制造半导体器件的方法技术

本发明专利技术涉及一种制造半导体器件的方法。本发明专利技术为了以改进的产率提供具有改进的可靠性的半导体器件。在半导体衬底的主表面上形成为氧化物膜的绝缘膜之后，在绝缘膜上形成氮化硅膜。继而，通过等离子体干法蚀刻形成元件隔离沟槽，通过使用HDP-CVD形成由氧化硅制成的绝缘膜以便填充沟槽，并且通过CMP移除沟槽外的绝缘膜，同时留下沟槽中的绝缘膜。继而，移除氮化硅膜，之后通过湿法蚀刻移除绝缘膜以露出半导体衬底。此时，湿法蚀刻绝缘膜，同时向半导体衬底的主表面施加140勒克斯或更高的光。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及，具体而言，涉及当应用至包括形成元件隔离区的步骤的时有效的技术。
技术介绍
通过在半导体衬底中制作沟槽并且继而使用绝缘膜填充这些沟槽来形成元件隔离区。通过在由这些元件隔离区限定的有源区中形成各种半导体元件来制造半导体器件。有源区可以通过这些元件隔离区彼此电绝缘。 日本专利公开No. 2006-173260(专利文献I)描述了一种在湿法蚀刻处理之前中和半导体衬底的技术。日本专利公开No. 2008-113028(专利文献2)描述了一种将物质附接至硅表面的一部分的技术，该物质具有比氢的标准电极电势更多的正电势，从而在HF和娃表面的被该物质所附接部分处的硅之间引起氧化反应以形成电子e_，同时阻挡到硅的光并且从而抑制在硅中形成电子空穴对，并且使电子e_与氢离子H+反应。日本专利公开No. 2009-49293(专利文献3)中描述的技术具有以下步骤步骤(a)，在衬底12上形成第一绝缘膜11 ;步骤(C)，通过湿法蚀刻选择性地移除第一绝缘膜11 ;以及步骤(d)，在衬底12的第一绝缘膜11已经被移除的区域上形成第二绝缘膜17。在步骤(c)中，至少在从当开始湿法蚀刻时至将衬底与化学溶液本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：(a)制备半导体衬底；(b)在所述半导体衬底的主表面之上形成第一绝缘膜；(c)通过等离子体干法蚀刻所述第一绝缘膜和所述半导体衬底在所述第一绝缘膜和所述半导体衬底中形成元件隔离沟槽；(d)在所述半导体衬底的所述主表面之上形成第二绝缘膜以便填充所述沟槽；(e)通过CMP移除所述沟槽外的所述第二绝缘膜，同时留下所述沟槽中的所述第二绝缘膜；以及(f)通过湿法蚀刻移除所述第一绝缘膜以露出所述半导体衬底，其中在所述步骤(f)中，湿法蚀刻所述第一绝缘膜，同时向所述半导体衬底的所述主表面的至少一部分施加140勒克斯或更高的光。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：长谷川和彦，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：