【技术实现步骤摘要】
发光二极管芯片的温度测量方法及使用的热敏高分子材料
本专利技术涉及一种发光二极管芯片的温度测量方法及该方法中使用的热敏高分子材料。
技术介绍
发光二极管(light emitting diode, LED)作为一种高效的发光源,具有环保、省电、寿命长等诸多特点，已经被广泛的运用于各种领域。发光二极管在应用到各领域中之前，需要进行封装，以保护发光二极管芯片，从而获得较高的发光效率及较长的使用寿命。一般的发光二极管封装结构通常包括表面贴装有电极的基板、设置于该基板上的反射杯、设于反射杯底部并与电极电连接的发光二极管芯片以及覆盖该发光二极管芯片的透明封装层。该发光二极管芯片工作时将电能转换为光能，同时释放出热量，导致发光二极管芯片的温度升高，影响发光二极管封装结构的使用寿命。因此，测量发光二极管封装结构中发光二极管芯片的温度对于预测发光二极管封装结构的使用寿命至关重要。然而，一般发光二极管封装结构中发光二极管芯片被透明封装层覆盖，不能对发光二极管芯片直接进行测量。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种有效的发光二极管芯片的温度测量方法。本专利技术还提供一种该方法中使用的热敏高分子材料。一种发光二极管芯片的温度测量方法，包括以下步骤:提供热敏高分子材料，该热敏高分子材料包括热敏性高分子支撑体和分散于该热敏性高分子支撑体中的荧光分子、交联剂、负离子基团及水分子，其中该热敏性高分子支撑体的结构为
【技术保护点】
一种发光二极管芯片的温度测量方法，包括以下步骤：提供热敏高分子材料，该热敏高分子材料包括热敏性高分子支撑体和分散于该热敏性高分子支撑体中的荧光分子、交联剂、负离子基团及水分子，其中该热敏性高分子支撑体的结构为???????????????????????????????????????????????，其中R为碳原子数为3的饱和烷基，该荧光分子的结构为，其中x为1或2，该荧光分子包覆于该热敏性高分子支撑体内，当外部环境温度升高时，该热敏性高分子支撑体随之逐渐皱缩，进而引起包覆于该热敏性高分子内的该荧光分子的荧光光强逐渐增强，当外部环境温度降低时，该热敏性高分子支撑体随之逐渐膨胀，进而引起包覆于该热敏性高分子内的该荧光分子的荧光光强随之逐渐减弱，该负离子基团阻止该荧光分子与该热敏性高分子支撑体发生交联，该交联剂促进该热敏性高分子支撑体的交联；用一定波长的光源激发所述热敏高分子材料，并采集该热敏高分子材料在该波长的光源、不同温度条件下的荧光光强值，再变换光源的波长值，重复采集该热敏高分子材料在不同温度条件下的荧光光强值，从而得到光源的波长、该热敏高分子材料的温度及荧光光强值三者之间的对应函...
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管芯片的温度测量方法，包括以下步骤: 提供热敏高分子材料，该热敏高分子材料包括热敏性高分子支撑体和分散于该热敏性高分子支撑体中的荧光分子、交联剂、负离子基团及水分子，其中该热敏性高分子支撑 体的结构为 2.如权利要求1所述的发光二极管芯片的温度测量方法，其特征在于:该热敏性高分子支撑体在不同温度下具有不同的交联度，该热敏性高分子支撑体的温度升高时，该热敏性高分子支撑体的交联度随之变大，该热敏性高分子支撑体的分子间距随之变小，该热敏性高分子支撑体逐渐皱缩,该热敏性高分子支撑体的温度降低时,该热敏性高分子支撑体的的交联度随之变小，该热敏性高分子支撑体的分子间距随之变大，该热敏性高分子支撑体逐渐膨胀。3.如权利要求2所述的发光二极管芯片的温度测量方法，其特征在于:该热敏性高分子支撑体的吸热反应和放热反应是可逆的。4.如权利要求3所述的发光二极管芯片的温度测量方法，其特征在于:当该热敏性高分子支撑体逐渐皱缩时，该突光分子与分散于该热敏性闻分子支撑体中的水分子的作用距尚逐渐变短，该突光分子与分散于该热敏性闻分子支撑体中的水分子的相互作用逐渐变强，该荧光分子的荧光光强随之增强，当该热敏性高分子支撑体逐渐膨胀时，该荧光分子与水分子的作用距离逐渐变长，该荧光分子与水分子的相互作用逐渐变弱，该荧光分子的荧光光强逐渐减...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢雨伦，
申请(专利权)人：展晶科技深圳有限公司，荣创能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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