一种碲基三元纳米线及其阵列的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种碲基三元纳米线及其阵列的制备方法，配制pH=2.2缓冲溶液，并加入氯化锑、氯化铟和亚碲酸钾，完全溶解均匀；将模板的一面导电作为工作电极，同时在电解池中设置参比电极和对电极，并将电解液转移至电解池中，然后将电解池密封通入惰性气体，以除去电解液中的溶解氧；选择进行差分脉冲电沉积。本发明专利技术的In-Sb-Te纳米线的模板辅助的脉冲电沉积方法，具有工艺简单、成本低、合成温度低、尺寸均匀、仪器设备简单，重复性高，产率大等优点。当使用不同孔径的模板时，得到不同尺寸的纳米线，三种金属元素沿径向和轴向均分布均匀，纳米线长度为几微米到几十微米且尺寸均匀，光滑，并具有阵列结构。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了，配制pH=2.2缓冲溶液，并加入氯化锑、氯化铟和亚碲酸钾，完全溶解均匀；将模板的一面导电作为工作电极，同时在电解池中设置参比电极和对电极，并将电解液转移至电解池中，然后将电解池密封通入惰性气体，以除去电解液中的溶解氧；选择进行差分脉冲电沉积。本专利技术的In-Sb-Te纳米线的模板辅助的脉冲电沉积方法，具有工艺简单、成本低、合成温度低、尺寸均匀、仪器设备简单，重复性高，产率大等优点。当使用不同孔径的模板时，得到不同尺寸的纳米线，三种金属元素沿径向和轴向均分布均匀，纳米线长度为几微米到几十微米且尺寸均匀，光滑，并具有阵列结构。【专利说明】
本专利技术涉及碲基相变纳米材料制备方法，具体说，是关于一维相变铟锑碲纳米线及其阵列的制备方法。
技术介绍
半导体存储器根据是否可以随时对其进行读、写操作可分成只读存储器(ROM)和随机存储器(RAM)。根据断电后是否能够保存数据，可分为以DRAM、SRAM为代表的易失性存储器和以FLASH为代表的非易失性存储器。理想的存储器，应该具有随机存储器那样的读写速度，又能保持断电后数据不丢失，即非易失性随机存储器(non本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种碲基三元纳米线，其特征在于，由三种金属元素In、Sb和Te组成，且沿长度方向和径向均匀分布，按照下述步骤进行制备：步骤1，制备电解液：配制pH=2.2缓冲溶液，并向所述缓冲溶液中加入氯化锑、氯化铟和亚碲酸钾，完全溶解均匀；步骤2，准备电解池：将模板的一面导电作为工作电极，同时在电解池中设置参比电极和对电极，并将步骤1制备的电解液转移至电解池中，然后将电解池密封通入惰性气体，以除去电解液中的溶解氧；步骤3，进行电化学沉积：选择进行差分脉冲电沉积，一个脉冲循环参数为在?1.4V下沉积50—300ms，然后?0.4V下沉积50—200ms，依照脉冲循环参数连续进行沉积30—40分钟。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张兵，许蕊，许友，赵为为，禚司飞，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：