一种高速高精度缓冲电路制造技术

本发明专利技术公开了一种高速高精度缓冲电路，由第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管和第四MOS管构成，所述第一MOS管的源极连接直流电源VAA，栅极连接输入电压VIN，漏极连接电源正极输入端VINT，所述第二MOS管源极连接第三MOS管的漏极，栅极连接第四MOS管的栅极，所述第三MOS管3的源极连接直流电源VAA，栅极与第二MOS管源极连接，所述第四MOS管的源极与直流电源VAA连接，栅极连接电源正极输入端VINT。这种高速高精度缓冲电路输入和输出基本没有直流压降，输入电压VIN和输出电压VOUT基本相等，输出驱动能力强，直流增益高，可通过在第二MOS管栅极和漏极之间加补充电容来应付驱动大电容负载的情况；第四MOS管回路没有太多的负载，反馈速度快，适合高速电路。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种高速高精度缓冲电路，由第一MOS管（1）、第二MOS管（2）、第三MOS管（3）和第四MOS管（4）构成，其特征在于：所述第一MOS管（1）的源极连接直流电源（VAA），栅极连接输入电压（VIN），漏极连接电源正极输入端（VINT），所述第二MOS管（2）源极连接第三MOS管（3）的漏极，栅极连接第四MOS管（4）的栅极，所述第三MOS管（3）的源极连接直流电源（VAA），栅极与第二MOS管（2）源极连接，所述第四MOS管（4）的源极与直流电源（VAA）连接，栅极连接电源正极输入端（VINT）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘雄，
申请(专利权)人：苏州苏尔达信息科技有限公司，
类型：发明
国别省市：