Ⅲ族氮化物半导体发光元件及其制造方法技术

一种Ⅲ族氮化物半导体发光元件，是pn结型异质结构的Ⅲ族氮化物半导体发光元件，其特征在于，具备：n型氮化铝镓铟层；发光层，其包含与n型氮化铝镓铟层接触地配置并且含有晶格常数比n型氮化铝镓铟层大的晶体的氮化镓铟层；和设置在发光层上的p型氮化铝镓铟层，包含原子半径比n型氮化铝镓铟层内的铟小的元素的施主杂质的原子浓度，与n型氮化铝镓铟层的内部相比在n型氮化铝镓铟层和发光层的界面较低，并且，发光层内的施主杂质的原子浓度，与发光层和n型氮化铝镓铟层的界面相比在发光层和p型氮化铝镓铟层的界面较高。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】III族氮化物半导体发光元件及其制造方法
本专利技术涉及具备包含氮化镓铟的发光层的III族氮化物半导体发光元件等，特别是涉及射出紫外带域(波段)和近紫外带域的短波长光的III族氮化物半导体发光二极管(英文简称:LED)等。
技术介绍
以往，氮化铝(A1N)、氮化镓(GaN)或氮化镓铟(组成式GaxIrvxN:0 ^ X < I)等的含有铝(元素符号:A1)、镓(元素符号:Ga)或铟(元素符号:1η)等的III族元素作为构成元素的III族氮化物半导体，被利用于构成发光二极管(LED)和激光二极管(英文简称:LD)等的III族氮化物半导体发光元件(例如参照专利文献I)。例如，在LED中，氮化镓铟层作为用于射出深绿色或蓝色等的可见光的发光层被利用(参照专利文献I)。另外，示出了例如添加(掺杂)了锌(元素符号:Zn)的铟组成大的Gaa 4Ιηα 6N层，作为红色发光用的材料是有用的(参照专利文献I)。另外，铟组成小的氮化镓铟层，作为用于射出紫外光的发光层被利用(参照专利文献2)。以往的可见LED或紫外LED从层叠结构来看，一般是例如在包含氮化镓的η型覆盖层上配置包含η型的氮化镓本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种Ⅲ族氮化物半导体发光元件，是pn结型异质结构的Ⅲ族氮化物半导体发光元件，其特征在于，具备：n型氮化铝镓铟层；发光层，其包含与所述n型氮化铝镓铟层接触地配置并且含有晶格常数比该n型氮化铝镓铟层大的晶体的氮化镓铟层；和设置在所述发光层上的p型氮化铝镓铟层，包含原子半径比所述n型氮化铝镓铟层内的铟小的元素的施主杂质的原子浓度，与该n型氮化铝镓铟层的内部相比在该n型氮化铝镓铟层和所述发光层的界面较低，并且，所述发光层内的所述施主杂质的原子浓度，与该发光层和所述n型氮化铝镓铟层的界面相比在该发光层和p型氮化铝镓铟层的界面较高。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.05.19 JP 112295/20111.一种III族氮化物半导体发光元件，是pn结型异质结构的III族氮化物半导体发光元件，其特征在于，具备: η型氮化铝镓铟层； 发光层，其包含与所述η型氮化铝镓铟层接触地配置并且含有晶格常数比该η型氮化铝镓铟层大的晶体的氮化镓铟层；和 设置在所述发光层上的P型氮化铝镓铟层， 包含原子半径比所述η型氮化铝镓铟层内的铟小的元素的施主杂质的原子浓度，与该η型氮化铝镓铟层的内部相比在该η型氮化铝镓铟层和所述发光层的界面较低，并且， 所述发光层内的所述施主杂质的原子浓度，与该发光层和所述η型氮化铝镓铟层的界面相比在该发光层和P型氮化铝镓铟层的界面较高。2.根据权利要求1所述的III族氮化物半导体发光元件，其特征在于，所述发光层由所述氮化镓铟构成，所述氮化镓铟中，从所述η型氮化铝镓铟层朝向所述P型氮化铝镓铟层，使所述施主杂质的原子浓度增加。3.根据权利要求1或2所述的III族氮化物半导体发光元件，其特征在于，所述发光层的铟组成，与所述η型氮化铝镓铟层和该发光层的界面相比，在所述P型氮化铝镓铟层和该发光层的界面较低。4.根据权利要求1~3的任一项所述的III族氮化物半导体发光元件，其特征在于，所述发光层的内部的与所述η型氮化铝镓铟层的接合区域是没有添加所述施主杂质的未掺杂的区域。5.根据权利要求4所述的II`I族氮化物半导体发光元件，其特征在于，所述η型氮化铝镓铟层设置于缓冲层上，所述缓冲层是在与氮化铝镓铟不晶格匹配的基板上成膜了的缓冲层， 所述缓冲层具有铝(Al)薄膜层与设置在该薄膜层上并且铝组成带有梯度的氮化铝镓层的叠层结构。6.根据权利要求1~5的任一项所述的III族氮化物半导体发光元件，其特征在于，所述发光层由氮化镓铟层构成，所述氮化镓铟层射...

【专利技术属性】
技术研发人员：宇田川隆，
申请(专利权)人：丰田合成株式会社，
类型：
国别省市：