用于半导体器件的凸块I/O接触体制造技术

技术编号:9643336 阅读:79 留言:0更新日期:2014-02-07 03:00
一种将导体电气连接在基底(72)上,以及安装到所述基底的半导体器件(50)上的接触垫(54)上的凸块接触体。导电柱(60)的第一端实现所述柱到所述接触垫的电气接触和机械附着,其中所述柱从所述半导体器件向外突出。一种在预定的温度可回流焊以实现与所述导体的电气接触和机械附着的焊料冠(64)被放置为与所述柱的第二端轴向对准。一扩散阻挡层(62)将焊料凸起电气地并且机械地联结到所述柱的所述第二端,并且抵抗从所述柱到所述铜的焊料冠的第一端中的电迁移。一个扩散阻挡层采用被放置在所述柱和所述焊料冠之间的镍、钯、钛-钨、镍-钒或氮化钽的2-20微米厚控制层的形式。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种用于在不使用电引线的情况下将基底上的导体与安装到所述基底的半导体器件上的接触垫电气连接的凸块接触体,所述凸块接触体包括:a.导电柱,所述导电柱具有第一和第二极端,所述柱的所述第一端实现所述柱到所述半导体器件上的所述接触垫的电气接触和机械附着,其中所述柱从所述半导体器件向外突出;b.焊料冠,所述焊料冠具有第一和第二极端,所述焊料冠是与所述柱物理对准且组装的不同的焊料元件,其中所述焊料冠的所述第一端面向所述柱的所述第二端,在预定的温度下将所述焊料冠回流焊,以实现所述焊料冠的所述第二端与所述基底上的所述导体的电气接触和机械附着从而对所述半导体器件进行倒装芯片封装并经由所述凸块接触体使所述半导体器件与所述基底电气耦合;以及c.扩散阻挡层,所述扩散阻挡层将所述焊料凸起的所述第一端电气地并且机械地联结到所述柱的所述第二端,所述扩散阻挡层抵抗由所述柱的选择的化学成分到所述焊料冠的所述第一端中的电迁移。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:P·D·帕特尔
申请(专利权)人:马克西姆综合产品公司
类型:发明
国别省市:

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