硅光电二极管制造技术

硅光电二极管，低掺杂的长方体N型硅晶片上设有高掺杂的P型硅层，形成P+N结，硅晶片上表面设有二氧化硅膜，所述高掺杂的P型硅层为圆角长方体，所述低掺杂的长方体N型硅晶片的外周设有高掺杂的N型硅环，高掺杂的N型硅环和高掺杂的P型硅层之间隔着N型硅层，P型硅层上表面二氧化硅膜上开有方形接触孔，接触孔内贴附有金属AL作为阳极，N型硅晶片的背面积淀金属Au膜作为阴极。本实用新型专利技术的反向击穿电压高于30V，暗电流小于10nA。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

Silicon photodiode

Silicon photodiode, P type silicon layer cuboid N type silicon wafer with low doped high doping, forming a P+N junction, a silicon wafer is arranged on the surface of silica film, P type silicon layer of the highly doped rounded rectangular N type silicon ring peripheral cuboid N type silicon wafer of the low the doped with high doping, high doped N type silicon ring and high doped P type silicon layer between the N type silicon layer, P type silicon layer on the surface of silica film provided with contact holes, the contact hole is attached with metal AL as anode, back accumulation Au metal membrane type N silicon wafer as the cathode. The reverse breakdown voltage of the utility model is higher than 30V, and the dark current is less than 10nA.

【技术实现步骤摘要】
硅光电二极管
[0001 ] 本技术涉及一种硅光电二极管。
技术介绍
光电二极管是一种将光能转换为电能的半导体器件，光电二极管在反向电压作用下工作，在光照时产生光电流。当无光照时，和普通二极管一样，其反向电流很小，称为暗电流。影响反向击穿电压的因素有杂质浓度、半导体薄层厚度，反向击穿电压还与PN结的形状，表面状况及材料结构等诸多因素有关。PN结的掺杂浓度越高，反向饱和电流Ici就越大，反向击穿电压越低。
技术实现思路
本技术的目的在于，提供一种反向击穿电压高于30V，暗电流小于IOnA的硅光电二极管。实现本技术的技术方案是:硅光电二极管，低掺杂的长方体N型(N_)硅晶片上设有高掺杂的P型(P+)硅层，形成P+N结，硅晶片上表面设有二氧化硅膜，所述高掺杂的P型(P+)硅层为圆角长方体，所述低掺杂的长方体N型(NO硅晶片的外周设有高掺杂的N型(N+)硅环，高掺杂的N型(N+)硅环和高掺杂的P型(P+)硅层之间隔着N型(N_)硅层，P型(P+)硅层上表面二氧化硅膜上开有方形接触孔，接触孔内贴附有金属AL作为阳极，N型(NO硅晶片的背面积淀金属Au膜作为阴极。 作为本技术的进一步改进，所述低掺杂的长方体N型(N_)硅晶片长为5.8mm,宽为 1.0mm,厚度为 275-285 μ m,电阻率为 1200-4000 Ω.cm。作为本技术的进一步改进，所述高掺杂的P型(P+)硅层厚度为200±5μπι。作为本技术的进一步改进，所述金属AL的厚度为2 um,所述金属Au膜的厚度为0.1 μιη，优化硅光电二极管芯片的接触性能。作为本技术的进一步改进，所述N型(N+)硅环和P型(P+)硅层之间的N型(Ν_)硅层四角为圆角，减小暗电流。本技术采用低掺杂高电阻率的长方体N型(『)硅晶片作为基片，提高反向击穿电压。采用高掺杂的N型(N+)保护环，减小暗电流。【附图说明】图1是本技术实施例1硅光电二极管正面结构示意图；图2是本技术实施例1硅光电二极管侧面剖视图。【具体实施方式】下面结合实施例和附图做进一步说明。实施例1如图1和图2所示，用于光电探测的硅光电二极管10，在电阻率为1200-4000 Ω.cm,厚度为275-285 μ m,长宽为5.8mmX 1.0mm的低掺杂N型长方形晶片I上，设有厚度为200 ± 5 μ m的圆角长方体的高掺杂的P型(P+)硅层2，低掺杂N型长方形晶片I的周边还设有厚度为200±5μπι的高掺杂的N型(N+)硅环3，高掺杂的N型(N+)硅环和高掺杂P型(P+)硅层之间隔着N型(Ν_)硅层4。娃晶片上表面设有二氧化娃膜5。P型(P+)娃层上表面靠近娃晶片短边一侧的二氧化硅膜上的开有方形接触孔6，接触孔内贴附有金属AL作为阳极7，N型(Ν_)硅晶片的背面积淀金属Au膜作为阴极8。本文档来自技高网...

【技术保护点】
硅光电二极管，低掺杂的长方体N型?硅晶片上设有高掺杂的P型?硅层，形成P+N结，硅晶片上表面设有二氧化硅膜，所述高掺杂的P型硅层为圆角长方体，其特征是，所述低掺杂的长方体N型硅晶片的外周设有高掺杂的N型硅环，高掺杂的N型硅环和高掺杂的P型硅层之间隔着N型硅层，?P型硅层上表面二氧化硅膜上开有方形接触孔，接触孔内贴附有金属AL作为阳极,?N型硅晶片的背面积淀金属Au膜作为阴极。

【技术特征摘要】
1.娃光电二极管，低掺杂的长方体N型娃晶片上设有高掺杂的P型娃层,形成P+N结，硅晶片上表面设有二氧化硅膜，所述高掺杂的P型硅层为圆角长方体，其特征是，所述低掺杂的长方体N型娃晶片的外周设有闻惨杂的N型娃环，闻惨杂的N型娃环和闻惨杂的P型硅层之间隔着N型硅层，P型硅层上表面二氧化硅膜上开有方形接触孔，接触孔内贴附有金属AL作为阳极，N型硅晶片的背面积淀金属Au膜作为阴极。2.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔峰敏，
申请(专利权)人：傲迪特半导体南京有限公司，
类型：实用新型
国别省市：