分透光区b的宽度为2-15 μ m。需要说明的是，本专利技术实施例中的各数值范围均包括临界值。即掩膜板曝光单元的各部分透光区的宽度可以为2 μ m或15 μ m。可选的，所述掩膜板曝光单元的各全透光区的宽度为15-120 μ m。如图2所示，全透光区a的宽度为15-120 μ m。其中，掩膜板曝光单元的各全透光区的宽度可以为15 μ m或120 μ m0本专利技术实施例提供了一种基板，包括:透明基板以及设置在所述透明基板上的第一膜层，其中，所述第一膜层通过本专利技术实施例提供的任一所述的掩膜板形成，所述第一膜层包括多个阵列排布的图案单元，且通过曝光直接形成的图案单元中对应掩膜板全透光区的高度大于对应部分透光区的高度。需要说明的是，所述基板上设置有第一膜层，所述第一膜层通过本专利技术实施例提供的任一所述的掩膜板形成，则所述第一膜层的图案与所述掩膜的透光区的图案相同。所述薄膜图案的高度，在本专利技术实施例中以所述基板的上表面为基准。具体的，如图3所示，利用本专利技术实施例提供的掩膜板4形成彩膜基板5上的彩色膜层为例，即包括R (红)、G(绿)、B (蓝)三种不同颜色的彩色图案3，且所述彩色膜层与对应掩膜板4全透光区401的高度大于对应部分透光区403的高度。可选的，所述第一膜层为彩色膜层，所述图案单元为像素单元，所述图案单元对应掩膜板全透光区为基板透光区，所述图案单元对应掩膜板部分透光区为基板不透光区。具体的，如图3所示，所述第一膜层为彩色膜层，且以所述彩色膜层设置在彩膜基板为例，则所述图案单元为像素单元，所述图案单元对应掩膜板全透光区为彩膜基板的透光区，所述图案单元对应掩膜板部分透光区与黑矩阵重叠，且为彩膜基板的不透光区本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种掩膜板，其特征在于，包括全透光区、部分透光区和不透光区，所述不透光区将掩膜板分割成多个阵列排布的曝光单元，每一所述曝光单元包括全透光区和部分透光区，所述部分透光区设置在所述透光区和不透光区之间，其中所述掩膜板的曝光单元对应形成薄膜的图案单元，且所述曝光单元的全透光区对应形成的薄膜的高度大于所述部分透光区对应形成的薄膜的高度。

【技术特征摘要】
1.一种掩膜板，其特征在于，包括全透光区、部分透光区和不透光区，所述不透光区将掩膜板分割成多个阵列排布的曝光单元，每一所述曝光单元包括全透光区和部分透光区，所述部分透光区设置在所述透光区和不透光区之间，其中所述掩膜板的曝光单元对应形成薄膜的图案单元，且所述曝光单元的全透光区对应形成的薄膜的高度大于所述部分透光区对应形成的薄膜的高度。2.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板曝光单元的各部分透光区的宽度为2-15 μ m。3.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板曝光单元的各全透光区的宽度为15-120 μ m。4.一种基板，包括:透明基板以及设置在所述透明基板上的第一膜层，其特征在于，所述第一膜层通过权利要求1-3任一项所述的掩膜板形成，所述第一膜层包括多个阵列排布的图案单元，且通过曝光直接形成的图案单元中对应掩膜板全透光区的高度大于对应部分透光区的高度。5.根据权利要求4所述的基板，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄正峰，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：