热处理方法和热处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术的课题是提供一种能够不损伤被处理体中所含的树脂地对被处理体进行光照射加热的热处理方法和热处理装置。本发明专利技术的解决方案是在腔室（10）内的保持板（20）与闪光灯（FL）之间，配置了去除波长在400nm以下的紫外光的光学过滤器（60）。从闪光灯（FL）射出的闪光在透过光学过滤器（60）时，400nm以下的波长区域的紫外光被去除。作为处理对象的被处理体（8）是通过在树脂基材的上面层叠功能层来构成。通过对被处理体（8）照射从照射时间极短的闪光中去除了波长在400nm以下的紫外光的光，能够不会对树脂基材产生因紫外光造成的损伤和热损伤地仅将功能层升温至需要的处理温度来实施所需要的热处理。

【技术实现步骤摘要】
热处理方法和热处理装置
本专利技术涉及一种通过对作为基材或者粘接剂含有树脂的被处理体照射光来加热该被处理体的热处理方法和热处理装置。
技术介绍
在半导体器件的制造工艺中，杂质导入是在半导体晶片内形成pn结的必需工序。现在，杂质导入通常是采用离子注入法和此后的退火法来进行。离子注入法是将硼(B)、砷(As)、磷(P)的杂质(掺杂物)的元素离子化后在高加速电压下冲撞半导体晶片进行物理性杂质注入的技术。被注入的杂质经过退火处理而得到活化。近年来，伴随着半导体器件的更微细化发展，要求更浅的接合，尝试了采用闪光灯退火(FLA)对杂质进行极短时间的加热并在抑制扩散的同时使其得到活化的技术。但是，在闪光灯退火时，由于照射时间极短、照射强度强的闪光的缘故，存在晶片破裂或者难以获得均匀的温度分布的问题。因此，在专利文献1、2中公开了一种在闪光灯与晶片之间设置透过率已被调节的板状部件并对闪光灯射出的闪光的部分或者全部进行减光的技术。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2009-123807号公报专利文献2:日本特开2009-260061号公报
技术实现思路
另一方面，近年来，以电子纸等所代表本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种热处理方法，其通过对含有树脂的被处理体照射光来加热该被处理体，其特征在于，采用从光源射出的光中去除了损伤所述树脂的波长区域后的光，照射所述被处理体。

【技术特征摘要】
2012.06.28 JP 2012-1457211.一种热处理方法，其通过对含有树脂的被处理体照射光来加热该被处理体，其特征在于，采用从光源射出的光中去除了损伤所述树脂的波长区域后的光，照射所述被处理体。2.如权利要求1所述的热处理方法，其特征在于，从所述光源射出的光中去除波长在400nm以下的紫外光。3.如权利要求2所述的热处理方法，其特征在于，通过使从所述光源射出的光透过过滤器来去除波长在400nm以下的紫外光。4.如权利要求1至3中任一项所述的热处理方法，其特征在于，所述被处理体具有树脂的基材。5.如权利要求1至3中任一项所述的热处理方法，其特征在于，所述被处理体具有利用树脂粘接剂贴附基材的构造。6.一种热处理装置，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：木村贵弘，涩田浩二，锹田豊，
申请(专利权)人：大日本网屏制造株式会社，
类型：发明
国别省市：