本发明专利技术公开了一种掩模块件及使用其之有机气相沉积装置与热蒸镀装置。掩模块件设置在一气体出口与一待镀基板之间。掩模块件包含有一像素掩模与一阻热掩模。像素掩模设置在气体出口与待镀基板之间，且具有多个第一开口。阻热掩模设置在气体出口与像素掩模之间，且具有多个第二开口，其中各第二开口对应至少一第一开口设置。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种掩模块件及使用其之有机气相沉积装置与热蒸镀装置。掩模块件设置在一气体出口与一待镀基板之间。掩模块件包含有一像素掩模与一阻热掩模。像素掩模设置在气体出口与待镀基板之间，且具有多个第一开口。阻热掩模设置在气体出口与像素掩模之间，且具有多个第二开口，其中各第二开口对应至少一第一开口设置。【专利说明】掩模块件及使用其的有机气相沉积装置与热蒸镀装置
本专利技术涉及一种掩模块件及使用其的有机气相沉积装置与热蒸镀装置，特别是涉及一种具有阻热掩模的掩模块件及使用其的有机气相沉积装置与热蒸镀装置。
技术介绍
在现有制作有机发光二极管显示器的方法中，用以产生光线的有机发光层一般是利用热蒸镀或有机气相沉积法来形成，且在蒸镀源或有机气相沉积装置的气体喷头与待镀基板之间设置一像素掩模。并且，有机气相沉积装置利用通入惰性气体来搭载有机材料，且惰性气体经由管路被传送到气体喷头，而从气体喷头喷出。由于所欲形成的像素结构的布局图案与像素掩模的预定开口图案相同，因此所喷出的有机材料可依照像素掩模的预定开口图案沉积在待镀基板上，且所沉积的有机材料形成有机发光层。然而，在传送惰性气体与所搭载的有机材料到气体喷头时，惰性气体与所搭载的有机材料需维持在大约200到300度，以避免用以喷出有机材料的气体喷头产生堵塞。为了避免气体喷头产生堵塞，有机气相沉积装置甚至会在气体喷头处对惰性气体与所搭载的有机材料加热，以提升约10度的温度。由于惰性气体与所搭载的有机材料具有高温，因此传递到像素掩模时仍具有约60到70度以上。如此一来，像素掩模会受到惰性气体与所搭载的有机材料的温度影响而产生热膨胀。并且，像素掩模是由金属所构成，而具有较高的膨胀系数，因此像素掩模的预定开口图案的大小更容易受到热膨胀的影响而改变，进而造成像素掩模的预定开口图案与待镀基板的对位发生偏移。所以，所形成的像素结构的布局图案也会随着预定开口图案的大小的变化而有所不同，进而影响产品良率与质量。此外，为了提升材料利用率，有机气相沉积装置还会缩减输出惰性气体与所搭载的有机材料的气体出口与待镀基板之间的距离，因此像素掩模更容易受到惰性气体与所搭载的有机材料的温度的影响。同样的，热蒸镀装置也有此一问题。有鉴于此，降低惰性气体与所搭载的有机材料的温度对像素掩模的影响，以提升像素掩模与待镀基板的对位精准度实为业界努力的目标。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种掩模块件及使用其的有机气相沉积装置与热蒸镀装置，以降低气体温度对像素掩模的影响，进而提升像素掩模与待镀基板的对位精准度。为达上述的目的，本专利技术提供一种掩模块件，设置在一气体出口与一待镀基板之间。掩模块件包含有一像素掩模与一阻热掩模。像素掩模设置在气体出口与待镀基板之间，且具有多个第一开口。阻热掩模设置在气体出口与像素掩模之间，且具有多个第二开口，其中各第二开口对应至少一第一开口设置。为达上述的目的，本专利技术提供一种有机气相沉积装置，用以沉积一有机材料于一待镀基板上。有机气相沉积装置包括一气体源、丨控制阀、丨气体喷头、一管线以及一掩模块件。气体源用以提供一待镀气体。控制阀连接于气体源的出口，用以控制气体源的气体的流量与开关。气体喷头(Shower Head)对准待镀基板。管线一端连接于控制阀，另一端连接于气体喷头，用以将待镀气体传递至气体喷头。掩模块件设置在气体喷头与待镀基板之间，且掩模块件包括依像素掩模以及一阻热掩模。像素掩模设置在气体喷头与待镀基板之间，且具有多个第一开口。阻热掩模设置在气体喷头与像素掩模之间，且具有多个第二开口，其中各第二开口对应至少一第一开口设置。 为达上述的目的，本专利技术提供一种热蒸镀装置，用以蒸镀一有机材料至一待镀基板上。热蒸镀装置包括一蒸镀源以及一掩模块件。蒸镀源用以蒸发有机材料。掩模块件设置在蒸镀源与待镀基板之间，且掩模块件包括一像素掩模以及一阻热掩模。像素掩模设置在蒸镀源与待镀基板之间，且具有多个第一开口。阻热掩模设置在蒸镀源与像素掩模之间，且具有多个第二开口，其中各第二开口对应至少一第一开口设置。本专利技术的掩模块件将阻热掩模设置在气体出口与像素掩模之间，使阻热掩模可用于阻隔一部分具有一定温度以上的气体与像素掩模接触，以降低气体传导到像素掩模的热量，且避免像素掩模因直接受到气体接触而产生超出精度范围的热膨胀。借此，像素掩模与待镀基板的对位精准度可被提升。【专利附图】【附图说明】图1为本专利技术一第一优选实施例的掩模块件的剖视不意图。图2为本专利技术第一优选实施例的掩模块件的上视示意图。图3为本专利技术一第二优选实施例的掩模块件的剖视示意图。图4为本专利技术一第三优选实施例的掩模块件的剖视示意图。图5为本专利技术一第四优选实施例的掩模块件的剖视示意图。图6为本专利技术一第五优选实施例的掩模块件的不意图。图7为本专利技术一第六优选实施例的掩模块件的上视示意图。图8为本专利技术一第七优选实施例的掩模块件的上视示意图。图9为本专利技术一优选实施例的有机气相沉积装置的不意图。图10为本专利技术一优选实施例的热蒸镀装置的示意图。其中，附图标记说明如下:100 掩模块件102 气体出口102a待镀气体104 待镀基板106像素掩模106a第一开口108阻热掩模108a第二开口110第一框架112第二框架114第一隔热胶层116第二隔热胶层118隔热层200掩模块件202间隙物300掩模块件302第三隔热胶层400掩模块件402掩模部404框架部500掩模块件502冷却回路504冷却物质输入口506冷却物质输出口600掩模块件602阻热掩模602a第二开700掩模块件800有机气相沉积装置802气体源804控制阀806管线808气体喷头810掩模块件900有机气相沉积装置902蒸镀源904掩模块件906反应室G间距【具体实施方式】请参考图1与图2，图1为本专利技术一第一优选实施例的掩模块件的剖视示意图，且图2为本专利技术第一优选实施例的掩模块件的上视示意图。如图1与图2所示，掩模块件100设置在一气体出口 102与一待镀基板1 04之间。在本实施例中，气体出口 102可为有机气相沉积装置的气体喷头或热蒸镀装置的蒸镀源，用以提供包含有欲镀有机材料的待镀气体102a，并以一定速率喷出。本专利技术的气体出口并不限于此，可随着有机气相沉积装置的不同而有所不同。并且，本实施例的待镀气体102a可包含有惰性气体与有机材料，以利用惰性气体来搭载有机材料，但本专利技术不限于此。本专利技术的待镀气体可依据所使用的有机气相沉积方法来决定，且主要包含有有机材料。本实施例的待镀基板104可为已制作有数组电路的数组基板,但不限于此,本专利技术的待镀基板可依据实际欲镀有机材料的基材来决定。此外，本实施例的掩模块件100包含有一像素掩模106、一阻热掩模108、一第一框架110以及一第二框架112。像素掩模106设置在气体出口 102与待镀基板104之间，用以作为形成有机材料层(图未示)的掩模。阻热掩模108设置在气体出口 102与像素掩模106之间，且阻热掩模108与像素掩模106之间具有一间距G。在本实施例中，像素掩模106为一金属网状结构，而具有多个第一开口 106a，约略与数组基板的像素结构大小相同，使穿过第一开口 106a的待镀气体102a而沉积在待镀基板104本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种掩模块件，设置在一气体出口与一待镀基板之间，其特征在于，包含有：一像素掩模，设置在所述气体出口与所述待镀基板之间，且具有多个第一开口；以及一阻热掩模，设置在所述气体出口与所述像素掩模之间，且具有多个第二开口，其中各所述第二开口对应至少一所述第一开口设置。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王文俊，康恒达，苏国彰，黄湘霖，
申请(专利权)人：联胜中国科技有限公司，胜华科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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