非金属涂层和其制造方法技术

技术编号:9225981 阅读:193 留言:0更新日期:2013-10-04 19:45
一种在金属衬底上形成非金属涂层的方法涉及以下步骤:将所述金属衬底放置在电解室内并施加一连串具有交替极性的电压脉冲使所述衬底相对电极电性偏压。正电压脉冲可使所述衬底相对电极阳极偏压,而负电压脉冲可使所述衬底相对电极阴极偏压。所述正电压脉冲的振幅以电位恒定方式加以控制,而所述负电压脉冲的振幅以电流恒定方式加以控制。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】非金属涂层和其制造方法
本专利技术涉及非金属涂层并涉及在金属衬底的表面上形成非金属涂层的方法。
技术介绍
涂覆在金属部件的表面上的呈氧化物陶瓷层形式的非金属涂层被广泛用于现代工程应用中,典型地来说,所述部件必需具有高耐磨性或抗蚀性。在正兴起的高科技应用中,非金属涂层还显示了值得注意的前景。举一个例子,在铝或铝合金部件上所形成的氧化铝基陶瓷表面层为所述部件提供保护并增强它们的功能性。这是由于氧化铝的优异物理和化学稳定性,如高硬度、高电阻率和化学稳定性。这类表面层被广泛用为机械部件(尤其是用于移动会经历高接触负荷和应变的零件的部件)的耐磨和抗蚀涂层、电学和电子工程方面的绝缘涂层、建筑方面的装饰涂层以及化学工程应用方面的化学惰性涂层。可通过许多不同的方法而在金属衬底上形成氧化物陶瓷涂层。例如,可通过从前体氧化物进行沉积、提供刷涂、喷淋或从气相或液相进行冷凝而形成涂层。还可通过所述金属衬底的表面的一部分的热或电化学作用而转化成氧化物来形成涂层。虽然沉积涂布技术允许利用广泛范围的氧化物材料,但是未必能始终提供良好的涂层黏着力、均匀性和表面光洁度。虽然转化技术可得到更佳的黏着力,但是可有效作为涂本文档来自技高网...
非金属涂层和其制造方法

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.02.08 GB 1102174.8;2011.10.03 GB 1117002.41.一种在金属或半金属衬底的表面上形成非金属涂层的方法,所述方法包括以下步骤:将所述衬底放置在包含水性电解质和电极的电解室内,所述水性电解质为碱性溶液,至少所述衬底的所述表面和所述电极的一部分接触所述水性电解质;以及通过施加一连串具有交替极性的电压脉冲达预定时间段而使所述衬底相对于所述电极电性偏压,正电压脉冲使所述衬底相对于所述电极阳极偏压,而负电压脉冲使所述衬底相对于所述电极阴极偏压;其中所述电压脉冲具有0.1KHz至20KHz的脉冲重复频率,并且其中所述正电压脉冲的振幅以电位恒定方式加以控制,而所述负电压脉冲的振幅以电流恒定方式加以控制,其中所述正电压脉冲和负电压脉冲两者呈梯形,其中在所述预定时间段内,所述正电压脉冲中的每一个的所述振幅是恒定的,并且所述正电压脉冲中的每一个的所述振幅为200伏特至2000伏特;其中每个正电压脉冲包括在其间所述电压增加的时间间隔(Tai)和在其间电压减小的时间间隔(Tad)和/或每个负电压脉冲包括在其间所述电压增加的时间间隔(Tci)和在其间电压减小的时间间隔(Tcd),其中在其间电压增加或减小的所述时间间隔中的每一个占总脉冲持续时间的3%至30%。2.如权利要求1所述的方法,其中所述正电压脉冲中的每一个的所述振幅为250伏特至900伏特。3.如权利要求1所述的方法,其中所述正电压脉冲中的每一个的所述振幅为600伏特或650伏特或700伏特。4.如前述权利要求中任一项所述的方法,其中相继负电压脉冲的所述振幅在所述预定时间段内增加。5.如权利要求4所述的方法,其中相继负性脉冲的所述振幅在所述预定时间段内在从1伏特至最大1000伏特范围增加。6.如权利要求5所述的方法,其中相继负性脉冲的所述振幅在所述预定时间段内从1伏特至最大400伏特的范围增加。7.如权利要求5所述的方法,其中相继负性脉冲的所述振幅在所述预定时间段内从从1伏特至最大350伏特的范围增加。8.如权利要求1-3,5-7中任一项所述的方法,其中所述电压脉冲具有1.5KHz至15KHz的脉冲重复频率。9.如权利要求1-3,5-7中任一项所述的方法,其中所述电压脉冲具有2.5KHz或3KHz或4KHz的脉冲重复频率。10.如权利要求1所述的方法,其中在其间电压增加或减小的所述时间间隔中的每一个占总脉冲持续时间的5%至10%。11.如权利要求1所述的方法,其中每个正电压脉冲还包括在其间维持电压恒定的时间间隔(Tac)和/或每个负电压脉冲还包括在其间维持电压恒定的时间间隔(Tcc)。12.如权利要求11所述的方法,其中所述每个正电压脉冲的所述维持电压恒定的时间间隔(Tac)和每个负电压脉冲的维持电压恒定的时间间隔(Tcc)中的任意一个占其总脉冲持续时间的40%至94%;或所述每个正电压脉冲的所述维持电压恒定的时间间隔(Tac)和每...

【专利技术属性】
技术研发人员:帕维尔·沙什科夫根纳季·霍穆托夫阿列克谢·叶罗欣谢尔盖·乌索夫
申请(专利权)人:剑桥奈米科技有限公司
类型:
国别省市:

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