【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种开关电路，包括：?耗尽型场效应晶体管DMFET，所述DMFET具有导通状态和截止状态，其中所述DMFET配置为在所述导通状态下将第一节点连接到第二节点上并在所述截止状态下将所述第一节点隔离于所述第二节点；?连接到所述DMFET的栅极端子上的负电荷泵，所述负电荷泵配置为向所述DMFET的所述栅极端子提供一负电荷泵电压；以及?连接到所述负电荷泵上的负鉴别器，所述负鉴别器配置为将所述第一节点处的第一电压与所述第二节点处的第二电压进行比较，并基于所述比较来确定所述负电荷泵电压。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：T·戴格尔，J·L·斯图兹，科奈斯·P·斯诺登，
申请(专利权)人：快捷半导体苏州有限公司，快捷半导体公司，
类型：实用新型
国别省市：
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