【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种驱动电路，用以驱动一功率金属氧化物半导体（metal?oxide?semiconductor；MOS）晶体管，包含：一第一驱动支路，包含：一第一开关N型金属氧化物半导体晶体管，具有一第一开关栅极，用以接收一开关信号；一电流源；以及一第一箝位（clamping）P型金属氧化物半导体晶体管，具有一第一箝位栅极，用以接收一参考电压，其中该第一箝位P型金属氧化物半导体晶体管的一第一箝位漏极连接于该第一开关N型金属氧化物半导体晶体管的一第一开关漏极，该第一箝位P型金属氧化物半导体晶体管的一第一箝位源极连接于该电流源；以及一第二驱动支路，包含：一第二开关N型金属氧化物半导体晶体管，具有一第二开关栅极，用以接收反相的该开关信号；一电流供应P型金属氧化物半导体晶体管，具有连接于该第一箝位源极的一电流供应栅极以及连接于一第一电位的一电流供应源极；以及一第二箝位P型金属氧化物半导体晶体管，具有一第二箝位栅极，用以接收该参考电压，其中该第二箝位P型金属氧化物半导体晶体管的一第二箝位漏极连接于该第二开关N型金属氧化物半导体晶体管的一第二开关漏极，该第二箝位P型金属氧化物半导体晶体管的一第二箝位源极连接于该...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李秋平，
申请(专利权)人：原景科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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