The utility model relates to a high speed and high precision source follower circuit, including the first second PMOS tube and PMOS tube, the first PMOS tube is connected to a source electrode of VAA DC power supply, the gate is connected to the input voltage VIN, the drain is connected with the output end; the second PMOS tube 2 source connected with the DC power grid VAA connected with the input voltage VIN, the drain is connected with the output end; the first PMOS source is connected in parallel with the output voltage of VOUT. The high-speed and high-precision source follower circuit makes the output impedance of the PMOS tube less affected by the low-frequency voltage, and the low-frequency voltage gain becomes larger and the linearity is good.
【技术实现步骤摘要】
高速高精度源极跟随电路
本技术涉及一种源极跟随电路,尤其涉及一种高速高精度源极跟随电路。
技术介绍
缓冲电路一般是指需要驱动大的负载的时候,往往用一个缓冲电路来驱动。该电路将输入信号的波形传递到输出上,并输出足够的电流来驱动输出点的电容和电阻负载。衡量缓冲的性能指标主要有带宽、线性度、低频电压增益,输出电压和输入电压越接近越好,期望增益为I。而源极跟随电路已被广泛的运用到缓冲中。如附图1所示一种现有的源极跟随电路,其主要缺点是,低频增益为0.8-0.9左右,对高精度的缓冲不适用,输入到输出有直流电压降,线性度比较差,并且依赖于输入电压和电压空间。为了解决直流压降的问题,可以使用两级源级跟随电路如附图2和附图3所示,但是这种情况下的低频增益为两级的低频增益的乘积,只有0.7左右。当工艺提供两种不同的阈值电压的MOS管时,可以使用附图4所示电路提高增益。Ml为阈值电压较高的MOS管,M2为阈值电压较低的MOS管。Ml和M2的阈值电压差为Ml的源漏级电压。由于M1,M2的阈值电压差为基本不随输入电压变化,Ml的源漏级电压也基本不随输入电压变化,导致Ml管的输出阻抗对低频电压的影响变小,低频电压增益变大。主要缺点是工艺需要两种不同的阈值电压,且这种工艺比较昂贵。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是,提供一种能够使低频电压增益变大的高速高精度源极跟随电路。为了解决上述技术问题,本技术是通过以下技术方案实现的:一种高速高精度源极跟随电路,包括第一 PMOS管和第二 PMOS管,所述第一 PMOS管的源极连接直流电源VAA,栅极连接输入电压VIN,漏极连接 ...
【技术保护点】
一种高速高精度源极跟随电路,其特征在于:包括第一PMOS管(1)和第二PMOS管(2),所述第一PMOS管(1)的源极连接直流电源(VAA),栅极连接输入电压(VIN),漏极连接输出端;所述第二PMOS管(2)的源极与直流电源(VAA)连接,栅极与输入电压(VIN)连接,漏极连接输出端。
【技术特征摘要】
1.一种高速高精度源极跟随电路,其特征在于:包括第一 PMOS管(I)和第二 PMOS管(2),所述第一 PMOS管(I)的源极连接直流电源(VAA),栅极连接输入电压(VIN),漏极连接输出端;所述第二 P...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘雄,
申请(专利权)人:苏州苏尔达信息科技有限公司,
类型:实用新型
国别省市:
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