开关电路制造技术

一种开关电路，其包含第一非对称金属氧化物半导体晶体管、第二非对称金属氧化物半导体晶体管、第一二极管串以及第二二极管串。第一非对称金属氧化物半导体晶体管与第二非对称金属氧化物半导体晶体管的第一端用以接收第一电位，第二非对称金属氧化物半导体晶体管与第一非对称金属氧化物半导体晶体管的第二端电性耦接于一公共端点。第一二极管串的第一端电性耦接于第一非对称金属氧化物半导体晶体管的控制端，而第一二极管串的第二端电性耦接于前述公共端点。第二二极管串的第一端电性耦接于第二非对称金属氧化物半导体晶体管的控制端，而第二二极管串的第二端电性耦接于前述公共端点。

【技术实现步骤摘要】
开关电路
本专利技术是有关于一种电子电路，且特别是有关于一种开关电路。
技术介绍
电子产品已经成为现代人生活中不可或缺的一部分。在各式各样的电子装置中， 需要可应用在这些装置中的半导体组件。半导体组件的特性主要是由制备该组件的制程来 决定。由于半导体组件通常较复杂，则其制程亦变化较多。半导体组件中需要多种具有不 同特性的晶体管。于一些半导体制造技术中，可制造出具有可承受高压的源极与漏极，而栅极仅能 承受较小电压(如5伏特)的金属氧化物半导体晶体管。然而以此方式设计的金属氧化物 半导体晶体管，于实际电路应用上存在许多限制，而有待进一步改进。
技术实现思路
本
技术实现思路
的一技术方面是关于一种开关电路。前述开关电路包含第一非对称金 属氧化物半导体晶体管、第二非对称金属氧化物半导体晶体管、第一二极管串以及第二二 极管串。前述第一非对称金属氧化物半导体晶体管包含第一端、第二端以及控制端，前述第 一非对称金属氧化物半导体晶体管的前述第一端用以接收第一电位。前述第二非对称金属 氧化物半导体晶体管包含第一端、第二端以及控制端，前述第二非对称金属氧化物半导体 晶体管的前述第一端用以接收前述第一电位，前述第二非对称金属氧化物半导体晶体管的 前述第二端与前述第一非对称金属氧化物半导体晶体管的前述第二端电性耦接于一第一 公共端点。此外,前述第一二极管串是由多个二极管串联而成,前述第一二极管串包含第一 端以及第二端，前述第一二极管串的前述第一端电性耦接于前述第一非对称金属氧化物半 导体晶体管的前述控制端，而前述第一二极管串的前述第二端电性耦接于前述第一公共端 点。第二二极管串是由多个二极管串联而成，前述第二二极管串包含第一端以及第二端，前 述第二二极管串的前述第一端电性耦接于前述第二非对称金属氧化物半导体晶体管的前 述控制端，而前述第二二极管串的前述第二端电性耦接于前述第一公共端点。根据本专利技术一实施例，开关电路还包含电流控制电路，其包含二输出端点，分别电 性耦接于前述第一非对称金属氧化物半导体晶体管的前述控制端以及前述第二非对称金 属氧化物半导体晶体管的前述控制端，并分别输出第一控制电流与第二控制电流至相应的 前述控制端。根据本专利技术另一实施例，前述电流控制电路的前述输出端点，在一特定时间内分 别输出前述第一控制电流与前述第二控制电流至相应的前述控制端。根据本专利技术再一实施例，前述特定时间小于约20奈秒。根据本专利技术又一实施例，前述开关电路中前述电流控制电路包含电流镜、P型金属 氧化物半导体晶体管以及峰值电流控制支路。前述电流镜包含第一电流支路、第二电流支路以及第三电流支路，前述第一电流支路、前述第二电流支路以及前述第三电流支路的一端电性耦接于一第二公共端点，前述第二公共端点用以接收一第二电位，而前述第二电流支路以及前述第三电流支路的另一端分别电性耦接于前述输出端点。前述P型金属氧化物半导体晶体管包含控制端以及第一端，前述控制端用以接收一参考电压，前述第一端电性耦接于前述电流镜的前述第一电流支路。进一步而言，前述峰值电流控制支路包含电容、电阻及控制N型金属氧化物半导体晶体管。前述电容包含第一端，前述第一端用以接收开关信号。前述电阻包含第一端以及第二端，前述第一端电性耦接于前述电容的前述第二端，前述第二端用以接收一第三电位。 前述控制N型金属氧化物半导体晶体管包含控制端以及第二端，前述控制端电性耦接于前述电容的前述第二端，前述第二端电性耦接于前述P型金属氧化物半导体晶体管的一第二端。根据本专利技术另再一实施例，前述峰值电流控制支路的前述电阻会对前述电容的前述第二端进行放电。根据本专利技术另又一实施例，前述第二电位为一正电位，而前述第三电位小于前述第二电位。根据本专利技术再另一实施例，前述开关电路中前述电流控制电路包含电流镜、N型金属氧化物半导体晶体管以及峰值电流控制支路。前述电流镜包含第一电流支路、第二电流支路以及第三电流支路，前述第一电流支路、前述第二电流支路以及前述第三电流支路的一端电性耦接于第二公共端点，前述第二公共端点用以接收第二电位，而前述第二电流支路以及前述第三电流支路的另一端分别电性耦接于前述输出端点。前述N型金属氧化物半导体晶体管包含控制端以及第一端，前述控制端用以接收参考电压，前述第一端电性耦接于前述电流镜的前述第一电流支路。进一步而言，前述峰值电流控制支路包含电容、电阻以及控制P型金属氧化物半导体晶体管。前述电容包含第一端，前述第一端用以接收开关信号。前述电阻包含第一端以及第二端，前述第一端电性耦接于前述电容的前述第二端，前述第二端用以接收第三电位。前述控制P型金属氧化物半导体晶体管包含控制端以及第二端，前述控制端电性耦接于前述电容的前述第二端，前述第二端电性耦接于前述N型金属氧化物半导体晶体管的第根据本专利技术再又一实施例，前述峰值电流控制支路的前述电阻会对前述电容的前述第二端进行充电。根据本专利技术又另一实施例，前述第二电位为一负电位，而前述第三电位大于前述第二电位。因此，根据本专利技术的
技术实现思路
，本专利技术实施例提供一种开关电路，其中包含两个非对称金属氧化物半导体晶体管结构，通过本专利技术设计的配置方式，以使开关电路的整体电性操作相似于对称金属氧化物半导体晶体管结构，藉以改善栅极仅能承受较小电压的金属氧化物半导体晶体管，于实际电路应用上存在许多限制的问题。【附图说明】为让本专利技术的上述和其它目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附图式的说明如下:图1是绘示依照本专利技术一实施例的一种开关电路的示意图。[主要元件标号说明]100:开关电路112:第一二极管串114:第二二极管串120:电流控制电路122:电流镜124:峰值电流控制支路126:电流镜128:峰值电流控制支路 【具体实施方式】为了使本
技术实现思路
的叙述更加详尽与完备，可参照所附的图式及以下所述各种实施例，图式中相同的号码代表相同或相似的元件。但所提供的实施例并非用以限制本专利技术所涵盖的范围，而结构运作的描述非用以限制其执行的顺序，任何由元件重新组合的结构， 所产生具有均等功效的装置，皆为本专利技术所涵盖的范围。其中图式仅以说明为目的，并未依照原尺寸作图。另一方面，众所周知的元件与步骤并未描述于实施例中，以避免对本专利技术造成不必要的限制。另外，关于本文中所使用的『耦接』或『连接』，均可指二或多个元件相互直接作实体或电性接触，或是相互间接作实体或电性接触，亦可指二或多个元件相互操作或动作。图1是依照本专利技术一实施例绘示一种开关电路的示意图。如图1所示，开关电路 100包含第一非对称金属氧化物半导体晶体管MN2、第二非对称金属氧化物半导体晶体管 MN3、第一二极管串112以及第二二极管串114。第一非对称金属氧化物半导体晶体管MN2 包含第一端、第二端以及控制端，第一非对称金属氧化物半导体晶体管丽2的第一端用以接收第一电位VDD。第二非对称金属氧化物半导体晶体管MN3包含第一端、第二端以及控制端，第二非对称金属氧化物半导体晶体管丽3的第一端用以接收第一电位，第二非对称金属氧化物半导体晶体管MN3的第二端与第一非对称金属氧化物半导体晶体管MN2的第二端电性耦接于第一公共端点NI。此外，第一二极管串112是由多个二极管串联而成，其包含第一端以及第二端。第一二极管串112的第一端电性耦本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种开关电路，包含：一第一非对称金属氧化物半导体晶体管，包含一第一端、一第二端以及一控制端，其中该第一非对称金属氧化物半导体晶体管的该第一端用以接收一第一电位；一第二非对称金属氧化物半导体晶体管，包含一第一端、一第二端以及一控制端，其中该第二非对称金属氧化物半导体晶体管的该第一端用以接收该第一电位，该第二非对称金属氧化物半导体晶体管的该第二端与该第一非对称金属氧化物半导体晶体管的该第二端电性耦接于一第一公共端点；一第一二极管串，是由多个二极管串联而成，其中该第一二极管串包含一第一端以及一第二端，该第一二极管串的该第一端电性耦接于该第一非对称金属氧化物半导体晶体管的该控制端，而该第一二极管串的该第二端电性耦接于该第一公共端点；以及一第二二极管串，是由多个二极管串联而成，其中该第二二极管串包含一第一端以及一第二端，该第二二极管串的该第一端电性耦接于该第二非对称金属氧化物半导体晶体管的该控制端，而该第二二极管串的该第二端电性耦接于该第一公共端点。

【技术特征摘要】
1.一种开关电路，包含:一第一非对称金属氧化物半导体晶体管，包含一第一端、一第二端以及一控制端，其中该第一非对称金属氧化物半导体晶体管的该第一端用以接收一第一电位；一第二非对称金属氧化物半导体晶体管，包含一第一端、一第二端以及一控制端，其中该第二非对称金属氧化物半导体晶体管的该第一端用以接收该第一电位，该第二非对称金属氧化物半导体晶体管的该第二端与该第一非对称金属氧化物半导体晶体管的该第二端电性耦接于一第一公共端点；一第一二极管串，是由多个二极管串联而成，其中该第一二极管串包含一第一端以及一第二端，该第一二极管串的该第一端电性耦接于该第一非对称金属氧化物半导体晶体管的该控制端，而该第一二极管串的该第二端电性耦接于该第一公共端点；以及一第二二极管串，是由多个二极管串联而成，其中该第二二极管串包含一第一端以及一第二端，该第二二极管串的该第一端电性耦接于该第二非对称金属氧化物半导体晶体管的该控制端，而该第二二极管串的该第二端电性耦接于该第一公共端点。2.根据权利要求1所述的开关电路，还包含一电流控制电路，其中该电流控制电路包含二输出端点，分别电性耦接于该第一非对称金属氧化物半导体晶体管的该控制端以及该第二非对称金属氧化物半导体晶体管的该控制端，并分别输出一第一控制电流与一第二控制电流至相应的该控制端。3.根据权利要求2所述的开关电路，其中该电流控制电路的该些输出端点，在一特定时间内分别输出该第一控制电流与该第二控制电流至相应的该控制端。4.根据权利要求3所述的开关电路，其中该特定时间小于约20奈秒。5.根据权利要求2所述的开关电路，其中该电流控制电路包含:一电流镜，包含一第一电流支路、一第二电流支路以及一第三电流支路，其中该第一电流支路、该第二电流支路以及该第三电流支路的一端电性耦接于一第二公共端点，该第二公共端点用以接收一第二电位，而该第二电流支路以及该第三电流支路的另一端分别电性耦接于该些输出端点；一 ...

【专利技术属性】
技术研发人员：李秋平，
申请(专利权)人：原景科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：